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Proveedor Auditado Alta estabilidad del equipo / buena uniformidad de temperatura / calentamiento rápido Velocidad / precisión de control alta / buen rendimiento de seguridad
La deposición de vapor químico inducida por calor (CVD) es un método poderoso para depositar recubrimientos protectores en diversos dieléctricos, semiconductores y materiales metálicos, ya sea en estado de cristal único, policristalino, amorfo o epitaxial, en formas grandes o pequeñas. Los materiales de recubrimiento típicos incluyen carbono pirolítico, carburo de silicio y nitruro de boro. Al utilizar precursores sintéticos, el recubrimiento es muy puro y cumple con los requisitos típicos de la industria de los semiconductores. Dependiendo de los parámetros del proceso, puede haber múltiples capas, que van desde una o varias capas atómicas hasta capas protectoras sólidas o funcionales con espesores que van desde 10 nanómetros hasta cientos de micrómetros, así como componentes de chip único con espesores de hasta 100 micrómetros, e incluso hasta varios milímetros.
La infiltración de vapor químico inducida por calor (CVI) es una técnica relacionada con la ECV, que implica infiltrar las preformas porosas o de fibra en un material de matriz para preparar componentes hechos de materiales compuestos con propiedades mecánicas mejoradas, resistencia a la corrosión, resistencia al calor al impacto y baja tensión residual.
Adoptar una estructura vertical de apertura de puerta inferior/superior: Alta precisión de carga y descarga, fácil manejo;
Adoptando tecnología de control avanzada, puede controlar con precisión el flujo y la presión de MTS, estabilizar el flujo de aire de sedimentación en el horno, y tener una pequeña gama de fluctuaciones de presión;
Buena uniformidad de la temperatura: La uniformidad media de la temperatura es de ±5 °C; adoptando una trayectoria de gas de sedimentación multicanal, el campo de flujo es uniforme, no hay esquinas muertas de sedimentación, y el efecto de sedimentación es bueno; cámara de sedimentación completamente cerrada, con buen sellado e˜ect y fuerte capacidad anticontaminación;
Buen rendimiento en seguridad: Adopción de control de detección de presión HMI+PLC+PID, seguro y fiable;
Tratar eficazmente los gases de escape altamente corrosivos, gases inflamables y explosivos, polvo sólido y productos viscosos de bajo punto de fusión generados por la sedimentación; sistema de tratamiento eficiente de gases de escape en varias etapas, respetuoso con el medio ambiente, capaz de recoger eficazmente alquitrán y subproductos, fácil de limpiar;
Adoptar una unidad de vacío resistente a la corrosión con un tiempo de trabajo continuo prolongado y un nivel de mantenimiento extremadamente bajo; 
| Numeración | Modelo | Tamaño de cámara (mm) | Vacío final (Pa) | Temperatura de funcionamiento (ºC) | Aplicaciones | |
| C4VGR16 | VVCgr-56/60-1600 | φ560*600 | 1 | 1600 | CVD/CVI | |
| C6VGR16 | VVCgr-84/90-1600 | φ840*900 | 1 | 1600 | CVD/CVI | |
| C8VGR16 | VVCgr-110/120-1600 | φ1100*1200 | 1 | 1600 | CVD/CVI | |
| C10VGR16 | VVCgr-140/200-1600 | φ1400*2000 | 1 | 1600 | CVD/CVI | |
Los hornos de deposición de vapor químico (carburo de silicio) pueden usarse para recubrimientos resistentes a la oxidación de la superficie y modificación de la matriz de materiales que utilizan el silano como fuente de gas. El horno de deposición vertical de vapor químico (carbono sedimentario) puede usarse para materiales que utilizan gases de hidrocarburos (como C3H8, CH4, etc.) como fuentes de carbono.
Tratamiento de CVD/CVI isotérmico superficial o substrato. Los hornos de deposición de vapor químico horizontal (SiC, BN) pueden usarse para el recubrimiento de superficies de materiales, modificación de matrices, preparación de materiales compuestos, etc..sustratos para obleas epitaxiales, materiales refractarios de alta temperatura para hornos de cristal, moldes de flexión en caliente, crisoles de semiconductores, materiales compuestos cerámicos, etc.
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