GAN RF

US$ 600,00 / Pieza

Dispositivos de potencia RF de GaN de alto rendimiento adecuados para comunicación inalámbrica, EMC, posicionamiento por radio, aplicación de telemetría transistor de GaN imágenes & fotos

Recomendar para ti
Que es Transistor de GaN de alta potencia y buen rendimiento para sistemas de microondas RF y aplicaciones de estaciones base, así como módulo de interferencia para radar o drones con GaN integrado
Que es Avance 2000MHz-4000MHz Transistor de Potencia GaN para Sistemas RF/Microondas y Aplicaciones de Estaciones Base
Que es Transistor de potencia RF GaN de alto rendimiento avanzado para estaciones base y aplicaciones de múltiples portadoras

Que es Dispositivos de potencia RF de GaN de alto rendimiento adecuados para comunicación inalámbrica, EMC, posicionamiento por radio, aplicación de telemetría transistor de GaN

Name: Dispositivos de potencia RF de GaN de alto rendimiento adecuados para comunicación inalámbrica, EMC, posicionamiento por radio, aplicación de telemetría transistor de GaN
Uploaded: 2025-12-22T20:56:55+08:00
Description: Perfil de empresa Eversmart Shenzhen Technology Co., Ltd. Fue fundada en 2014, es una empresa de alta tecnología de integración de la investigación y desarrollo, producci&oac

Contacta Ahora

Conseguir Precio Último

Acerca de este artículo

Precio

Pedido Mínimo Precio FOB de Referencia

100 Piezas US$ 600,00 / Pieza

Especificaciones

Aplicación Componentes electrónicos de potencia, Radio, Televisión, atasco de señal
Número de lote 2025
Certificación CE, RoHS
Tecnología de fabricación Dispositivo discreto
Material gan
Model gan
Paquete SMD
Procesamiento de señales Analog Digital Composite and Function
Tipo Semiconductor de Tipo P
alta potencia hasta 600w
temperatura de funcionamiento hasta 150degree
banda de frecuencia banda estrecha o banda ancha
Paquete de Transporte carrete/cinta
Especificación otros
Marca Comercial eversmart
Origen china

Descripción de Producto

Perfil de empresa Eversmart Shenzhen Technology Co., Ltd. Fue fundada en 2014, es una empresa de alta tecnología de integración de la investigación y desarrollo, producción y ventas. Desde su creación, la compañía productos de seguridad ha ...

Aprende Más

Shenzhen Eversmart Technology Co., Ltd.

Miembro Diamante Desde 2025

Proveedor Auditado

Calificación & Reseñas: 5.0/5.0

(2 Reseñas)

Productos Principales Antidron, bloqueador de señales, módulo amplificador de RF, transistor de potencia GaN
Dirección 1203, Building 2, Cofc0 Business Park, Xingdong Community, Xin'an Street, Bao'andistrict, Shenzhen City, Guangdong Province, Shenzhen, Guangdong, China
Mercados Principales América del Norte, Sudamerica, Europa del Este, Sudeste de Asia, África, Oceanía, Medio Oriente, Asia Oriental, Europa Occidental
Plazo de Ejecución Medio Plazo de Ejecución de Temporada Alta: Dentro de 15 días Laborables, Tiempo de Entrega Fuera de Temporada, Dentro de 15 días Laborables

Comparación de GAN RF

	Dispositivos de potencia RF de GaN de alto rendimiento adecuados para comunicación inalámbrica, EMC, posicionamiento por radio, aplicación de telemetría transistor de GaN Contacta Ahora	Vista rápida Calidad Japonesa Film300mm Testwafer P/N Tipo 8 Pulgada Wafers de Silicio Contacta Ahora	Vista rápida 12inch Prueba de oblea de semiconductores de silicio pulido Contacta Ahora	Vista rápida Calidad Japonesa 6/8/12 Pulgada Película Dummy Testwafer Oblea de Silicio Contacta Ahora	Vista rápida 2-12inch Oblea de película de prueba, semiconductores de carburo de silicio, oblea de silicio pulida Contacta Ahora

Información de la Transacción
	Dispositivos de potencia RF de GaN de alto rendimiento adecuados para comunicación inalámbrica, EMC, posicionamiento por radio, aplicación de telemetría transistor de GaN Contacta Ahora	Vista rápida Calidad Japonesa Film300mm Testwafer P/N Tipo 8 Pulgada Wafers de Silicio Contacta Ahora	Vista rápida 12inch Prueba de oblea de semiconductores de silicio pulido Contacta Ahora	Vista rápida Calidad Japonesa 6/8/12 Pulgada Película Dummy Testwafer Oblea de Silicio Contacta Ahora	Vista rápida 2-12inch Oblea de película de prueba, semiconductores de carburo de silicio, oblea de silicio pulida Contacta Ahora
Precio	US$ 600,00 / Pieza	US$ 25,00 / pc	US$ 25,00 / pc	US$ 25,00 / pc	US$ 25,00 / pc
Pedido Mínimo	100 Piezas	50 pc	50 pc	50 pc	50 pc
Condiciones de Pago	-	T/T, PayPal	T/T, PayPal	T/T, PayPal	T/T, PayPal
Control de calidad
Certificación de Producto	CE, RoHS	-	-	-	-
Certificación del Sistema de Gestión	-	-	-	-	-
Capacidad Comercial
Mercados de exportación	América del Norte, Sudamerica, Europa del Este, Sudeste de Asia, África, Oceanía, Medio Oriente, Asia Oriental, Europa Occidental	Sudeste de Asia / Medio Oriente, Este de Asia (Japón / Corea del Sur)	Sudeste de Asia / Medio Oriente, Este de Asia (Japón / Corea del Sur)	Sudeste de Asia / Medio Oriente, Este de Asia (Japón / Corea del Sur)	Sudeste de Asia / Medio Oriente, Este de Asia (Japón / Corea del Sur)
Ingresos Anuales de Exportación	-	-	-	-	-
Modelo de negocio	-	Own Brand, ODM, OEM	Own Brand, ODM, OEM	Own Brand, ODM, OEM	Own Brand, ODM, OEM
Plazo de Ejecución Medio	Plazo de Ejecución de Temporada Alta: Dentro de 15 días Laborables Tiempo de Entrega Fuera de Temporada: Dentro de 15 días Laborables	Plazo de Ejecución de Temporada Alta: Dentro de 15 días Laborables Tiempo de Entrega Fuera de Temporada: Dentro de 15 días Laborables	Plazo de Ejecución de Temporada Alta: Dentro de 15 días Laborables Tiempo de Entrega Fuera de Temporada: Dentro de 15 días Laborables	Plazo de Ejecución de Temporada Alta: Dentro de 15 días Laborables Tiempo de Entrega Fuera de Temporada: Dentro de 15 días Laborables	Plazo de Ejecución de Temporada Alta: Dentro de 15 días Laborables Tiempo de Entrega Fuera de Temporada: Dentro de 15 días Laborables
Atributos del Producto
Especificación	Aplicación: Componentes electrónicos de potencia, Radio, Televisión, atasco de señal; Número de lote: 2025; Tecnología de fabricación: Dispositivo discreto; Material: gan; Model: gan; Paquete: SMD; Procesamiento de señales: Analog Digital Composite and Function; Tipo: Semiconductor de Tipo P; alta potencia: hasta 600w; temperatura de funcionamiento: hasta 150degree; banda de frecuencia: banda estrecha o banda ancha;	Aplicación: equipo; Número de lote: na; Tecnología de fabricación: Dispositivo de Circuitos Integrados; Material: Semiconductor Compuesto; Model: cutimize; Paquete: semidesestándar; Procesamiento de señales: na; Tipo: Semiconductor de Tipo P; método de crecimiento: Cz; orientación cristalina: 100; dopante: boro; resistividad: 1-100Ω; lado de frente: pulido; borde: pulido; diámetro: 300±0.2mm; grosor: 775±25μm; marca: fsm;	Material: Semiconductor Compuesto; Tipo: Semiconductor de Tipo P; método de crecimiento: Cz; orientación cristalina: 100; dopante: boro; resistividad: 1-100Ω; lado de frente: pulido; borde: pulido; diámetro: 300±0.2mm; grosor: 775±25μm;	método de crecimiento: Cz; orientación cristalina: 100; dopante: boro; resistividad: 1-100Ω; lado de frente: pulido; borde: pulido; diámetro: 300±0.2mm; grosor: 775±25μm;	Material: Semiconductor Compuesto; Tipo: Semiconductor de Tipo P; método de crecimiento: Cz; orientación cristalina: 100; dopante: boro; resistividad: 1-100Ω; lado de frente: pulido; borde: pulido; diámetro: 300±0.2mm; grosor: 775±25μm;
Nombre del Proveedor	Shenzhen Eversmart Technology Co., Ltd.	Fine Silicon Manufacturing(Shanghai)Ltd.	Fine Silicon Manufacturing(Shanghai)Ltd.	Fine Silicon Manufacturing(Shanghai)Ltd.	Fine Silicon Manufacturing(Shanghai)Ltd.

Búsqueda Caliente