Certification: | CE |
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longitud de onda: | 945nm |
potencia: | 12w |
función principal: | iluminación láser |
garantía: | 12 meses |
puntos de venta clave: | larga vida útil |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
Características:
Basado en semiconductores InGaAs
La potencia de salida óptica: 12W CW
Longitudes de onda estándar: 760 a 1030 nanómetros (otras disponibles bajo petición)
Factores de relleno: 10%, el 20%, 30%, el 50%, el 75% (las otras están disponibles bajo petición)
El resonador longitudes: 0,6 mm, 1,0 mm, 1,5 mm, 2,0 mm, 3,5 mm, 4,0 mm (las otras están disponibles bajo petición)
Opcional: baja Recubrimiento AR (normalmente < 0,3%)
Opcional: metalización continua
Aplicación:
Fuente de bombeo de fibra láser
Láser de estado sólido Fuente de bombeo
Direct Láser semiconductor
Foto del producto
Optical | Típ. |
Longitud de onda central | 945nm |
La potencia de salida | 12W |
Modo de trabajo | CW |
El ancho de emisor | 90μm |
Tono emisor | 400μm |
La longitud de la cavidad | 4000μm |
Eje rápida divergencia (AAM) | 27º |
Eje lenta divergencia (AAM) | 7º |
Ancho de banda espectral (AAM) | 4nm |
Equipos eléctricos | |
Corriente de funcionamiento de la PIO | 12A |
Corriente de umbral Ith | 0,8 A |
Tensión de funcionamiento de Vop | 1,65V |
La eficiencia de conversión | El 61% |
Thermal | |
La temperatura de funcionamiento | 20º C. |
Coeficiente de Temperatura de longitud de onda | 0,35nm/ºC |
Curva de rendimiento y tamaño de dibujo
Proveedores con licencias comerciales verificadas