- Recomendar para ti
-
Que es Transistor GaN de Alta Potencia 3300MHz-3800MHz RF para Estaciones Base y Aplicaciones de Múltiples Portadoras
-
Que es Transistor de GaN de alta potencia y buen rendimiento para sistemas de microondas RF y aplicaciones de estaciones base, así como módulo de interferencia para radar o drones con GaN integrado
-
Que es Transistor de potencia RF GaN de alto rendimiento avanzado para estaciones base y aplicaciones de múltiples portadoras
Que es Dispositivos de potencia RF de GaN de alto rendimiento adecuados para comunicación inalámbrica, EMC, posicionamiento por radio, aplicación de telemetría transistor de GaN
Precio
Pedido Mínimo Precio FOB de Referencia
100 Piezas US$ 600,00 / Pieza
Especificaciones
- Aplicación Componentes electrónicos de potencia, Radio, Televisión, atasco de señal
- Número de lote 2025
- Certificación CE, RoHS
- Tecnología de fabricación Dispositivo discreto
- Material gan
- Model gan
- Paquete SMD
- Procesamiento de señales Analog Digital Composite and Function
- Tipo Semiconductor de Tipo P
- alta potencia hasta 600w
- temperatura de funcionamiento hasta 150degree
- banda de frecuencia banda estrecha o banda ancha
- Paquete de Transporte carrete/cinta
- Especificación otros
- Marca Comercial eversmart
- Origen china
Descripción de Producto
Perfil de empresa Eversmart Shenzhen Technology Co., Ltd. Fue fundada en 2014, es una empresa de alta tecnología de integración de la investigación y desarrollo, producción y ventas. Desde su creación, la compañía productos de seguridad ha ...
