| Personalización: | Disponible |
|---|---|
| Aplicación: | cerámica industrial, electrónica de potencia |
| Material: | cerámica de alúmina |
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Beryllia/cerámica la cerámica de óxido de berilio
Cerámica de óxido de berilio son cerámicas con óxido de berilio como componente principal. Utiliza principalmente como sustrato para los grandes circuitos integrados, de gas de alta potencia tubos láser de disipador de calor, los depósitos para los transistores de salida de microondas, Windows y moderadores de neutrones.
Características de la cerámica de óxido de berilio
Óxido de berilio puro (BeO) pertenece al sistema de cristales cúbicos, y su densidad es de 3.03g/cm3. El punto de fusión es de 2570ºC, tiene una alta conductividad térmica, la conductividad térmica λ es 200-250W/(m.K), y tiene buena resistencia a choques térmicos. Cerámica de óxido de berilio están hechos de polvo de óxido de berilio como materia prima, alúmina y otros ingredientes se agregan y se sinterizan a alta temperatura.
El rango de temperatura de fusión del óxido de berilio es 2530ºC~2570ºC, y su densidad teórica es de 3,02g/cm3. Puede ser utilizado durante mucho tiempo en los 1800ºC en el vacío, 2000ºC en gas inerte, y 1800ºC en la atmósfera oxidante. ºC a volatilizarse. La más destacada actuación de cerámica de óxido de berilio es su gran conductividad térmica, que es similar al de metal y aluminio de 6 a 10 veces mayor que el óxido de aluminio. Se trata de un material dieléctrico con singular eléctricas, térmicas y mecánicas.
La aplicación de la cerámica de óxido de berilio
Cerámica de óxido de berilio son ampliamente utilizados en la tecnología de microondas, la tecnología de vacío eléctrica, la tecnología nuclear, la microelectrónica por su alta conductividad térmica, alto punto de fusión, la fuerza, el aislamiento de alta, baja constante dieléctrica, pérdida dieléctrica baja y un buen proceso de empaquetado, la adaptabilidad. Ha sido valorado y aplicado en el campo de la tecnología de la optoelectrónica, especialmente en los dispositivos semiconductores de alta potencia, circuitos integrados de alta potencia, alta potencia microondas dispositivos de vacío y los reactores nucleares. Siempre ha sido el principal material cerámico para la preparación de los componentes de alta conductividad térmica.
Los datos de la técnica de cerámica de óxido de berilio
| El tema | Condiciones de prueba | La especificación | Unidad | |
| B-97 | B-99 | |||
| La constante dieléctrica | 1MHz | 6.90.4 | 6.90.4 | |
| (100.5)GHz | ||||
| La tangente de pérdida dieléctrica | 1MHz | ≤4X 10-4 | ≤4X 10-4 | |
| (100.5)GHz | ≤8 x 10-4 | ≤8 x 10-4 | ||
| La resistividad de volumen | 25º C. | ≥1014 | ≥1014 | Ω.cm. |
| 300ºC | ≥10" | ≥10" | ||
| La fuerza de desglose | D C | ≥15 | ≥20 | KV/mm |
| CMOR | - | ≥170 | ≥190 | MPa |
| Coeficiente de dilatación lineal media | 25ºC~500ºC | (7.0~8.5)*10-4 | (7.0~8.5)*10-4 | I/K |
| Conductividad térmica | 25º C. | ≥200 | ≥240 | W/m.K |
| 100ºC | ≥160 | ≥190 | ||
| El choque térmico resistencia | Los 0ºC-800ºC | No debería haber grietas | ||
| La densidad aparente | ≥2.85 | ≥2.85 | G/cm3 | |
| La estabilidad química | 1:9HCL | ≤0.3 | ≤0.3 | Mg/cm2 |
| El 10% de NaOH | ≤0.2 | ≤0.2 | ||
| Estanqueidad | - | ≤10*10-11 | ≤10*10-11 | Pa. m3/seg. |
| El tamaño de grano medio | - | 12~30 | 12~30 | Μm |
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