MOSFET de potencia de súper unión NCE65T2K4I NCE de canal N

• Manufacturing Technology: Discrete Device
• Material: Element Semiconductor
• Type: N-type Semiconductor
• Package: DIP(Dual In-line Package)
• Signal Processing: Analog Digital Composite and Function
• Application: BMS
• No. de Modelo.: NCE65T2K4I
• Model: Nce65t2K4I
• Batch Number: 2023+
• Brand: Nce
• voltaje: 710V
• canal: canal n.
• actual: 2a
• aplicaciones: Power Factor Correction(Pfc)
• Apllications2: Switched Mode Power Supplies(SMPS)
• Apllications3: Uninterruptible Power Supply(UPS)
• Paquete de Transporte: Cardboard Box
• Especificación: TO-220F
• Marca Comercial: NCE
• Origen: China
• Código del HS: 8541290000
• Capacidad de Producción: 1000000/Week

Descripción de Producto

 

Fotos detalladas

 

Descripción del producto

NCE ofrece MOSFET de potencia de la serie SJ-III de canal N con tensiones nominales de ruptura que van desde 500V hasta 800V, ideales para aplicaciones de alimentación de conmutación debido a su buena resistencia a la conexión, carga de compuerta muy baja, excelente velocidad de conmutación y relación precio/rendimiento competitiva. Mientras tanto, la serie SJ-III ofrece resistencia a las avalanchas (EAS) y capacidad de descarga electrostática, lo que mejora la fiabilidad del sistema. Además, esta serie de productos adopta la propia tecnología innovadora de SJN para optimizar las características de conmutación de los productos, lo que los hace tener un mejor rendimiento EMI en aplicaciones de sistemas. Se utilizan ampliamente en la conducción de electrodomésticos, la fuente de alimentación de ordenadores, UPS, carga de vehículos eléctricos y otros campos.
La gama de paquetes de MOSFET de canal N de la serie 500-800V SJ-III incluye TO-220, TO-223, TO-263, TO-251, TO-252, TO-247 y así sucesivamente.

Parámetros del producto

 

 

Perfil de la empresa

 

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