configuración: | paquete de 6 |
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tensión colector-emisor vceo máx: | 750 V |
tensión de saturación del colector-emisor: | 1,1 v |
corriente continua del colector a 25 c: | 450 a |
corriente de fuga del emisor de la puerta: | 400 Na |
pd: disipación de potencia: | 714 W |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
Atributos del producto | El valor del atributo |
Fabricante: | Infineon |
Categoría del producto: | Módulos IGBT |
Producto: | Los módulos de silicio de IGBT |
Configuración: | 6-Pack |
La tensión colector - Emisor VCEO Max: | 750 V |
Tensión de saturación del Collector-Emitter: | 1,1 V |
Corriente de colector de continuo a 25 C: | 450 UN |
Gate-Emitter: Corriente de fuga. | 400 nA |
Pd: disipación de energía: | 714 W |
Package / Caso: | El módulo |
Temperatura mínima de funcionamiento: | - 40 C |
Temperatura máxima de funcionamiento: | + 150 C |
Embalaje: | La bandeja |
Marca: | Infineon Technologies |
Puerta de máxima tensión de emisor: | 20 V |
Estilo de montaje: | Montaje en chasis |
Tipo de producto: | Módulos IGBT |
Subcategoría: | IGBTs |
Tecnología: | Si |
Proveedores con licencias comerciales verificadas