| Especificación |
Tipo: sensor de polvo láser;
Tipo de salida de señal: Tipo digital;
Material: Metal;
Personalizado: No personalizado;
nombre del producto: sensor pm;
tipo de detección: pm2.5,pm10,pm1.0 (μg/m³);
aplicación: La escuela, hogar, la fábrica;
rango de medición: 0~1000μG/M³;
tensión de funcionamiento: dc 5v±0.1v;
corriente de funcionamiento: ≤100ma (@5v fuente de alimentación);
tiempo de estabilidad: ≤8s;
resolución: 1ug/m3;
métodos de salida: salida predeterminada uart;
vida útil: >40,000 horas (operación continua);
frecuencia de detección: una vez por segundo (predeterminado);
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Tipo: sensores fotoeléctricos de haz a través;
Tipo de salida de señal: salida de transistor, colector abierto, basado en npn/pnp o;
Proceso De Producción: Wirewound normal;
Material: pc+abs;
Característica: Semiconductor;
Clasificación IP: IP65;
Personalizado: No personalizado;
longitud de onda de la fuente de luz: 850nm;
circuito protector: protección contra polaridad inversa, protección contra cortocircuitos;
peso bruto de embalaje: 0,500 kg;
resistencia a la luz ambiental: luz solar: max.60000lux; lámpara incandescente: max.300;
tipo de salida: salida de transistor, colector abierto, basado en npn/pnp o;
forma de ejecución: selecciona el modo de luz encendida/oscuridad encendida según el modelo;
circuito de protección: protección contra polaridad inversa, protección contra cortocircuitos;
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Tipo: sensores fotoeléctricos de haz a través;
Tipo de salida de señal: salida de transistor, colector abierto, basado en npn/pnp o;
Proceso De Producción: Wirewound normal;
Material: pc+abs;
Característica: Semiconductor;
Clasificación IP: IP65;
Personalizado: No personalizado;
longitud de onda de la fuente de luz: 850nm;
circuito protector: protección contra polaridad inversa, protección contra cortocircuitos;
peso bruto de embalaje: 0,500 kg;
resistencia a la luz ambiental: luz solar: max.60000lux; lámpara incandescente: max.300;
tipo de salida: salida de transistor, colector abierto, basado en npn/pnp o;
forma de ejecución: selecciona el modo de luz encendida/oscuridad encendida según el modelo;
circuito de protección: protección contra polaridad inversa, protección contra cortocircuitos;
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Tipo: sensores fotoeléctricos de haz a través;
Tipo de salida de señal: salida de transistor, colector abierto, basado en npn/pnp o;
Proceso De Producción: Wirewound normal;
Material: pc+abs;
Característica: Semiconductor;
Clasificación IP: IP65;
Personalizado: No personalizado;
longitud de onda de la fuente de luz: 850nm;
circuito protector: protección contra polaridad inversa, protección contra cortocircuitos;
peso bruto de embalaje: 0,500 kg;
resistencia a la luz ambiental: luz solar: max.60000lux; lámpara incandescente: max.300;
tipo de salida: salida de transistor, colector abierto, basado en npn/pnp o;
forma de ejecución: selecciona el modo de luz encendida/oscuridad encendida según el modelo;
circuito de protección: protección contra polaridad inversa, protección contra cortocircuitos;
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Tipo: sensores fotoeléctricos de haz a través;
Tipo de salida de señal: salida de transistor, colector abierto, basado en npn/pnp o;
Proceso De Producción: Wirewound normal;
Material: pc+abs;
Característica: Semiconductor;
Clasificación IP: IP65;
Personalizado: No personalizado;
longitud de onda de la fuente de luz: 850nm;
circuito protector: protección contra polaridad inversa, protección contra cortocircuitos;
peso bruto de embalaje: 0,500 kg;
resistencia a la luz ambiental: luz solar: max.60000lux; lámpara incandescente: max.300;
tipo de salida: salida de transistor, colector abierto, basado en npn/pnp o;
forma de ejecución: selecciona el modo de luz encendida/oscuridad encendida según el modelo;
circuito de protección: protección contra polaridad inversa, protección contra cortocircuitos;
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