Manufacturing Technology: | Discrete Device |
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Material: | Element Semiconductor |
Type: | IGBT |
Package: | DIP(Dual In-line Package) |
Signal Processing: | Analog Digital Composite and Function |
Application: | inversores |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
NCE ofrece dispositivos IGBT de canal N con niveles de tensión de ruptura que van desde 1200V hasta 1350V. A través de la optimización de la estructura de procesos y dispositivos, NCE ofrece productos IGBT altamente eficientes. La buena relación entre la caída de tensión en el estado y la pérdida de conmutación puede mejorar significativamente la eficiencia del sistema. Al mismo tiempo, esta serie de productos tiene una buena capacidad de cortocircuito, excelentes características de EMI bajas y un control de velocidad de conmutación fiable, que proporcionan suficiente protección para los diseñadores en términos de fiabilidad del sistema. Las diferentes series (como las series B, W, etc.) se utilizan ampliamente en diversos campos.
La gama de paquetes de productos IGBT de la serie N-Channel 1200-1350V incluye TO-264, TO-3P, TO-247, etc.
Información sobre pedidos y marcado de paquetes | ||||||||
Marca | Número de pieza | Paquete de dispositivos | SPQ | MOQ | ||||
Potencia de NCE | NCE40TD120BT | TO-247 | 30pcs/tubo | 600pcs |
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