Transductor/sensor de corriente serie HS11c-AP

• Tipo: Tipo de Salón
• Tipo de salida de señal: Salida analógica
• Proceso De Producción: Integración
• Material: Plástico
• Exactitud Grado: 0.1G
• Aplicación: Fuente de alimentación conmutada
• No. de Modelo.: HS11
• Personalizado: Personalizado
• Paquete de Transporte: Carton
• Especificación: 38.5*22*24.6cm
• Marca Comercial: TRANSFAR
• Origen: China
• Código del HS: 9030339000
• Capacidad de Producción: 100000 Pieces Per Year

Descripción de Producto

SENSOR/TRANSDUCTOR DE CORRIENTE SERIE HS11C-AP

DESCRIPCIÓN:

Para la medición electrónica de corrientes: CC, CA, pulsada..., con separación galvánica entre el circuito primario y el circuito secundario.
 

 

CARACTERÍSTICAS:
  Fácil de instalar
  Sin pérdida de inserción
  Fuerte capacidad antiinterferencias
  Tamaño compacto

APLICACIONES:

 Convertidor de frecuencia de CA
 Sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI)
 Convertidores estáticos para motores de CC
 Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)
 Vehículos eléctricos
 Fuentes de alimentación de comunicación
 

LISTA DE MODELOS:

 

MODELO de producto
Modelo	Corriente nominal de entrada IPN (A)	Rango de medición de IPM (A)
HS11C- 50A-P	50	±50
HS11C-100A-P	100	±100
HS11C-150A-P	150	±150
HS11C-200A-P	200	±200
HS11C-300A-P	300	±300
HS11C-400A-P	400	±400
HS11C-500A-P	500	±500
HS11C-600A-P	600	±600
HS11C-700A-P	700	±700
HS11C-800A-P	800	±800
HS11C-900A-P	900	±900

ESPECIFICACIÓN HS11C-50A-P.

Parámetro	Símbolo	Unidad	Mín	Típ	Máx	Comentario
Datos eléctricos
Rango de medición de corriente primaria	IPN	R	-50		50
Tensión de alimentación	VC	V	4,5	5,0	5,5
Tensión de salida	VOUT	V	VOUT=1/2Vc±2V			@ VC
Tensión de salida cero	VQOV	V		1/2Vc		@IP=0A
Ganancia teórica	GTH	MV/A		40
Consumo de corriente	IC	Ma		7	10
Resistencia de carga	RL	kΩ	4,7	-	ilimitado	@VOUT a GND
Capacitancia de carga	C2	NF	-	1	10	@VOUT a GND
Condensador del filtro de potencia	C1	µF	-	-	-
Datos de rendimiento
Error de ganancia	G	%	-1		1	@TA=25
Desviación de temperatura del error de ganancia	TCG	%/ºC	-0,035		0,035	@TA -40ºC~125ºC.
Error de punto cero	VOE	MV		±15		@IP=0A
Desviación de temperatura de error cero	TCVOE	MV/ºC	-0,08		0,08	@TA -40ºC~125ºC.
Tensión de offset magnético	VOM	MV	-	5	-
Error no lineal	L	% de IPN	-1		1	@TA=25,excluir  VOE cero
Tiempo de respuesta	tr	µs		6	8
Ancho de banda ( -3dB)	BW	KHz		50
La corriente sigue a d i /d t	di/dt	A/µS	50
Cambio de fase	∅	grado		-
Ruido de salida	VNO pp	MV		-
Datos generales
Temperatura ambiente de funcionamiento	TA	ºC	-40….+125
Temperatura ambiente de almacenamiento	TS	ºC	-55….+125
Masa	m	g	aprox. 22

ESPECIFICACIÓN HS11C-100A-P.

Parámetro	Símbolo	Unidad	Mín	Típ	Máx	Comentario
Datos eléctricos
Rango de medición de corriente primaria	IPN	R	-100		100
Tensión de alimentación	VC	V	4,5	5,0	5,5
Tensión de salida	VOUT	V	VOUT=1/2Vc±2V			@ VC
Tensión de salida cero	VQOV	V		1/2Vc		@IP=0A
Ganancia teórica	GTH	MV/A		20
Consumo de corriente	IC	Ma		7	10
Resistencia de carga	RL	kΩ	4,7	-	ilimitado	@VOUT a GND
Capacitancia de carga	C2	NF	-	1	10	@VOUT a GND
Condensador del filtro de potencia	C1	µF	-	-	-
Datos de rendimiento
Error de ganancia	G	%	-1		1	@TA=25
Desviación de temperatura del error de ganancia	TCG	%/ºC	-0,035		0,035	@TA -40ºC~125ºC.
Error de punto cero	VOE	MV		±15		@IP=0A
Desviación de temperatura de error cero	TCVOE	MV/ºC	-0,08		0,08	@TA -40ºC~125ºC.
Tensión de offset magnético	VOM	MV	-	5	-
Error no lineal	L	% de IPN	-1		1	@TA=25,excluir  VOE cero
Tiempo de respuesta	tr	µs		6	8
Ancho de banda ( -3dB)	BW	KHz		50
La corriente sigue a di /dt	di/dt	A/µS	50
Cambio de fase	∅	grado		-
Ruido de salida	VNO pp	MV		-
Datos generales
Temperatura ambiente de funcionamiento	TA	ºC	-40….+125
Temperatura ambiente de almacenamiento	TS	ºC	-55….+125
Masa	m	g	aprox. 22

ESPECIFICACIÓN HS11C-150A-P.

Parámetro	Símbolo	Unidad	Mín	Típ	Máx	Comentario
Datos eléctricos
Rango de medición de corriente primaria	IPN	R	-150		150
Tensión de alimentación	VC	V	4,5	5,0	5,5
Tensión de salida	VOUT	V	VOUT=1/2Vc±2V			@ VC
Tensión de salida cero	VQOV	V		1/2Vc		@IP=0A
Ganancia teórica	GTH	MV/A		13,333
Consumo de corriente	IC	Ma		7	10
Resistencia de carga	RL	kΩ	4,7	-	ilimitado	@VOUT a GND
Capacitancia de carga	C2	NF	-	1	10	@VOUT a GND
Condensador del filtro de potencia	C1	µF	-	-	-
Datos de rendimiento
Error de ganancia	G	%	-1		1	@TA=25
Desviación de temperatura del error de ganancia	TCG	%/ºC	-0,035		0,035	@TA -40ºC~125ºC.
Error de punto cero	VOE	MV		±15		@IP=0A
Desviación de temperatura de error cero	TCVOE	MV/ºC	-0,08		0,08	@TA -40ºC~125ºC.
Tensión de offset magnético	VOM	MV	-	5	-
Error no lineal	L	% de IPN	-1		1	@TA=25,excluir  VOE cero
Tiempo de respuesta	tr	µs		6	8
Ancho de banda ( -3dB)	BW	KHz		50
La corriente sigue a di /dt	di/dt	A/µS	50
Cambio de fase	∅	grado		-
Ruido de salida	VNO pp	MV		-
Datos generales
Temperatura ambiente de funcionamiento	TA	ºC	-40….+125
Temperatura ambiente de almacenamiento	TS	ºC	-55….+125
Masa	m	g	aprox. 22

ESPECIFICACIÓN HS11C-200A-P.

Parámetro	Símbolo	Unidad	Mín	Típ	Máx	Comentario
Datos eléctricos
Rango de medición de corriente primaria	IPN	R	-200		200
Tensión de alimentación	VC	V	4,5	5,0	5,5
Tensión de salida	VOUT	V	VOUT=1/2Vc±2V			@ VC
Tensión de salida cero	VQOV	V		1/2Vc		@IP=0A
Ganancia teórica	GTH	MV/A		10
Consumo de corriente	IC	Ma		7	10
Resistencia de carga	RL	kΩ	4,7	-	ilimitado	@VOUT a GND
Capacitancia de carga	C2	NF	-	1	10	@VOUT a GND
Condensador del filtro de potencia	C1	µF	-	-	-
Datos de rendimiento
Error de ganancia	G	%	-1		1	@TA=25
Desviación de temperatura del error de ganancia	TCG	%/ºC	-0,035		0,035	@TA -40ºC~125ºC.
Error de punto cero	VOE	MV		±15		@IP=0A
Desviación de temperatura de error cero	TCVOE	MV/ºC	-0,08		0,08	@TA -40ºC~125ºC.
Tensión de offset magnético	VOM	MV	-	5	-
Error no lineal	L	% de IPN	-1		1	@TA=25,excluir  VOE cero
Tiempo de respuesta	tr	µs		6	8
Ancho de banda ( -3dB)	BW	KHz		50
La corriente sigue a di /dt	di/dt	A/µS	50
Cambio de fase	∅	grado		-
Ruido de salida	VNO pp	MV		-
Datos generales
Temperatura ambiente de funcionamiento	TA	ºC	-40….+125
Temperatura ambiente de almacenamiento	TS	ºC	-55….+125
Masa	m	g	aprox. 22

ESPECIFICACIÓN HS11C-300A-P.

Parámetro	Símbolo	Unidad	Mín	Típ	Máx	Comentario
Datos eléctricos
Rango de medición de corriente primaria	IPN	R	-300		300
Tensión de alimentación	VC	V	4,5	5,0	5,5
Tensión de salida	VOUT	V	VOUT=1/2Vc±2V			@ VC
Tensión de salida cero	VQOV	V		1/2Vc		@IP=0A
Ganancia teórica	GTH	MV/A		6,666
Consumo de corriente	IC	Ma		7	10
Resistencia de carga	RL	kΩ	4,7	-	ilimitado	@VOUT a GND
Capacitancia de carga	C2	NF	-	1	10	@VOUT a GND
Condensador del filtro de potencia	C1	µF	-	-	-
Datos de rendimiento
Error de ganancia	G	%	-1		1	@TA=25
Desviación de temperatura del error de ganancia	TCG	%/ºC	-0,035		0,035	@TA -40ºC~125ºC.
Error de punto cero	VOE	MV		±15		@IP=0A
Desviación de temperatura de error cero	TCVOE	MV/ºC	-0,08		0,08	@TA -40ºC~125ºC.
Tensión de offset magnético	VOM	MV	-	5	-
Error no lineal	L	% de IPN	-1		1	@TA=25,excluir  VOE cero
Tiempo de respuesta	tr	µs		6	8
Ancho de banda ( -3dB)	BW	KHz		50
La corriente sigue a di /dt	di/dt	A/µS	50
Cambio de fase	∅	grado		-
Ruido de salida	VNO pp	MV		-
Datos generales
Temperatura ambiente de funcionamiento	TA	ºC	-40….+125
Temperatura ambiente de almacenamiento	TS	ºC	-55….+125
Masa	m	g	aprox. 22

400A- ESPECIFICACIÓN HS11C-P.

Parámetro	Símbolo	Unidad	Mín	Típ	Máx	Comentario
Datos eléctricos
Rango de medición de corriente primaria	IPN	R	-400		400
Tensión de alimentación	VC	V	4,5	5,0	5,5
Tensión de salida	VOUT	V	VOUT=1/2Vc±2V			@ VC
Tensión de salida cero	VQOV	V		1/2Vc		@IP=0A
Ganancia teórica	GTH	MV/A		5
Consumo de corriente	IC	Ma		7	10
Resistencia de carga	RL	kΩ	4,7	-	ilimitado	@VOUT a GND
Capacitancia de carga	C2	NF	-	1	10	@VOUT a GND
Condensador del filtro de potencia	C1	µF	-	-	-
Datos de rendimiento
Error de ganancia	G	%	-1		1	@TA=25
Desviación de temperatura del error de ganancia	TCG	%/ºC	-0,035		0,035	@TA -40ºC~125ºC.
Error de punto cero	VOE	MV		±15		@IP=0A
Desviación de temperatura de error cero	TCVOE	MV/ºC	-0,08		0,08	@TA -40ºC~125ºC.
Tensión de offset magnético	VOM	MV	-	5	-
Error no lineal	L	% de IPN	-1		1	@TA=25,excluir  VOE cero
Tiempo de respuesta	tr	µs		6	8
Ancho de banda ( -3dB)	BW	KHz		50
La corriente sigue a di /dt	di/dt	A/µS	50
Cambio de fase	∅	grado		-
Ruido de salida	VNO pp	MV		-
Datos generales
Temperatura ambiente de funcionamiento	TA	ºC	-40….+125
Temperatura ambiente de almacenamiento	TS	ºC	-55….+125
Masa	m	g	aprox. 22

ESPECIFICACIÓN HS11C-500A-P.

Parámetro	Símbolo	Unidad	Mín	Típ	Máx	Comentario
Datos eléctricos
Rango de medición de corriente primaria	IPN	R	-500		500
Tensión de alimentación	VC	V	4,5	5,0	5,5
Tensión de salida	VOUT	V	VOUT=1/2Vc±2V			@ VC
Tensión de salida cero	VQOV	V		1/2Vc		@IP=0A
Ganancia teórica	GTH	MV/A		4
Consumo de corriente	IC	Ma		7	10
Resistencia de carga	RL	kΩ	4,7	-	ilimitado	@VOUT a GND
Capacitancia de carga	C2	NF	-	1	10	@VOUT a GND
Condensador del filtro de potencia	C1	µF	-	-	-
Datos de rendimiento
Error de ganancia	G	%	-1		1	@TA=25
Desviación de temperatura del error de ganancia	TCG	%/ºC	-0,035		0,035	@TA -40ºC~125ºC.
Error de punto cero	VOE	MV		±15		@IP=0A
Desviación de temperatura de error cero	TCVOE	MV/ºC	-0,08		0,08	@TA -40ºC~125ºC.
Tensión de offset magnético	VOM	MV	-	5	-
Error no lineal	L	% de IPN	-1		1	@TA=25,excluir  VOE cero
Tiempo de respuesta	tr	µs		6	8
Ancho de banda ( -3dB)	BW	KHz		50
La corriente sigue a di /dt	di/dt	A/µS	50
Cambio de fase	∅	grado		-
Ruido de salida	VNO pp	MV		-
Datos generales
Temperatura ambiente de funcionamiento	TA	ºC	-40….+125
Temperatura ambiente de almacenamiento	TS	ºC	-55….+125
Masa	m	g	aprox. 22

ESPECIFICACIÓN HS11C-600A-P.

Parámetro	Símbolo	Unidad	Mín	Típ	Máx	Comentario
Datos eléctricos
Rango de medición de corriente primaria	IPN	R	-600		600
Tensión de alimentación	VC	V	4,5	5,0	5,5
Tensión de salida	VOUT	V	VOUT=1/2Vc±2V			@ VC
Tensión de salida cero	VQOV	V		1/2Vc		@IP=0A
Ganancia teórica	GTH	MV/A		3,333
Consumo de corriente	IC	Ma		7	10
Resistencia de carga	RL	kΩ	4,7	-	ilimitado	@VOUT a GND
Capacitancia de carga	C2	NF	-	1	10	@VOUT a GND
Condensador del filtro de potencia	C1	µF	-	-	-
Datos de rendimiento
Error de ganancia	G	%	-1		1	@TA=25
Desviación de temperatura del error de ganancia	TCG	%/ºC	-0,035		0,035	@TA -40ºC~125ºC.
Error de punto cero	VOE	MV		±15		@IP=0A
Desviación de temperatura de error cero	TCVOE	MV/ºC	-0,08		0,08	@TA -40ºC~125ºC.
Tensión de offset magnético	VOM	MV	-	5	-
Error no lineal	L	% de IPN	-1		1	@TA=25,excluir  VOE cero
Tiempo de respuesta	tr	µs		6	8
Ancho de banda ( -3dB)	BW	KHz		50
La corriente sigue a di /dt	di/dt	A/µS	50
Cambio de fase	∅	grado		-
Ruido de salida	VNO pp	MV		-
Datos generales
Temperatura ambiente de funcionamiento	TA	ºC	-40….+125
Temperatura ambiente de almacenamiento	TS	ºC	-55….+125
Masa	m	g	aprox. 22

ESPECIFICACIÓN HS11C-700A-P.

Parámetro	Símbolo	Unidad	Mín	Típ	Máx	Comentario
Datos eléctricos
Rango de medición de corriente primaria	IPN	R	-700		700
Tensión de alimentación	VC	V	4,5	5,0	5,5
Tensión de salida	VOUT	V	VOUT=1/2Vc±2V			@ VC
Tensión de salida cero	VQOV	V		1/2Vc		@IP=0A
Ganancia teórica	GTH	MV/A		2,857
Consumo de corriente	IC	Ma		7	10
Resistencia de carga	RL	kΩ	4,7	-	ilimitado	@VOUT a GND
Capacitancia de carga	C2	NF	-	1	10	@VOUT a GND
Condensador del filtro de potencia	C1	µF	-	-	-
Datos de rendimiento
Error de ganancia	G	%	-1		1	@TA=25
Desviación de temperatura del error de ganancia	TCG	%/ºC	-0,035		0,035	@TA -40ºC~125ºC.
Error de punto cero	VOE	MV		±15		@IP=0A
Desviación de temperatura de error cero	TCVOE	MV/ºC	-0,08		0,08	@TA -40ºC~125ºC.
Tensión de offset magnético	VOM	MV	-	5	-
Error no lineal	L	% de IPN	-1		1	@TA=25,excluir  VOE cero
Tiempo de respuesta	tr	µs		6	8
Ancho de banda ( -3dB)	BW	KHz		50
La corriente sigue a di /dt	di/dt	A/µS	50
Cambio de fase	∅	grado		-
Ruido de salida	VNO pp	MV		-
Datos generales
Temperatura ambiente de funcionamiento	TA	ºC	-40….+125
Temperatura ambiente de almacenamiento	TS	ºC	-55….+125
Masa	m	g	aprox. 22

HS11C-800A - ESPECIFICACIÓN P.

Parámetro	Símbolo	Unidad	Mín	Típ	Máx	Comentario
Datos eléctricos
Rango de medición de corriente primaria	IPN	R	-800		800
Tensión de alimentación	VC	V	4,5	5,0	5,5
Tensión de salida	VOUT	V	VOUT=1/2Vc±2V			@ VC
Tensión de salida cero	VQOV	V		1/2Vc		@IP=0A
Ganancia teórica	GTH	MV/A		2,5
Consumo de corriente	IC	Ma		7	10
Resistencia de carga	RL	kΩ	4,7	-	ilimitado	@VOUT a GND
Capacitancia de carga	C2	NF	-	1	10	@VOUT a GND
Condensador del filtro de potencia	C1	µF	-	-	-
Datos de rendimiento
Error de ganancia	G	%	-1		1	@TA=25
Desviación de temperatura del error de ganancia	TCG	%/ºC	-0,035		0,035	@TA -40ºC~125ºC.
Error de punto cero	VOE	MV		±15		@IP=0A
Desviación de temperatura de error cero	TCVOE	MV/ºC	-0,08		0,08	@TA -40ºC~125ºC.
Tensión de offset magnético	VOM	MV	-	5	-
Error no lineal	L	% de IPN	-1		1	@TA=25,excluir  VOE cero
Tiempo de respuesta	tr	µs		6	8
Ancho de banda ( -3dB)	BW	KHz		50
La corriente sigue a di /dt	di/dt	A/µS	50
Cambio de fase	∅	grado		-
Ruido de salida	VNO pp	MV		-
Datos generales
Temperatura ambiente de funcionamiento	TA	ºC	-40….+125
Temperatura ambiente de almacenamiento	TS	ºC	-55….+125
Masa	m	g	aprox. 22

HS11C-900A - ESPECIFICACIÓN P.

Parámetro	Símbolo	Unidad	Mín	Típ	Máx	Comentario
Datos eléctricos
Rango de medición de corriente primaria	IPN	R	-900		900
Tensión de alimentación	VC	V	4,5	5,0	5,5
Tensión de salida	VOUT	V	VOUT=1/2Vc±2V			@ VC
Tensión de salida cero	VQOV	V		1/2Vc		@IP=0A
Ganancia teórica	GTH	MV/A		2,222
Consumo de corriente	IC	Ma		7	10
Resistencia de carga	RL	kΩ	4,7	-	ilimitado	@VOUT a GND
Capacitancia de carga	C2	NF	-	1	10	@VOUT a GND
Condensador del filtro de potencia	C1	µF	-	-	-
Datos de rendimiento
Error de ganancia	G	%	-1		1	@TA=25
Desviación de temperatura del error de ganancia	TCG	%/ºC	-0,035		0,035	@TA -40ºC~125ºC.
Error de punto cero	VOE	MV		±15		@IP=0A
Desviación de temperatura de error cero	TCVOE	MV/ºC	-0,08		0,08	@TA -40ºC~125ºC.
Tensión de offset magnético	VOM	MV	-	5	-
Error no lineal	L	% de IPN	-1		1	@TA=25,excluir  VOE cero
Tiempo de respuesta	tr	µs		6	8
Ancho de banda ( -3dB)	BW	KHz		50
La corriente sigue a di /dt	di/dt	A/µS	50
Cambio de fase	∅	grado		-
Ruido de salida	VNO pp	MV		-
Datos generales
Temperatura ambiente de funcionamiento	TA	ºC	-40….+125
Temperatura ambiente de almacenamiento	TS	ºC	-55….+125
Masa	m	g	aprox. 22

Nota:

1. La tensión de salida Uout , la tensión de offset UQOV y la sensibilidad GTH son completamente proporcionales a la fuente de alimentación VC;

 

1. La frecuencia de la corriente que se va a medir debe limitarse dentro de la banda de frecuencia del sensor, de lo contrario el núcleo y el chip se sobrecalentarán;

 

1. Un cableado incorrecto puede dañar el sensor ;

Datos de aislamiento:                        
 

Parámetro	Símbolo	Unidad	Valor	Comentario
Prueba de tensión de resistencia de aislamiento ac RMS a 50Hz, 1 min	UD	KV	3
Tensión de resistencia de impulso 1,2/50uS	UW	KV	-
Material de vaciado	-	-	UL94-V0	PBT+30% GF
Índice de seguimiento relativo	CTI	-	-
Distancia de fuga	DCP	mm	-
holgura eléctrica	DCI	mm	-

Límite máximo:
 

Parámetro	Símbolo	Unidad	Valor
Tensión de alimentación	VC	V	6
Corriente de salida (salida en cortocircuito a tierra)	Iout	Ma	10
Descarga electrostática - descarga de contacto	VESD	V	4000