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Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

Jiangsu, China
Tipo de Negocio:
Manufacturer/Factory & Trading Company
Productos Principales:
MOSFET , diodos , IGBT , transistor , tiristor , IC
Número de Empleados:
156
Año de Establecimiento:
2004-12-07
Certificación del Sistema de Gestión:
ISO9001:2015, ISO14001:2015, IATF16949
Plazo de Ejecución Medio:
Peak Season Lead Time: 1-3 months
Off Season Lead Time: one month
Servicio de OEM/ODM
Muestra Disponible
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Manufactura y proveedor chino de MOSFET, diodos, IGBT, transistor, tiristor, IC, ofreciendo 8A 650V modo de mejora de canal N MOSFET de potencia F8n65 a-220F, Mur6030nca Diodo de recuperación rápida 3p to-60A 300V, Mur6020nca Diodo de recuperación rápida 3PN to-60A 200V y así sucesivamente de calidad.

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Miembro Diamante Desde 2021

Proveedores con licencias comerciales verificadas
Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd
Committed to becoming a leader in
POWER SEMICONDUCTOR
Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd
Committed to becoming a leader in
POWER SEMICONDUCTOR
Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

DIODE

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80A 400V una rápida recuperación Diodo Mur80fu40DCT A-3p
80A 400V una rápida recuperación Diodo Mur80fu40DCT A-3p
Precio FOB: US$ 0,482 / Pieza
Pedido Mínimo: 5.000 Piezas
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20A 100V Diodo de barrera Schottky de FV baja Mbr20100CT a-220
20A 100V Diodo de barrera Schottky de FV baja Mbr20100CT a-220
Precio FOB: US$ 0,01-1,5 / Pieza
Pedido Mínimo: 5.000 Piezas
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Mur75120 Diodo de recuperación rápida 247 to-2L-75A 1200V
Mur75120 Diodo de recuperación rápida 247 to-2L-75A 1200V
Precio FOB: US$ 0,01-1,5 / Pieza
Pedido Mínimo: 5.000 Piezas
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Mbr40100CT Diodo de barrera Schottky 220 a-40A 100V
Mbr40100CT Diodo de barrera Schottky 220 a-40A 100V
Precio FOB: US$ 0,01-1,5 / Pieza
Pedido Mínimo: 5.000 Piezas
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10A 200V una rápida recuperación del diodo D92-02b-3p **%off
10A 200V una rápida recuperación del diodo D92-02b-3p **%off
Precio FOB: US$ 0,769-0,923 / Pieza
Pedido Mínimo: 1.800 Piezas
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80A 300V una rápida recuperación Diodo Mur80fu30bct A-247
80A 300V una rápida recuperación Diodo Mur80fu30bct A-247
Precio FOB: US$ 0,01-1,5 / Pieza
Pedido Mínimo: 5.000 Piezas
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15A 1200V una rápida recuperación Diodo Mur15fu120-220C-2L
15A 1200V una rápida recuperación Diodo Mur15fu120-220C-2L
Precio FOB: US$ 0,252 / Pieza
Pedido Mínimo: 5.000 Piezas
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Mbr40150CT Diodo de barrera Schottky 263 a-40A 150V
Mbr40150CT Diodo de barrera Schottky 263 a-40A 150V
Precio FOB: US$ 0,01-1,5 / Pieza
Pedido Mínimo: 5.000 Piezas
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MOSFET

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600V 12A modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 12n60 a-220
600V 12A modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 12n60 a-220
Precio FOB: US$ 0,01-1,5 / Pieza
Pedido Mínimo: 5.000 Piezas
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100a 68V modo de mejora de canal N MOSFET de potencia Dh100n06f to-220
100a 68V modo de mejora de canal N MOSFET de potencia Dh100n06f to-220
Precio FOB: US$ 0,148 / Pieza
Pedido Mínimo: 5.000 Piezas
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220F MOSFET de potencia de cruce Super de canal N Dhfsj7n65 to-7A 650V
220F MOSFET de potencia de cruce Super de canal N Dhfsj7n65 to-7A 650V
Precio FOB: US$ 0,01-1,5 / Pieza
Pedido Mínimo: 5.000 Piezas
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140A 90V modo de mejora de canal N MOSFET de potencia Dh140n09 a-220
140A 90V modo de mejora de canal N MOSFET de potencia Dh140n09 a-220
Precio FOB: US$ 0,01-1,5 / Pieza
Pedido Mínimo: 5.000 Piezas
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Dhs020n85 to-220 180A 85V modo de mejora de canal N MOSFET de potencia
Dhs020n85 to-220 180A 85V modo de mejora de canal N MOSFET de potencia
Precio FOB: US$ 0,01-1,5 / Pieza
Pedido Mínimo: 5.000 Piezas
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70V/6.3mΩ /100A modo de mejora de canal N MOSFET de potencia Dh070n07 to-220C
70V/6.3mΩ /100A modo de mejora de canal N MOSFET de potencia Dh070n07 to-220C
Precio FOB: US$ 0,01-1,5 / Pieza
Pedido Mínimo: 5.000 Piezas
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Dh045n04D to-252 120A 40V modo de mejora de canal N MOSFET de potencia
Dh045n04D to-252 120A 40V modo de mejora de canal N MOSFET de potencia
Pedido Mínimo: 5.000 Piezas
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650V 4A modo de mejora de canal N MOSFET de potencia D4n65 a-252
650V 4A modo de mejora de canal N MOSFET de potencia D4n65 a-252
Precio FOB: US$ 0,01-1,5 / Pieza
Pedido Mínimo: 5.000 Piezas
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IGBT

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Transistor bipolar de puerta aislada IGBT G70n65D to-247
Transistor bipolar de puerta aislada IGBT G70n65D to-247
Precio FOB: US$ 0,01-1,5 / Pieza
Pedido Mínimo: 5.000 Piezas
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Transistor Bipolar de Puerta Aislada IGBT G60T65D-3p
Transistor Bipolar de Puerta Aislada IGBT G60T65D-3p
Precio FOB: US$ 0,01-0,2 / Pieza
Pedido Mínimo: 5.000 Piezas
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Transistor Bipolar de Puerta Aislada IGBT G25T120D-247
Transistor Bipolar de Puerta Aislada IGBT G25T120D-247
Precio FOB: US$ 0,01-1,5 / Pieza
Pedido Mínimo: 5.000 Piezas
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Transistor Bipolar de Puerta Aislada IGBT G40n60D-247 **%off
Transistor Bipolar de Puerta Aislada IGBT G40n60D-247 **%off
Precio FOB: US$ 0,01-1,5 / Pieza
Pedido Mínimo: 5.000 Piezas
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Transistor Bipolar de Puerta Aislada IGBT G30N120D-247
Transistor Bipolar de Puerta Aislada IGBT G30N120D-247
Precio FOB: US$ 0,01-1,5 / Pieza
Pedido Mínimo: 5.000 Piezas
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Transistor Bipolar de Puerta Aislada IGBT G40N120D-247
Transistor Bipolar de Puerta Aislada IGBT G40N120D-247
Pedido Mínimo: 1.800 Piezas
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SIC MOSFET & SIC DIODE

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40MΩ 247 MOSFET de potencia de canal N Dccf040m65g2 to-4L-650V
40MΩ 247 MOSFET de potencia de canal N Dccf040m65g2 to-4L-650V
Precio FOB: US$ 0,01-1,5 / Pieza
Pedido Mínimo: 5.000 Piezas
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247 MOSFET de potencia de canal N Dcc160m120g1 to-3L-18a 1200V
247 MOSFET de potencia de canal N Dcc160m120g1 to-3L-18a 1200V
Precio FOB: US$ 0,01-1,5 / Pieza
Pedido Mínimo: 5.000 Piezas
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252 Sic Schottky Diodo de barrera Dcd20d65g4 to-20A 650V
252 Sic Schottky Diodo de barrera Dcd20d65g4 to-20A 650V
Precio FOB: US$ 0,01-1,5 / Pieza
Pedido Mínimo: 5.000 Piezas
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247 Sic Schottky Diodo de barrera Dcc20d120g4 to-20A 1200V
247 Sic Schottky Diodo de barrera Dcc20d120g4 to-20A 1200V
Precio FOB: US$ 0,01-1,5 / Pieza
Pedido Mínimo: 5.000 Piezas
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Perfil de la Compañía

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Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd
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Tipo de Negocio: Fabricante/Fábrica & Empresa Comercial
Productos Principales: MOSFET , diodos , IGBT , transistor , tiristor , IC
Número de Empleados: 156
Año de Establecimiento: 2004-12-07
Certificación del Sistema de Gestión: ISO9001:2015, ISO14001:2015, IATF16950
Plazo de Ejecución Medio: Plazo de Ejecución de Temporada Alta: 1-3 Meses
Tiempo de Entrega Fuera de Temporada: ...
La información marcada con es verificada por SGS

Jiangsu Donghai Semiconductor Technology Co., Ltd. Fue fundada en diciembre de 2004 con un capital registrado de 66,19 millones de yuan y un capital de inversión de 280 millones de yuan.

Cuenta con 325 empleados, incluyendo 50 empleados de aplicaciones, diseño y I+D. Nuestra empresa se especializa en I+D y producción de dispositivos de potencia semiconductores y circuitos integrados.

Nuestra empresa ha sido calificada como una empresa de alta tecnología en la provincia de Jiangsu. Es una empresa ...

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