Transistor de efecto de campo MOS de canal P nuevo y original (IPB90P04P4L)

• forma: Plano
• Tipo de conductor: Unipolar Circuito Integrado
• Integración: GSI
• Técnica: Película gruesa IC
• capacidad de suministro: 1000000 piezas por mes
• cantidad mínima de embalaje: 2500 unidades
• No. de Modelo.: IPB90P04P4L
• embalaje mínimo bruto: 0,62 kg
• país del original: china
• año de fabricación: 2021
• encapsulación: to-252
• no lote: 21+
• tensión de ruptura de la fuente de drenaje vds: 40v
• corriente de drenaje continua id: 90a
• rds en la resistencia de conducción de la fuente de drenaje: 6,6 mohms
• vgs - tensión de la fuente de red: 4,5v
• vgs tensión umbral fuente puerta: 1,2v
• qg carga de red: 135nc
• temperatura de funcionamiento mínima: -55c
• temperatura máxima de funcionamiento: +175c
• Paquete de Transporte: Carton Box
• Especificación: 22x17
• Marca Comercial: EDT
• Origen: Zhejiang
• Código del HS: 8529905000
• Capacidad de Producción: 1000000

Descripción de Producto

Descripción general

Detalles rápidos

Número de modelo:       IPB90P04P4L

Tipo:                circuito integrado

Lugar de origen:       Guangdong, China

Nombre de Marca:         INFINEON

Aplicaciones:         Aplicación industrial

Capacidad de suministro

Capacidad de suministro 1000000 piezas/piezas por mes

 

Embalaje y entrega

Plazo de entrega:

Cantidad (piezas)	1  -  1000	>1000
Est. Hora (días)	7	A negociar