| Personalización: | Disponible |
|---|---|
| Proceso de dar un título: | CE, ISO, bv |
| Solicitud: | Caucho, El plastico, Químico, Construcción, Metalurgia, Cerámico, Fundición, Vaso, astronomía, medicina, biología, comunicación, milil |
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| Punto de ablandamiento | 1585 °C (107,6 poises) |
| El punto de recocido | 1042 ºC (1013 poises) |
| Punto de cepa | 893 ºC (1014.5 poises) |
| Conductividad térmica | 1,30 W/m K |
| Difusividad térmica | 0,0075 cm2/seg. |
| La media C.T.E. | 0,52 ppm/K 5 ° C-35°C. 0,57 ppm/K 0 ° C-200°C. 0,48 ppm/K -100°C-200°C. |
| Elásticos (Young) Módulo | El 72,7 GPa |
| Módulo de cizallamiento | 31,4 GPa |
| Módulo medio de ruptura, estropeada | El 52,4 MPa |
| Módulo a granel | El 35,4 GPa |
| La relación de Poisson | 0.16 |
| Densidad | 2.201 g/cm3 |
| Dureza Knoop (100 g de carga). | 522 kg/mm2 |
| Solución | El tiempo | La pérdida de peso [mg/cm2] | |
| El 5% en peso de HCL | @95 °C. | 24 h. | < 0.010 |
| El 5% de NaOH | @95 °C. | 6 h | 0.453 |
| 0,02 N Na2CO3 | @95 °C. | 6 h | 0,065 |
| 0,02 N H2SO4 | @95 °C. | 24 h. | < 0.010 |
| H2O desionizada | @95 °C. | 24 h. | 0.015 |
| El 10% IC por peso | @25 °C. | 20 m. | 0.230 |
| El 10% de NH4F*HF por peso | @25 °C. | 20 m. | 0.220 |
| La aplicación de campos: | La aplicación de microlithography La litografía óptica, El sustrato Photomask Elemento láser ultravioleta profunda Las piezas estándar óptico La óptica láser Excimer Óptica litográfica Elemento de la transmisión de luz Guía de luz La fusión de láser Aplicación de las distintas tecnologías aeroespaciales |
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