Implantador iónico de alta calidad, material semiconductor, pequeño implantador

Detalles de Producto
Personalización: Disponible
Servicio postventa: proporcionado
Condición: Nuevo
Miembro Diamante Desde 2023

Proveedores con licencias comerciales verificadas

Proveedor Auditado Proveedor Auditado

Auditado por una agencia de inspección externa independiente

Inspectores de control de calidad
El proveedor cuenta con 1 personal de inspección de control de calidad y control de calidad.
Capacidades de I+D
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Visión General

Información Básica.

No. de Modelo.
lon001
Velocidad
Alta velocidad
Precisión
Alta precisión
Proceso de dar un título
RoHS, ISO, CE
Garantía
12 meses
Grado automática
Automático
Tipo
La velocidad del chip de alta Mounter
Paquete de Transporte
embalaje de cajas de madera o personalizadas
Especificación
especificaciones estándar
Marca Comercial
himalaya
Origen
China
Capacidad de Producción
200

Descripción de Producto


 
Descripción del producto
1. Descripción general del producto

El implante iónico es uno de los pequeños aceleradores de alta presión con mayor número de aplicaciones. Es la fuente de iones para obtener los iones necesarios, después de la aceleración de varios cientos de miles de voltios de electrones de energía del haz de iones, utilizado para materiales semiconductores, circuitos integrados a gran escala y dispositivos de inyección de iones, pero también se utiliza para la modificación de superficies de materiales metálicos y la fabricación de películas.

2. Características del dispositivo

La energía de aceleración máxima del ion univalente es ≥200keV, y el sistema de desaceleración se aumenta para alcanzar el rango de energía del ion univalente en 5keV~200keV

Disponible para obleas de 2, 3, 4, 6, 8 pulgadas y fragmentos irregulares

B, P, AS, al, S, Se pueden inyectar iones H, mg, Si

Precisión de la dosis de inyección ≤1,5%

Intervalo de dosis de implantación de iones: 1×1011 AT/cm2 ~ 1×1016 AT/cm2

Parte de la fuente de iones: Fuente de iones, sistema de gas de la fuente de iones y sistema de extracción de la fuente de iones

El sistema de fuente de iones está equipado con cinco vaporizadores que generar iones a partir de una fuente de evaporación sólida a una temperatura De 700 ° C para lograr el implante de iones a fuente sólida

Los ángulos de inclinación de la implantación de iones son de 0° y 7°

Estación de temperatura ambiente: 0° y 7°; Estación de alta temperatura: 0°

El sistema de ajuste del haz incluye principalmente: Analizador de masas, sistema de convergencia del haz, sistema de aceleración, sistema de exploración, detección del haz y transformador aislado de alta tensión

El sistema de vacío incluye principalmente: Sistema de vacío de fuente de iones, sistema de vacío de línea de haz, sistema de vacío de estación final, tubos de vacío y válvulas en el sistema de vacío y unidad de detección de vacío

Grado de vacío:

Ion vacío de la fuente: ≤7×10-4PA

Vacío de línea de viga: ≤7×10-5Pa

Vacío de la estación final: ≤7×10-5Pa

 
Fotos detalladas
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Exposición y clientes

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Aplicación de campo

 

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PREGUNTAS FRECUENTES

Q1:Cómo elegir una máquina adecuada?
A1:puedes decirnos el material de la pieza de trabajo, el tamaño y la solicitud de la función de la máquina. Podemos recomendar la máquina más adecuada de acuerdo con nuestra experiencia.  

Q2:¿Cuál es el período de garantía del equipo?
A2:un año de garantía y 24 horas de asistencia técnica profesional en línea.


Q3:¿por qué elegirnos?
A3:OEM/ODM/Servicio de diseño.

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