• Oblea de carburo de silicio pulido doble de 4/6 pulgadas Z Grado P Oblea de tipo N grado D.
  • Oblea de carburo de silicio pulido doble de 4/6 pulgadas Z Grado P Oblea de tipo N grado D.
  • Oblea de carburo de silicio pulido doble de 4/6 pulgadas Z Grado P Oblea de tipo N grado D.
  • Oblea de carburo de silicio pulido doble de 4/6 pulgadas Z Grado P Oblea de tipo N grado D.
  • Oblea de carburo de silicio pulido doble de 4/6 pulgadas Z Grado P Oblea de tipo N grado D.
  • Oblea de carburo de silicio pulido doble de 4/6 pulgadas Z Grado P Oblea de tipo N grado D.
Favoritos

Oblea de carburo de silicio pulido doble de 4/6 pulgadas Z Grado P Oblea de tipo N grado D.

Tecnología de Fabricación: Chemical Vapor Deposition
Material: Sic
Tipo: Semiconductor de Tipo N
Paquete: Custom
Procesamiento De La Señal: No
Aplicación: Semiconductor

Contactar al Proveedor

Miembro de Oro Desde 2023

Proveedores con licencias comerciales verificadas

Hebei, China
Importadores y Exportadores
El proveedor tiene derechos de importación y exportación.
Equipo experimentado
El proveedor cuenta con 6 personal(es) de comercio exterior y 6 personal(es) con más de 6 años de experiencia en comercio exterior.
Entrega Rápida
El proveedor puede entregar la mercancía en 30 días
Personalización Completa
El proveedor proporciona servicios completos de personalización.
para ver todas las etiquetas de fortaleza verificadas (14)

Información Básica.

No. de Modelo.
silicon carbide
Modelo
4h-N
Número De Lote
No
Marca
No
grado
grado p & d.
especificaciones
4 pulgadas 6 pulgadas etc
materia prima
6n sic
tipos
n o si
Paquete de Transporte
Foam Bag
Especificación
4 6 inches
Marca Comercial
No
Origen
China
Código del HS
3818009000
Capacidad de Producción
3000 PCS

Descripción de Producto

Detalles del producto
El carburo de silicio (SiC),  es conocido como el material principal del semiconductor de tercera generación.  Tiene muchas  características sobresalientes, como alta tensión, alta frecuencia, gran ancho de banda, alta conductividad térmica,  campo eléctrico de alta ruptura y  tasa de saturación de electrones.

Especificación ( sustrato SiC)
Especificaciones 4  pulgadas 6 pulgadas
Diámetro 100,0 mm +0,0/-0,5mm 150mm/153mm +0,0/-0,5mm
Grosor 500,0  μm ± 25,0 μm     o    350,0 μm ± 25,0 μm
 
Double Polished Silicon Carbide Wafer 4/6 Inch Z Grade P Grade D Grade N-Type Sic WaferAcerca de parámetro: SOLO se enumeran las especificaciones de 4 pulgadas y 6 pulgadas; para otras especificaciones, por favor no dude en contactarnos para más detalles.
Sobre pedidos: Podemos procesar según las necesidades del cliente de especificaciones específicas, precisión, etc.


 
Double Polished Silicon Carbide Wafer 4/6 Inch Z Grade P Grade D Grade N-Type Sic Wafer
Double Polished Silicon Carbide Wafer 4/6 Inch Z Grade P Grade D Grade N-Type Sic Wafer
Double Polished Silicon Carbide Wafer 4/6 Inch Z Grade P Grade D Grade N-Type Sic Wafer
 
Paquete de producto
Double Polished Silicon Carbide Wafer 4/6 Inch Z Grade P Grade D Grade N-Type Sic Wafer
Double Polished Silicon Carbide Wafer 4/6 Inch Z Grade P Grade D Grade N-Type Sic Wafer
Double Polished Silicon Carbide Wafer 4/6 Inch Z Grade P Grade D Grade N-Type Sic Wafer
 
Aplicación
Double Polished Silicon Carbide Wafer 4/6 Inch Z Grade P Grade D Grade N-Type Sic Wafer

Tenemos carburo de silicio negro y verde, que incluye no solo grado de abrasivos, sino también grado de metalurgia, grado refractario, y alta pureza 4N 5N 6N SiC.
Perfil de la empresa

Baotong Silicon Carbide New material Co., Ltd. Es una empresa de carburo de silicio que integra la producción, el procesamiento y las ventas. Nuestro fabricante tiene una línea de producción de fundición de carburo de silicio negro 26000Kva y 12500kva, y está equipado con equipos de procesamiento de polvo fino y arena de segmento, que pueden personalizarse de acuerdo con los requisitos del cliente. Granularidad de procesamiento.

Para satisfacer aún más las necesidades de nuestros clientes de carburo de silicio, Baotong ha construido una nueva línea de producción de fundición de carburo de silicio 40000Kva, que se ha puesto en uso, y la producción mensual de bloques de carburo de silicio ha alcanzado las 6000-7000 toneladas.

Double Polished Silicon Carbide Wafer 4/6 Inch Z Grade P Grade D Grade N-Type Sic Wafer
 
Nuestras ventajas
• Precio competitivo
• muchas especificaciones Stock de mercancías
• más de 40 Socios estables en todo el mundo
• 11 años de experiencia en producción y exportación
• Mature I+D & QC teams para asegurar el buen & Calidad estable
Recepción de clientes
Double Polished Silicon Carbide Wafer 4/6 Inch Z Grade P Grade D Grade N-Type Sic Wafer
PREGUNTAS FRECUENTES
Q1: ¿es usted empresa comercial o fabricante?
R: Somos fabricante.

Q2: ¿las muestras son libres o no?
R: La muestra puede ser gratuita. Solo el envío debe ser pagado por su lado.  

Q3. ¿puedes personalizar el tamaño de grano o los parámetros de acuerdo a mi requerimiento?
R: Sí, podemos personalizar.

Q4. ¿Prueba todos sus productos antes de la entrega?
R: Tenemos laboratorios para probar las propiedades químicas y físicas de nuestro SiC. Probaremos repetidamente durante la producción y antes del envío para garantizar que el producto cumple con las normas establecidas.

 
Esperamos recibir su consulta.
Por favor, no dude en preguntarme si tiene alguna pregunta. Gracias

Enviar directamente tu consulta a este proveedor

*De:
*A:
*Mensaje:

Pone entre 20 y 4000 caracteres.

Esto no es lo que buscas? Publique Solicitud de Compra Ahora

Buscar Productos Similares Por Categoría

Página Web del Proveedor Productos Sustrato SIC Oblea de carburo de silicio pulido doble de 4/6 pulgadas Z Grado P Oblea de tipo N grado D.

Também Poderá Querer

Contactar al Proveedor

Miembro de Oro Desde 2023

Proveedores con licencias comerciales verificadas

Fabricante/Fábrica
Área de la Planta
101~500 Metros Cuadrados