Sensor/transductor de corriente serie HS10r-a-P.

• Tipo: Tipo de Salón
• Tipo de salida de señal: Salida analógica
• Proceso De Producción: Integración
• Material: Plástico
• Exactitud Grado: 0.1G
• Aplicación: Fuente de alimentación conmutada
• No. de Modelo.: HS10R
• Personalizado: Personalizado
• Paquete de Transporte: Carton
• Especificación: 38.5*22*24.6cm
• Marca Comercial: TRANSFAR
• Origen: China
• Código del HS: 9030339000
• Capacidad de Producción: 100000 Pieces Per Year

Descripción de Producto

SENSOR/TRANSDUCTOR DE CORRIENTE SERIE HS10R-A-P.


DESCRIPCIÓN:

Para la medición electrónica de corriente: CC, CA, pulsada..., con separación galvánica entre el circuito primario y el secundario.

CARACTERÍSTICAS:

 Bucle abierto utilizando el efecto Hall ASIC  
 Separación galvánica entre el circuito primario y el secundario
 Bajo consumo de energía
 Amplia gama
 Sin pérdida de inserción
 Materias primas reconocidas según UL 94-V0


APLICACIONES:

  Inversor fotovoltaico
  Sistema de alimentación ininterrumpida (SAI)
  Convertidor estático accionado por motor de CC
  Alimentación de conmutación (SMPS)
  Fuentes de alimentación para aplicaciones de soldadura


LISTA DE MODELOS:

MODELO de producto
Modelo	Corriente nominal de entrada IPN (A)	Rango de medición de IPM (A)
HS10R-10A-P	10	±25
HS10R-16A-P	16	±40
HS10R-20A-P	20	±50
HS10R-32A-P	32	±80
HS10R-40A-P	40	±100
HS10R-50A-P	50	±125

ESPECIFICACIÓN HS10R-10A-P.

Parámetro	Símbolo	Unidad	Mín	Típ	Máx	Observaciones
Datos eléctricos
Rango de medición de corriente primaria	IPN	R	-10		10
Tensión de alimentación	VC	V	4,5	5,0	5,5
Tensión de salida	VOUT	V	VOUT=(VC/5) x (2,5+GTH x IPN)			@ VC
Tensión de salida cero	VQOV	V	2,495	2,5	2,505	@VC=5 e  IPN=0A
Tensión de referencia	Vref	V	2,48	2,5	2,52
Ganancia teórica	GTH	MV/A		80
Consumo de corriente	IC	Ma	-	18	25
Resistencia de carga	RL	kΩ	5	-	ilimitado	@VOUT a GND
Capacitancia de carga	C2	NF	-	1	10
Condensador del filtro de potencia	C1	µF	-	-	0,1
Datos de rendimiento
Error de ganancia	G	%	-1		1
Desviación de temperatura del error de ganancia	TCG	%	-2,5		2,5	@TA -40ºC~105ºC.
Tensión de offset cero	VOE	MV	-5		5	Vout-Vref@Vref=2,5V IPN=0
Desviación de temperatura de error cero	TCVOE	MV	-12		12	@TA -40ºC~105ºC.
Tensión de offset magnético	VOM	MV		±2		@TA=25@VC=5V después de±IPN
Error no lineal	L	%de  IPN	-0,5		0,5	Excluir VOE cero
Tiempo de respuesta	tr	µs		3,6	-	@Bstep=400G,CL=1nF
Ancho de banda ( -3dB)	BW	KHz		200
Cambio de fase	∅	grado		-
Ruido de salida	VNO pp	MV		10		@DC a 200kHz
Datos generales
Temperatura ambiente de funcionamiento	TA	ºC	-40….+105
Temperatura ambiente de almacenamiento	TS	ºC	-55….+125
Masa	m	g	aprox. 5

ESPECIFICACIÓN HS10R-16A-P.

Parámetro	Símbolo	Unidad	Mín	Típ	Máx	Observaciones
Datos eléctricos
Rango de medición de corriente primaria	IPN	R	-16		16
Tensión de alimentación	VC	V	4,5	5,0	5,5
Tensión de salida	VOUT	V	VOUT=(VC/5) x (2,5+GTH x IPN)			@ VC
Tensión de salida cero	VQOV	V	2,495	2,5	2,505	@VC=5 e  IPN=0A
Tensión de referencia	Vref	V	2,48	2,5	2,52
Ganancia teórica	GTH	MV/A		50
Consumo de corriente	IC	Ma	-	18	25
Resistencia de carga	RL	kΩ	5	-	ilimitado	@VOUT a GND
Capacitancia de carga	C2	NF	-	1	10
Condensador del filtro de potencia	C1	µF	-	-	0,1
Datos de rendimiento
Error de ganancia	G	%	-1		1
Desviación de temperatura del error de ganancia	TCG	%	-2,5		2,5	@TA -40ºC~105ºC.
Tensión de offset cero	VOE	MV	-5		5	Vout-Vref@Vref=2,5V IPN=0
Desviación de temperatura de error cero	TCVOE	MV	-12		12	@TA -40ºC~105ºC.
Tensión de offset magnético	VOM	MV		±2		@TA=25@VC=5V después de±IPN
Error no lineal	L	% de IPN	-0,5		0,5	Excluir VOE cero
Tiempo de respuesta	tr	µs		3,6	-	@Bstep=400G,CL=1nF
Ancho de banda ( -3dB)	BW	KHz		200
Cambio de fase	∅	grado		-
Ruido de salida	VNO pp	MV		10		@DC a 200kHz
Datos generales
Temperatura ambiente de funcionamiento	TA	ºC	-40….+105
Temperatura ambiente de almacenamiento	TS	ºC	-55….+125
Masa	m	g	aprox. 5

ESPECIFICACIÓN HS10R-20A-P.

Parámetro	Símbolo	Unidad	Mín	Típ	Máx	Observaciones
Datos eléctricos
Rango de medición de corriente primaria	IPN	R	-20		20
Tensión de alimentación	VC	V	4,5	5,0	5,5
Tensión de salida	VOUT	V	VOUT=(VC/5) x (2,5+GTH x IPN)			@ VC
Tensión de salida cero	VQOV	V	2,495	2,5	2,505	@VC=5 e  IPN=0A
Tensión de referencia	Vref	V	2,48	2,5	2,52
Ganancia teórica	GTH	MV/A		40
Consumo de corriente	IC	Ma	-	18	25
Resistencia de carga	RL	kΩ	5	-	ilimitado	@VOUT a GND
Capacitancia de carga	C2	NF	-	1	10
Condensador del filtro de potencia	C1	µF	-	-	0,1
Datos de rendimiento
Error de ganancia	G	%	-1		1
Error de desviación de temperatura de ganancia	TCG	%	-2,5		2,5	@TA -40ºC~105ºC.
Tensión de offset cero	VOE	MV	-5		5	Vout-Vref@Vref=2,5V IPN=0
Error de desviación de temperatura de cero	TCVOE	MV	-12		12	@TA -40ºC~105ºC.
Tensión de offset magnético	VOM	MV		±2		@TA=25@VC=5V después de±IPN
Error no lineal	L	% de IPN	-0,5		0,5	Excluir  VOE cero
Tiempo de respuesta	tr	µs		3,6	-	@Bstep=400G,CL=1nF
Ancho de banda ( -3dB)	BW	KHz		200
Cambio de fase	∅	grado		-
Ruido de salida	VNO pp	MV		10		@DC a 200kHz
Datos generales
Temperatura ambiente de funcionamiento	TA	ºC	-40….+105
Temperatura ambiente de almacenamiento	TS	ºC	-55….+125
Masa	m	g	aprox. 5

ESPECIFICACIÓN HS10R-32A-P.

Parámetro	Símbolo	Unidad	Mín	Típ	Máx	Observaciones
Datos eléctricos
Rango de medición de corriente primaria	IPN	R	-32		32
Tensión de alimentación	VC	V	4,5	5,0	5,5
Tensión de salida	VOUT	V	VOUT=(VC/5) x (2,5+GTH x IPN)			@ VC
Tensión de salida cero	VQOV	V	2,495	2,5	2,505	@VC=5 e  IPN=0A
Tensión de referencia	Vref	V	2,48	2,5	2,52
Ganancia teórica	GTH	MV/A		25
Consumo de corriente	IC	Ma	-	18	25
Resistencia de carga	RL	kΩ	5	-	ilimitado	@VOUT a GND
Capacitancia de carga	C2	NF	-	1	10
Condensador del filtro de potencia	C1	µF	-	-	0,1
Datos de rendimiento
Error de ganancia	G	%	-1		1
Error de desviación de temperatura de ganancia	TCG	%	-2,5		2,5	@TA -40ºC~105ºC.
Tensión de offset cero	VOE	MV	-5		5	Vout-Vref@Vref=2,5V IPN=0
Error de desviación de temperatura de cero	TCVOE	MV	-12		12	@TA -40ºC~105ºC.
Tensión de offset magnético	VOM	MV		±2		@TA=25@VC=5V después de±IPN
Error no lineal	L	% de IPN	-0,5		0,5	Excluir  VOE cero
Tiempo de respuesta	tr	µs		3,6	-	@Bstep=400G,CL=1nF
Ancho de banda ( -3dB)	BW	KHz		200
Cambio de fase	∅	grado		-
Ruido de salida	VNO pp	MV		10		@DC a 200kHz
Datos generales
Temperatura ambiente de funcionamiento	TA	ºC	-40….+105
Temperatura ambiente de almacenamiento	TS	ºC	-55….+125
Masa	m	g	aprox. 5

ESPECIFICACIÓN HS10R-40A-P.

Parámetro	Símbolo	Unidad	Mín	Típ	Máx	Observaciones
Datos eléctricos
Rango de medición de corriente primaria	IPN	R	-40		40
Tensión de alimentación	VC	V	4,5	5,0	5,5
Tensión de salida	VOUT	V	VOUT=(VC/5) x (2,5+GTH x IPN)			@ VC
Tensión de salida cero	VQOV	V	2,495	2,5	2,505	@VC=5 e  IPN=0A
Tensión de referencia	Vref	V	2,48	2,5	2,52
Ganancia teórica	GTH	MV/A		20
Consumo de corriente	IC	Ma	-	18	25
Resistencia de carga	RL	kΩ	5	-	ilimitado	@VOUT a GND
Capacitancia de carga	C2	NF	-	1	10
Condensador del filtro de potencia	C1	µF	-	-	0,1
Datos de rendimiento
Error de ganancia	G	%	-1		1
Error de desviación de la temperatura de ganancia	TCG	%	-2,5		2,5	@TA -40ºC~105ºC.
Tensión de offset cero	VOE	MV	-5		5	Vout-Vref@Vref=2,5V IPN=0
Desviación de temperatura de error cero	TCVOE	MV	-12		12	@TA -40ºC~105ºC.
Tensión de offset magnético	VOM	MV		±2		@TA=25@VC=5V después de±IPN
Error no lineal	L	% de IPN	-0,5		0,5	Excluir  VOE cero
Tiempo de respuesta	tr	µs		3,6	-	@Bstep=400G,CL=1nF
Ancho de banda ( -3dB)	BW	KHz		200
Cambio de fase	∅	grado		-
Ruido de salida	VNO pp	MV		10		@DC a 200kHz
Datos generales
Temperatura ambiente de funcionamiento	TA	ºC	-40….+105
Temperatura ambiente de almacenamiento	TS	ºC	-55….+125
Masa	m	g	aprox. 5

ESPECIFICACIÓN HS10R-50A-P.

Parámetro	Símbolo	Unidad	Mín	Típ	Máx	Observaciones
Datos eléctricos
Rango de medición de corriente primaria	IPN	R	-50		50
Tensión de alimentación	VC	V	4,5	5,0	5,5
Tensión de salida	VOUT	V	VOUT=(VC/5) x (2,5+GTH x IPN)			@VC
Tensión de salida cero	VQOV	V	2,495	2,5	2,505	@VC=5 e  IPN=0A
Tensión de referencia	Vref	V	2,48	2,5	2,52
Ganancia teórica	GTH	MV/A		16
Consumo de corriente	IC	Ma	-	18	25
Resistencia de carga	RL	kΩ	5	-	ilimitado	@VOUT a GND
Capacitancia de carga	C2	NF	-	1	10
Condensador del filtro de potencia	C1	µF	-	-	0,1
Datos de rendimiento
Error de ganancia	G	%	-1		1
Error de desviación de la temperatura de ganancia	TCG	%	-2,5		2,5	@TA -40ºC~105ºC.
Tensión de offset cero	VOE	MV	-5		5	Vout-Vref@Vref=2,5V IPN=0
Error de desviación de temperatura de cero	TCVOE	MV	-12		12	@TA -40ºC~105ºC.
Tensión de offset magnético	VOM	MV		±2		@TA=25@VC=5V después de±IPN
Error no lineal	L	% de IPN	-0,5		0,5	Excluir  VOE cero
Tiempo de respuesta	tr	µs		3,6	-	@Bstep=400G,CL=1nF
Ancho de banda ( -3dB)	BW	KHz		200
Cambio de fase	∅	grado		-
Ruido de salida	VNO pp	MV		10		@DC a 200kHz
Datos generales
Temperatura ambiente de funcionamiento	TA	ºC	-40….+105
Temperatura ambiente de almacenamiento	TS	ºC	-55….+125
Masa	m	g	aprox. 5

Nota:

1. La tensión de salida Uout , la tensión de desviación UQOV y la sensibilidad GTH son completamente proporcionales a la fuente de alimentación VC;

 

1. La frecuencia de la corriente que se va a medir debe limitarse dentro de la banda de frecuencia del sensor, de lo contrario el núcleo y el chip se sobrecalentarán;

 

1. Un cableado incorrecto puede dañar el sensor.

Datos de aislamiento:                        
 

Parámetro	Símbolo	Unidad	Valor	Observaciones
Prueba de tensión de resistencia de aislamiento ac RMS a 50Hz, 1min	UD	KV	4,3
Tensión de resistencia de impulso 1,2/50uS	UW	KV	8
Material de vaciado	-	-	UL94-V0	PA66+30% GF
Índice de seguimiento relativo	CTI	-	-
Distancia de fuga	DCP	mm	>8
Holgura eléctrica	DCI	mm	>8

Límite máximo:
 

Parámetro	Símbolo	Unidad	Valor
Tensión de alimentación	VC	V	8
Corriente de salida (salida en cortocircuito a tierra)	Iout	Ma	2,8
Descarga electrostática - descarga de contacto	VESD	V	2000