Tipo: | Tipo de Salón |
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Tipo de salida de señal: | Salida analógica |
Proceso De Producción: | Integrados semiconductores |
Material: | Plástico |
Exactitud Grado: | 0.5G |
Aplicación: | nueva medición de la caja combinadora de energía |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
* instalación fácil
Datos eléctricos:(ta=25ºC,VC=+5,0VDC,RL=2Kilohm,CL=10000pF) | |||||||
Parmetro Ref |
CHB02 LSP5S2H |
CHB06 LSP5S2H |
CHB10 LSP5S2H |
CHB15 LSP5S2H |
CH20 LSP5S2H |
CHB25 LSP5S2H | CHB30 LSP5S2H |
Entrada nominal IPN(A) | 02 | 06 | 10 | 15 | 20 | 25 | 30 |
Rango de medición IP(A) | 0~±02 | 0~±06 | 0~±10 | 0~±15 | 0~±20 | 0~±25 | 0~±30 |
Relación de giros NP/NS (T) | 1:400 | 1:600 | 1:500 | 1:750 | 1:500 | 1:625 | 1:750 |
Resistencia interior RM (ohmios) | 100±0,1% | 50±0,1% | 50±0,1% | 25±0,1% | 12,5±0,1% | 12,5±0,1% | 12,5±0,1% |
Tensión de salida vo(V) | 2,500±2,000*(IP/IPN) | ||||||
Tensión de salida vo(V) | @IP=0,T=25°C 2,500 | ||||||
Tensión de alimentación C(V) | +5,5 ±5% | ||||||
Precisión XG (%) | @IPN,T=25°C < ±0,5 | ||||||
Tensión de desviación VOE (mV) | @IP=0,T=25°C < ±10 | ||||||
Variación de temperatura de VOE OT(mV/°C) | @IP=0,-40 ~ +85°C < ±0,01 |
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Error de linealidad εr(%FS) | < 0,1 | ||||||
Di/dt seguido con precisión (A/µs) | > 50 | ||||||
Tiempo de respuesta tra(µs) | @90% de IPN < 1,0 | ||||||
Consumo de energía IC(mA) | 10+is | ||||||
Ancho de banda blanco y negro (KHZ) | @-3dB,IPN DC-200 | ||||||
Tensión de aislamiento Vd(KV) | @50/60Hz, 1min,AC 4,0 |
Datos generales: | |
Parámetro | Valor |
Temperatura de funcionamiento TA(°C) | -40 ~ +85 |
Temperatura de almacenamiento TS(°C ) | -55~ +125 |
Masa M(g ) | 10 |
Material plástico | PBT G30/G15, UL94-V0; |
Estándares | IEC60950-1:2001 |
EN50178:1998 | |
SJ20790-2000 |
Dimensiones (mm): | |
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Conexión |
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Tolerancia general | |
Tolerancia general: < ±0,2mm Orificio primario: D8,5±0,15mm PIN fijo: 0,8*0,9±0,15mm; PIN secundario:3pin 0,25*0,5 |
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