Type: | Piezoresistive Pressure Sensor |
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Component: | Mechanical Structure Type |
For: | Diffused Silicon Pressure Transmitter |
Output Signal Type: | Analog Type |
Production Process: | Normal Wirewound |
Material: | Stainless Steel |
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Rendimiento de la construcción |
Condición ambiental |
Condición básica |
Especificación |
Elemento | Mín | Típ. | Máx | Unidades | Notas |
Potencia | 8 | 24 | 30 | VDC | |
Precisión de salida completa | ±0,1 | ±0,2 | %FS | A 25ºC. | |
±0,3 | ±0,5 | %FS | -20~80ºC. | ||
Repetibilidad | ≤0,1 | %FS | |||
Histéresis | ≤0,1 | %FS | |||
Presión de sobrecarga | 150 | %FS | |||
Protección contra ESD | 2000 | V | |||
Temperatura de almacenamiento | -40~125 | ºC | |||
Temperatura de funcionamiento | -40~100 | ºC | |||
Rango de temperatura compensado | -20~80 | ºC | |||
estabilidad a largo plazo | ±0,2 | %FS/año | |||
Coeficiente de deriva de temperatura | 0,01 | 0,04 | 0,08 | PPM/ºC | |
Tiempo de encendido | 80 | sra. |
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