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7n02SA de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N Componente Original Sot piezas23 20V 7A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Alta tensión de alta calidad de canal N 5.5A GX730 400V-220 transistor Mosfet componente original

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

2306ansa de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N Componente Original Sot piezas23 30V de 3,16 A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa65R190 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 650V 20A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx20n50 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original de las piezas-3p 500V 0A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: triodo de potencia,Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Wgd65R700 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original de piezas de 650V251 7A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx8n60 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original de las piezas de 7,5 A 600V220

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx10n80 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original a220f partes 800V 10A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa740 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 400V 11,4UN

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Wgd60R450 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A251 Partes 600V 10A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx16n50 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 500V 16A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: triodo de potencia,Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa65R500 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A251 Partes 650V10A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
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Wgd65R950 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A251 Partes 650V5a

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx2n65 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 650V 2A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
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Ppa36n20 de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 200V 36A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Psa 3003P de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal componente original Sot23 Partes -30V -3A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa9n25 de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 250V 8.1A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx830 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original a-220 Partes 500V 4.5A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx3n80 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A251 de 800V 3A de piezas

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
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2309El psa de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal P Componente Original Sot23 Partes -60V-2A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx12n65 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 650V 12A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa65R300 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A251 Partes 650V 15A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

0615esa baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N Componente Original Sot piezas23 70V de 0,1

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx18n65 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original a220f partes 650V 18A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Wgu2n20 de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N Componente Original Sot23 Partes 200V 2A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx20n60 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original a220f partes 600V 20A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx9n90 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original a3p las piezas a 900V 8A.

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
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Gx8n80 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 800V 8A.

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
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Ppa634 de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 250V 8.1A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
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Gx24n50 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original de las piezas-3p 500V 24A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: triodo de potencia,Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
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