• SnO2 90% ITO objetivo de espumación In2o3/10wt/99,99% objetivos de espumación planar
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Favoritos

SnO2 90% ITO objetivo de espumación In2o3/10wt/99,99% objetivos de espumación planar

Application: Industrial
fórmula: In2o3/Sno2
clasificación: Ceranic Traget
estándar de grado: grado industrial
certificación: iso
forma: Rotary,Flat,Round

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Proveedores con licencias comerciales verificadas

Guangdong, China
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Información Básica.

No. de Modelo.
CYT-ITO
Paquete de Transporte
Wooden Box
Especificación
Customized Size
Marca Comercial
CANYUAN
Origen
China
Capacidad de Producción
1000PCS

Descripción de Producto

99.99% ITO Sputtering Target In2o3/Sno2 90/10wt% Planar Sputtering TargetsEL objetivo DE ITO es un material cerámico de óxido de estaño de indio funcional, que se utiliza para la deposición de películas finas conductoras transparentes ITO con espumación de magnetrón. Se produce mediante el uso del proceso cerámico clásico a presión ambiental, en forma de segmentos de tubo/planos que se unen en el objetivo ITO.
  Especificación de objetivos
Aplicación Materiales de pulverización PVD
Material ITO (In2O3:SnO2 =90:10)
Pureza 4N
Tamaño personalizado
Grosor personalizado
Forma Objetivo de pulverización giratoria, Tipo de anillo, Tipo de hoja, Tipo de plat y Tipo de tubo
Densidad 7,13g/cm3
Densidad relativa (%) ≥99,5
Método de producción sinterizado

99.99% ITO Sputtering Target In2o3/Sno2 90/10wt% Planar Sputtering Targets
Nuestra ventaja
99.99% ITO Sputtering Target In2o3/Sno2 90/10wt% Planar Sputtering Targets
99.99% ITO Sputtering Target In2o3/Sno2 90/10wt% Planar Sputtering Targets


Proceso de operación
99.99% ITO Sputtering Target In2o3/Sno2 90/10wt% Planar Sputtering Targets
99.99% ITO Sputtering Target In2o3/Sno2 90/10wt% Planar Sputtering Targets

Imagen de embalaje
99.99% ITO Sputtering Target In2o3/Sno2 90/10wt% Planar Sputtering Targets
99.99% ITO Sputtering Target In2o3/Sno2 90/10wt% Planar Sputtering Targets
99.99% ITO Sputtering Target In2o3/Sno2 90/10wt% Planar Sputtering Targets


Aplicación:
99.99% ITO Sputtering Target In2o3/Sno2 90/10wt% Planar Sputtering Targets
99.99% ITO Sputtering Target In2o3/Sno2 90/10wt% Planar Sputtering Targets
99.99% ITO Sputtering Target In2o3/Sno2 90/10wt% Planar Sputtering Targets

Producto relacionado
Material Pureza
N)
Componentes
(peso %)
Densidad Fusión
 Punto
Térmica
Conductividad
(WM-1K-1)
Coeficiente de
 expansión
(10-6k-1)
Producción
 Proceso
Aleación al 5N - 2,7 660 235 23,1 Fundición
CR 3N5 - 7,22 1907 94 4,9 CADERA
Cu 4N - 8,9 1084 400 16,5 Fundición
Aleación MO 3N5 - 10,28 2623 139 4,8 CADERA
N. 4N - 8,6 2477 54 7,3 Fundición
Ta 4N - 16,7 3017 57 6,3 Fundición
Si 4N - 2,33 1414 150 2,6 Sintering&Spray
TI 5N - 4,5 1670 22 8,6 Fundición
W 4N - 19,25 3422 174 4,5 CADERA
AZO 3N5 98:2 5,6 1975 22 1,5 Sintering
ITO 4N 90:10 7,15 2000 15 2,0 Sintering
GZO 3N5 COMO SE SOLICITA 7,15 - - - Sintering
IGZO 4N COMO SE SOLICITA - - - - Sintering
NbOx 4N - 4,6 1460 5 1,5 Sintering&Spray
TIOx 4N - 4,23 1800 4 7,14 Sintering&Spray
 

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Fabricante/Fábrica
Productos Principales
Sputtering Target
Número de Empleados
6