MOSFET de potencia de súper unión de canal N Nce65TF099t

• Manufacturing Technology: Discrete Device
• Material: Element Semiconductor
• Type: N-type Semiconductor
• Package: DIP(Dual In-line Package)
• Signal Processing: Analog Digital Composite and Function
• Application: corrección de factor de potencia-pfc
• No. de Modelo.: NCE65TF099T
• Model: Nce65TF099t
• Batch Number: 2023+
• Brand: Nce Power
• voltaje: 650v
• número de pieza: Nce65TF099t
• Device Package: to-247
• canal: canal n.
• aplicaciones: corrección de factor de potencia-pfc
• applications2: Switched Mode Power Supplies-SMPS
• applications3: Uninterruptible Power Supply-UPS
• applications4: LLC Half-Bridge
• Paquete de Transporte: Carton
• Especificación: TO-247
• Marca Comercial: NCE
• Origen: China
• Código del HS: 8541290000
• Capacidad de Producción: 1000000/Week

Descripción de Producto

Fotos detalladas

Descripción del producto

NCE proporciona MOSFET de potencia de la serie SGT-I de canal N con niveles de tensión de ruptura que van desde 30V hasta 250V. La tecnología de NCE y la excelente gestión de la calidad garantizan un excelente rendimiento y fiabilidad del producto, y proporcionan soluciones rentables al tiempo que reducen la dificultad del diseño del sistema. Se utilizan ampliamente en la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS), control de motores dc, microinversores solares, fuentes de alimentación de telecomunicaciones y servidores, y fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS). Para el campo del diseño de la fuente de alimentación, los diseñadores se enfrentan al doble reto de mejorar la eficiencia del sistema y la densidad de potencia, al tiempo que reducen el coste del sistema, los nuevos productos MOSFET de potencia de canal N de Clean Energy pueden realizar una conmutación rápida con su excelente resistencia a la conexión ( _RDS(on)) y factor de calidad (FOM, _{RDS(on) xQg} ), que mejora enormemente la eficiencia de la aplicación, y se convierte en la solución perfecta para este desafío.

La gama de paquetes de MOSFET de potencia de la serie SGT-I de canal N incluye TO-220, TO-252, TO-247, TO-263, TO-251, TOLL, DFN5*6, DFN3*3, y SOP-8 paquetes, que proporcionan a los diseñadores opciones más abundantes y flexibles para la personalización.

Nota: Los MOSFET de SGT también se conocen como Super Trench MOSFET.
 

Información sobre pedidos y marcado de paquetes
Marca	Número de pieza	Paquete de dispositivos		SPQ			MOQ
Potencia de NCE	NCE65TF099T	TO-247		30pcs/tubo			600pcs

 

Parámetros del producto

Perfil de la empresa

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