Rendimiento de conmutación baja de los CSs MOSFET Conmutación rápida 2A 650V SVF2N65F

• forma: INMERSIÓN
• Tipo de conductor: Unipolar Circuito Integrado
• Integración: LSI
• Técnica: Thin Film IC
• color: negro
• Paquete de Transporte: Carton
• No. de Modelo.: SVF2N65F
• Especificación: AC 85-265V
• Marca Comercial: Chipown
• Origen: China
• Código del HS: 8542399000
• Capacidad de Producción: 10000000

Descripción de Producto

-Hoja de datos
 

*  Descripción general

SVF2N65F/N/MJ/D es un transistor de efecto de campo MOS de potencia de modo de mejora de canal N que se produce utilizando la tecnología VDMOS de estructura F-CellTM patentada por Silan. La celda de banda plana mejorada y el terminal de anillo protector mejorado se han diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado, proporcionar un rendimiento de conmutación superior, y soportan el pulso de alta energía en el modo de avalancha y conmutación. Estos dispositivos se utilizan ampliamente en proveedores de alimentación ac-dc, convertidores dc-dc y controladores de motor PWM de puente H.



* Características
 

1.	2A,650V, RDS(on)(typ.)=4,3@VGS=10V Carga de compuerta baja
2.	Baja CRSs
3.	Conmutación rápida
4.	Capacidad dv/dt mejorada

 

* Esquema de aplicación típico
 

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Notas

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