Tipo: | Tipo de Salón |
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Tipo de salida de señal: | Salida analógica |
Proceso De Producción: | Integrados semiconductores |
Material: | Plástico |
Exactitud Grado: | 0,7g |
Aplicación: | detección de corriente del banco de baterías híbridas |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
* instalación fácil
Datos eléctricos:(ta=25ºC,VC=+5,0VDC,RL=2Kilohm,CL=10000pF) | ||||
Parmetro Ref |
CHB10ES5S6 | CHB25ES5S6 | CH50ES5S6 | CHB75ES5S6 |
Entrada nominal IPN(A) | 10 | 25 | 50 | 75 |
Rango de medición IP(A) | 0~±32 | 0~±80 | 0~±120 | 0~±150 |
Relación de giros NP/NS (T) | 1:800 | 1:2000 | 1:2000 | 1:2000 |
Resistencia interior RM (ohmios) | 50±0,1% | 50±0,1% | 25±0,1% | 16,5±0,1% |
Tensión de salida vo(V) | 2,500±0,625*(IP/IPN) | |||
Tensión de salida vo(V) | @IP=0,T=25°C 2,50 | |||
Tensión de referencia VR(V) | @Internal reference,re out 2,500 | |||
Tensión de alimentación VC(V) | +5,5 ±5% | |||
Precisión XG (%) | @IPN,T=25°C < ±0,7 | |||
Tensión de desviación VOE (mV) | @IP=0,T=25°C < ±25 | |||
Variación de temperatura de VOT ( mV/°C) | @IP=0,-40 ~ +85°C < ±0,5 |
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Error de linealidad εr(%FS) | < 0,1 | |||
Di/dt seguido con precisión (A/µs) | > 50 | |||
Tiempo de respuesta tra(µs) | @90% de IPN < 1,0 | |||
Consumo de energía IC(mA) | 10+is | |||
Ancho de banda blanco y negro (KHZ) | @-3dB,IPN DC-200 | |||
Tensión de aislamiento Vd(KV) | @50/60Hz, 1min,AC 3,0 |
Datos generales: | |
Parámetro | Valor |
Temperatura de funcionamiento TA(°C) | -40 ~ +85 |
Temperatura de almacenamiento TS(°C ) | -55~ +125 |
Masa M(g ) | 13 |
Material plástico | PBT G30/G15, UL94-V0; |
Estándares | IEC60950-1:2001 |
EN50178:1998 | |
SJ20790-2000 |
Dimensiones (mm): | |
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Conexión |
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Tolerancia general | |
Tolerancia general: < ±0,2mm Orificio pasante primario: D8,2±0,15mm; PIN secundario: 4pin 0,65*0,65; |
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