• Nuevo de alta potencia 830nm de diodo láser infrarrojo de 200MW
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Nuevo de alta potencia 830nm de diodo láser infrarrojo de 200MW

Proceso de dar un título: RoHS, CE, ISO
Solicitud: Illumination, Printing, Sensing, Medical
Estructura: Through Hole
longitud de onda: 830nm
potencia de salida óptica: 200mw cw
puede escribir: to18-5,6mm

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Miembro Diamante Desde 2015

Proveedores con licencias comerciales verificadas

Fabricante/Fábrica & Empresa Comercial

Información Básica.

No. de Modelo.
JLD830NM200MW
color claro
infrarrojos
corriente de umbral
35ma típ.
vida útil
10000 horas
voltaje inverso
3v
corriente de funcionamiento
250ma
tensión de funcionamiento
1,5v
temperatura de funcionamiento
-20~+50 grados
Paquete de Transporte
Anti-Static Package
Especificación
830nm 200mw laser diode
Marca Comercial
JDSU
Origen
USA
Código del HS
85414010
Capacidad de Producción
10000PCS Per Day

Descripción de Producto

Características:
1.     200 mW de potencia sin doblez
2.     Anchura espectral estrecha
3. La alta eficiencia
Nuevo de alta potencia 830nm de diodo láser infrarrojo de 200MW
High Power Brand New 830nm 200MW Infrared Laser Diode

Características láser
El parámetro Símbolo Min. Tip. Max. Unidad
La potencia de salida a la derecha, kink libres   Po - - 200 W
Longitud de onda central Λc   - 830 - Nm
El ancho espectral   Δλ   - 3 5 Nm
La eficacia de la pendiente ΗD =  P S/(Pio -Ith ).   0.75 0.85 - MW/ mA
La eficiencia de conversión   Η= p  O /(Pio V  Op ).   - 30 - %
La emisión de dimensiones   W x  H   - 3 x  1 - Μm
Divergencia del haz paralelo a la unión Θ// - 9 - Grado
Divergencia del haz es perpendicular a la unión Θ⊥   - 30 - Grado
Corriente de umbral Ith - 35 45 MA
Corriente de funcionamiento Si - 250 350 MA
La tensión de funcionamiento Vop - La tensión de avance es típicamente: Vf =  1, 5 V  + Pio X  RS - V
Resistencia en serie   Rs   - 4.0 6.0 Ω.
Resistencia térmica   Rth   - 60 - °C/W
Temperatura de la caja recomendados   T C -20 - 30   °C.


Las calificaciones máxima absoluta
El parámetro Símbolo Min. Tip. Max. Unidad
El voltaje inverso   Vrl   - - 3 V
Caso de que la temperatura de funcionamiento Top -20 - 50 °C.
Temperatura de almacenamiento Tstg -40 - 80 °C.
Temperatura de soldadura de plomo   Tis   - - 250 °C (5 seg. )

Fotodiodo Monitor
El parámetro Símbolo Min. Tip. Max. Unidad
La sensibilidad   - 0.1 - 20 Ma/mW
La capacitancia - - 6 - PF
La tensión de ruptura Vbd   - 25 - V
La tensión de funcionamiento Vop - 10 - V
  High Power Brand New 830nm 200MW Infrared Laser Diode

 
Descripción:  
  1. Un paquete pequeño 5.6mm de diámetro.
 
    2. Astigmatismo baja y alta fiabilidad.
 
    3. Precios baratos de un único modo de alta calidad 830nm de diodo láser infrarrojo de 200MW.
 
      4.       Detalles  De  Paquete: Paquete de caja de plástico, depende de diferentes tipos de láser de diodos de distintos tamaños. Normalmente 100pcs en una bandeja, el 10 de bandejas en una bolsa, luego 10 bolsas en una caja de cartón.
 

High Power Brand New 830nm 200MW Infrared Laser Diode

 
 



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High Power Brand New 830nm 200MW Infrared Laser Diode
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