Tecnología de Fabricación: | Dispositivo Discreto |
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Material: | Elemento Semiconductor |
Tipo: | Semiconductor de Tipo N |
Paquete: | SMD |
Procesamiento De La Señal: | Compuesto digital y función analógica |
Aplicación: | bms |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
NCE proporciona MOSFET de potencia de trincheras N-TYPE 12V~200V y P-TYPE 12V~150V, adoptando tecnología avanzada de fabricación de procesos, mejores condiciones de proceso y una estructura de dispositivos optimizada para optimizar continuamente la resistencia a la conexión, las características de conmutación, la fiabilidad, etc., y continuar promoviendo la iteración de productos, y convertirse en el referente del sector para una amplia gama de productos, parámetros avanzados y rendimiento, y excelente fiabilidad. Nuestros productos se utilizan ampliamente en el funcionamiento de la batería y el motor. Nuestros productos se utilizan ampliamente en motores, sistemas de gestión de baterías, interruptores de carga, comunicaciones, electrónica de consumo y otros campos. Al mismo tiempo, ofrecemos una amplia gama de paquetes para que los clientes puedan elegir, incluyendo DFN1*1, DFN2*2, DFN3,3*3,3, DFN5*6, SOT-23, SOT-523, SOT-89, SOT-223, SOP-8, TO-251, TO-252, TO-220, TO-263, CON PEAJE, Y TO-247.
El NCEP40T11AG utiliza la tecnología Super Trench que está optimizada de forma exclusiva para proporcionar el rendimiento de conmutación de alta frecuencia más eficiente. Las pérdidas de potencia de conducción y conmutación se minimizan debido a una combinación extremadamente baja de RDS(ON) y QG. Este dispositivo es ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona.Información sobre pedidos y marcado de paquetes | ||||||||||
Marca | Número de pieza | Paquete de dispositivos | SPQ | MOQ | ||||||
Potencia de NCE | NCE30H10G | DFN5X6-8L | 5000Pcs/carrete | 5000pcs |
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