MOSFET de conmutación rápida de CANAL N de 10A 650V CSs bajos SVF10N65T/F/K/S.

• forma: INMERSIÓN
• Tipo de conductor: Unipolar Circuito Integrado
• Integración: LSI
• Técnica: Thin Film IC
• color: negro
• Paquete de Transporte: Carton
• No. de Modelo.: SVF10N65T/F/K/S
• Especificación: AC 85-265V
• Marca Comercial: Silan
• Origen: China
• Código del HS: 8542399000
• Capacidad de Producción: 10000000

Descripción de Producto

-Hoja de datos
 

*  Descripción general

SVF10N65T/F/K/S es un efecto  de campo MOS de potencia de modo de mejora de canal N.   Transistor   que se produce utilizando Silan  
   Estructura patentada de F-Cell TM  tecnología VDMOS.   

La   celda de banda plana mejorada y     el terminal de anillo protector mejorado se   han diseñado especialmente para minimizar  la resistencia en estado, proporcionar     un rendimiento de conmutación superior y soportar impulsos de alta energía en el modo de avalancha y conmutación.  

Estos dispositivos se utilizan ampliamente en proveedores de alimentación ac-dc, convertidores dc-dc y controladores de motor PWM de puente H.


* Características

1.	10A,650V,RDS(on)(typ.)=0,96@VGS=10V Carga de compuerta baja
2.	Baja CRSs
3.	Conmutación rápida
4.	Capacidad dv/dt mejorada

 

* Esquema de aplicación típico
 

¿por qué elegirnos?

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Notas

* las fotografías se toman con cámara.
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