Inicio Equipo y Componentes Industriales Equipo de Calefacción Inducción IGBT 2024 Lista de Productos

Inducción IGBT

productos encontrados de fabricantes y mayoristas de confianza

1/ 4

Favoritos

Ihw25t120 cocina de inducción Original IGBT Potencia H25T120.

US$ 12,00 / Pieza

10 Piezas (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

Tour Virtual 360 °

Contacta Ahora

Estructura de encapsulación: chip de transistor

Instalación: Plug-in de triodo

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

Función: Fotosensible,tubo Darlington,triodo de potencia

Material: Silicio

Capacidad de Producción: 10000

Calentador PTC 1200V 40A Frd integrado en la trinchera de parada de campo to-247n IGBT

Calentador PTC 1200V 40A Frd integrado en la trinchera de parada de campo to-247n IGBT

Calentador PTC 1200V 40A Frd integrado en la trinchera de parada de campo to-247n IGBT

Calentador PTC 1200V 40A Frd integrado en la trinchera de parada de campo to-247n IGBT

Calentador PTC 1200V 40A Frd integrado en la trinchera de parada de campo to-247n IGBT

Calentador PTC 1200V 40A Frd integrado en la trinchera de parada de campo to-247n IGBT

1/ 6

Favoritos

Calentador PTC 1200V 40A Frd integrado en la trinchera de parada de campo to-247n IGBT

US$ 0,1-0,6 / Pieza

1.000 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS,ISO

Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada

Instalación: Plug-in de triodo

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

Nivel de potencia: Media Potencia

Función: triodo de potencia,Triodo de conmutación

Modo de mejora de alimentación de canal N IGBT

Modo de mejora de alimentación de canal N IGBT

Modo de mejora de alimentación de canal N IGBT

Modo de mejora de alimentación de canal N IGBT

Modo de mejora de alimentación de canal N IGBT

Modo de mejora de alimentación de canal N IGBT

1/ 6

Favoritos

Modo de mejora de alimentación de canal N IGBT

US$ 0,1-1,00 / Pieza

600 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS,ISO

Estructura de encapsulación: chip de transistor

Instalación: Plug-in de triodo

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

Nivel de potencia: Media Potencia

Función: triodo de potencia,Triodo de conmutación

1/ 3

Favoritos

Bipolar de Puerta Aislada original IGBT 1200V 75A 300W

US$ 11,211 / Pieza

30 Piezas (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

Tour Virtual 360 °

Contacta Ahora

Embalaje: Pallet/Tube

Estándar: Package

A247 Ost75n65hmf Vces-650V-300A pulso el poder de canal N IGBT

A247 Ost75n65hmf Vces-650V-300A pulso el poder de canal N IGBT

A247 Ost75n65hmf Vces-650V-300A pulso el poder de canal N IGBT

A247 Ost75n65hmf Vces-650V-300A pulso el poder de canal N IGBT

A247 Ost75n65hmf Vces-650V-300A pulso el poder de canal N IGBT

A247 Ost75n65hmf Vces-650V-300A pulso el poder de canal N IGBT

1/ 6

Favoritos

A247 Ost75n65hmf Vces-650V-300A pulso el poder de canal N IGBT

US$ 0,3-1,3 / Pieza

600 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS,ISO

Forma: De metal tubo de porcelana

Tipo de blindaje: Corte abrupto del tubo de aislamiento

Método de enfriamiento: Aire tubo enfriado

Función: interruptor de transistor

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

A modo de mejora de transistor247 Ost90n60hczf Vces-600V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-270Un Vce (SAT) -1.65V Qg-198nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost90n60hczf Vces-600V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-270Un Vce (SAT) -1.65V Qg-198nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost90n60hczf Vces-600V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-270Un Vce (SAT) -1.65V Qg-198nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost90n60hczf Vces-600V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-270Un Vce (SAT) -1.65V Qg-198nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost90n60hczf Vces-600V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-270Un Vce (SAT) -1.65V Qg-198nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost90n60hczf Vces-600V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-270Un Vce (SAT) -1.65V Qg-198nc IGBT de potencia de canal N

1/ 6

Favoritos

A modo de mejora de transistor247 Ost90n60hczf Vces-600V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-270Un Vce (SAT) -1.65V Qg-198nc IGBT de potencia de canal N

US$ 0,1-1,1 / Pieza

600 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS,ISO

Forma: De metal tubo de porcelana

Tipo de blindaje: Corte abrupto del tubo de aislamiento

Método de enfriamiento: Aire tubo enfriado

Función: interruptor de transistor

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

A modo de mejora de transistor247 Ost80n65hsmf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-320Un Vce (SAT) -1.35V Qg-178nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost80n65hsmf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-320Un Vce (SAT) -1.35V Qg-178nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost80n65hsmf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-320Un Vce (SAT) -1.35V Qg-178nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost80n65hsmf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-320Un Vce (SAT) -1.35V Qg-178nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost80n65hsmf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-320Un Vce (SAT) -1.35V Qg-178nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost80n65hsmf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-320Un Vce (SAT) -1.35V Qg-178nc IGBT de potencia de canal N

1/ 6

Favoritos

A modo de mejora de transistor247 Ost80n65hsmf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-320Un Vce (SAT) -1.35V Qg-178nc IGBT de potencia de canal N

US$ 0,2-1,2 / Pieza

600 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS,ISO

Forma: De metal tubo de porcelana

Tipo de blindaje: Corte abrupto del tubo de aislamiento

Método de enfriamiento: Aire tubo enfriado

Función: interruptor de transistor

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

A modo de mejora de transistor247 Ost40N120hmf Vces-1200V la máxima temperatura de unión175, la IC-160Pulso un Vce (SAT) -1.45V Qg-214nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost40N120hmf Vces-1200V la máxima temperatura de unión175, la IC-160Pulso un Vce (SAT) -1.45V Qg-214nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost40N120hmf Vces-1200V la máxima temperatura de unión175, la IC-160Pulso un Vce (SAT) -1.45V Qg-214nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost40N120hmf Vces-1200V la máxima temperatura de unión175, la IC-160Pulso un Vce (SAT) -1.45V Qg-214nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost40N120hmf Vces-1200V la máxima temperatura de unión175, la IC-160Pulso un Vce (SAT) -1.45V Qg-214nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost40N120hmf Vces-1200V la máxima temperatura de unión175, la IC-160Pulso un Vce (SAT) -1.45V Qg-214nc IGBT de potencia de canal N

1/ 6

Favoritos

A modo de mejora de transistor247 Ost40N120hmf Vces-1200V la máxima temperatura de unión175, la IC-160Pulso un Vce (SAT) -1.45V Qg-214nc IGBT de potencia de canal N

US$ 0,2-1,2 / Pieza

330 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS,ISO

Forma: De metal tubo de porcelana

Tipo de blindaje: Cut-Off remota del tubo de blindaje

Método de enfriamiento: Aire tubo enfriado

Función: El transistor de microondas,interruptor de transistor

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

A modo de mejora de transistor Ost247-4L60n65H4ewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-240Un Vce (SAT) -1.45V Qg-105nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor Ost247-4L60n65H4ewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-240Un Vce (SAT) -1.45V Qg-105nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor Ost247-4L60n65H4ewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-240Un Vce (SAT) -1.45V Qg-105nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor Ost247-4L60n65H4ewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-240Un Vce (SAT) -1.45V Qg-105nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor Ost247-4L60n65H4ewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-240Un Vce (SAT) -1.45V Qg-105nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor Ost247-4L60n65H4ewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-240Un Vce (SAT) -1.45V Qg-105nc IGBT de potencia de canal N

1/ 6

Favoritos

A modo de mejora de transistor Ost247-4L60n65H4ewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-240Un Vce (SAT) -1.45V Qg-105nc IGBT de potencia de canal N

US$ 0,2-0,6 / Pieza

450 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS,ISO

Forma: ST

Tipo de blindaje: Cut-Off remota del tubo de blindaje

Método de enfriamiento: Aire tubo enfriado

Función: interruptor de transistor

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

A modo de mejora de transistor263 Ost50n65ktmf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-200Un Vce (SAT) -1.65V Qg-78nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor263 Ost50n65ktmf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-200Un Vce (SAT) -1.65V Qg-78nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor263 Ost50n65ktmf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-200Un Vce (SAT) -1.65V Qg-78nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor263 Ost50n65ktmf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-200Un Vce (SAT) -1.65V Qg-78nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor263 Ost50n65ktmf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-200Un Vce (SAT) -1.65V Qg-78nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor263 Ost50n65ktmf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-200Un Vce (SAT) -1.65V Qg-78nc IGBT de potencia de canal N

1/ 6

Favoritos

A modo de mejora de transistor263 Ost50n65ktmf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-200Un Vce (SAT) -1.65V Qg-78nc IGBT de potencia de canal N

US$ 0,2-0,6 / Pieza

800 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS,ISO

Forma: De metal tubo de porcelana

Tipo de blindaje: Cut-Off remota del tubo de blindaje

Método de enfriamiento: Aire tubo enfriado

Función: interruptor de transistor

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

Mejora de transistor Ost247-4L50n65H4ewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-200Un Vce (SAT) -1.4V Qg-104nc IGBT de potencia de canal N

Mejora de transistor Ost247-4L50n65H4ewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-200Un Vce (SAT) -1.4V Qg-104nc IGBT de potencia de canal N

Mejora de transistor Ost247-4L50n65H4ewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-200Un Vce (SAT) -1.4V Qg-104nc IGBT de potencia de canal N

Mejora de transistor Ost247-4L50n65H4ewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-200Un Vce (SAT) -1.4V Qg-104nc IGBT de potencia de canal N

Mejora de transistor Ost247-4L50n65H4ewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-200Un Vce (SAT) -1.4V Qg-104nc IGBT de potencia de canal N

Mejora de transistor Ost247-4L50n65H4ewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-200Un Vce (SAT) -1.4V Qg-104nc IGBT de potencia de canal N

1/ 6

Favoritos

Mejora de transistor Ost247-4L50n65H4ewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-200Un Vce (SAT) -1.4V Qg-104nc IGBT de potencia de canal N

US$ 0,2-1,2 / Pieza

450 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS,ISO

Forma: GT

Tipo de blindaje: Cut-Off remota del tubo de blindaje

Método de enfriamiento: Aire tubo enfriado

Función: interruptor de transistor

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

A modo de mejora de transistor247 Ost50n65HF Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-200Un Vce (SAT) -1.4V Qg-99nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost50n65HF Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-200Un Vce (SAT) -1.4V Qg-99nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost50n65HF Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-200Un Vce (SAT) -1.4V Qg-99nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost50n65HF Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-200Un Vce (SAT) -1.4V Qg-99nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost50n65HF Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-200Un Vce (SAT) -1.4V Qg-99nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost50n65HF Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-200Un Vce (SAT) -1.4V Qg-99nc IGBT de potencia de canal N

1/ 6

Favoritos

A modo de mejora de transistor247 Ost50n65HF Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-200Un Vce (SAT) -1.4V Qg-99nc IGBT de potencia de canal N

US$ 0,1-1,1 / Pieza

600 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO,CCC

Forma: De metal tubo de porcelana

Tipo de blindaje: Corte abrupto del tubo de aislamiento

Método de enfriamiento: Aire tubo enfriado

Función: interruptor de transistor

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

A modo de mejora de transistor247 Ost30n65hmf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-120Un Vce (SAT) -1.5V Qg-56nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost30n65hmf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-120Un Vce (SAT) -1.5V Qg-56nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost30n65hmf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-120Un Vce (SAT) -1.5V Qg-56nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost30n65hmf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-120Un Vce (SAT) -1.5V Qg-56nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost30n65hmf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-120Un Vce (SAT) -1.5V Qg-56nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost30n65hmf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-120Un Vce (SAT) -1.5V Qg-56nc IGBT de potencia de canal N

1/ 6

Favoritos

A modo de mejora de transistor247 Ost30n65hmf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-120Un Vce (SAT) -1.5V Qg-56nc IGBT de potencia de canal N

US$ 0,1-1,00 / Pieza

600 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS,ISO

Forma: subminiatura

Tipo de blindaje: Corte abrupto del tubo de aislamiento

Método de enfriamiento: Aire tubo enfriado

Función: interruptor de transistor

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

A modo de mejora de transistor247 Ost75n65hevf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, el IC-300A, el pulso de Vce (SAT) -1.45V Qg-235nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost75n65hevf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, el IC-300A, el pulso de Vce (SAT) -1.45V Qg-235nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost75n65hevf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, el IC-300A, el pulso de Vce (SAT) -1.45V Qg-235nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost75n65hevf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, el IC-300A, el pulso de Vce (SAT) -1.45V Qg-235nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost75n65hevf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, el IC-300A, el pulso de Vce (SAT) -1.45V Qg-235nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost75n65hevf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, el IC-300A, el pulso de Vce (SAT) -1.45V Qg-235nc IGBT de potencia de canal N

1/ 6

Favoritos

A modo de mejora de transistor247 Ost75n65hevf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, el IC-300A, el pulso de Vce (SAT) -1.45V Qg-235nc IGBT de potencia de canal N

US$ 0,2-0,6 / Pieza

330 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS,ISO

Forma: ST

Tipo de blindaje: Corte abrupto del tubo de aislamiento

Método de enfriamiento: Aire tubo enfriado

Función: interruptor de transistor

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

A modo de mejora de transistor247 Ost90n60hczf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, el IC-300A, el pulso de Vce (SAT) -1.45V QG NC-206 IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost90n60hczf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, el IC-300A, el pulso de Vce (SAT) -1.45V QG NC-206 IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost90n60hczf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, el IC-300A, el pulso de Vce (SAT) -1.45V QG NC-206 IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost90n60hczf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, el IC-300A, el pulso de Vce (SAT) -1.45V QG NC-206 IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost90n60hczf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, el IC-300A, el pulso de Vce (SAT) -1.45V QG NC-206 IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost90n60hczf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, el IC-300A, el pulso de Vce (SAT) -1.45V QG NC-206 IGBT de potencia de canal N

1/ 6

Favoritos

A modo de mejora de transistor247 Ost90n60hczf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, el IC-300A, el pulso de Vce (SAT) -1.45V QG NC-206 IGBT de potencia de canal N

US$ 0,1-1,1 / Pieza

330 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS,ISO

Marca: Orientalsemi

Origen: China

Código del HS: 8541290000

Capacidad de Producción: Over 1kk/Month

Transistor de potencia IGBT 25n120 25A 1200V-247 para la inducción Cocina Sgw25N120.

Transistor de potencia IGBT 25n120 25A 1200V-247 para la inducción Cocina Sgw25N120.

Transistor de potencia IGBT 25n120 25A 1200V-247 para la inducción Cocina Sgw25N120.

Transistor de potencia IGBT 25n120 25A 1200V-247 para la inducción Cocina Sgw25N120.

Transistor de potencia IGBT 25n120 25A 1200V-247 para la inducción Cocina Sgw25N120.

Transistor de potencia IGBT 25n120 25A 1200V-247 para la inducción Cocina Sgw25N120.

1/ 6

Favoritos

Transistor de potencia IGBT 25n120 25A 1200V-247 para la inducción Cocina Sgw25N120.

US$ 0,49-0,5 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

Tour Virtual 360 °

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO,CCC

Estructura de encapsulación: chip de transistor

Instalación: Plug-in de triodo

Frecuencia de trabajo: Overclocking

Nivel de potencia: Media Potencia

Función: Fotosensible,tubo Darlington,triodo de potencia,Triodo de conmutación

H15r1203 15 1200V de IGBT la inducción de transistor de Power Tube H15R1202

H15r1203 15 1200V de IGBT la inducción de transistor de Power Tube H15R1202

H15r1203 15 1200V de IGBT la inducción de transistor de Power Tube H15R1202

H15r1203 15 1200V de IGBT la inducción de transistor de Power Tube H15R1202

H15r1203 15 1200V de IGBT la inducción de transistor de Power Tube H15R1202

H15r1203 15 1200V de IGBT la inducción de transistor de Power Tube H15R1202

1/ 6

Favoritos

H15r1203 15 1200V de IGBT la inducción de transistor de Power Tube H15R1202

US$ 0,1-1,00 / Pieza

100 Piezas (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

Tour Virtual 360 °

Contacta Ahora

Instalación: Plug-in de triodo

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

Nivel de potencia: Alto Voltaje

Estructura: Aleación

Material: Silicio

Origen: China

Una buena calidad 1200V TNP Trinchera FGA IGBT25N120 FGA25N120ANTDTU

Una buena calidad 1200V TNP Trinchera FGA IGBT25N120 FGA25N120ANTDTU

Una buena calidad 1200V TNP Trinchera FGA IGBT25N120 FGA25N120ANTDTU

Una buena calidad 1200V TNP Trinchera FGA IGBT25N120 FGA25N120ANTDTU

Una buena calidad 1200V TNP Trinchera FGA IGBT25N120 FGA25N120ANTDTU

Una buena calidad 1200V TNP Trinchera FGA IGBT25N120 FGA25N120ANTDTU

1/ 6

Favoritos

Una buena calidad 1200V TNP Trinchera FGA IGBT25N120 FGA25N120ANTDTU

US$ 0,072-15,00 / Pieza

100 Piezas (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

Contacta Ahora

Tipo de conductor: Unipolar Circuito Integrado

Técnica: Thin Film IC

Embalaje: Box

Origen: China

Código del HS: 8542390000

Capacidad de Producción: 1000000PCS

piezas de repuesto de DC del inversor IGBT Mosfet y máquina de soldadura

piezas de repuesto de DC del inversor IGBT Mosfet y máquina de soldadura

piezas de repuesto de DC del inversor IGBT Mosfet y máquina de soldadura

piezas de repuesto de DC del inversor IGBT Mosfet y máquina de soldadura

piezas de repuesto de DC del inversor IGBT Mosfet y máquina de soldadura

piezas de repuesto de DC del inversor IGBT Mosfet y máquina de soldadura

1/ 6

Favoritos

piezas de repuesto de DC del inversor IGBT Mosfet y máquina de soldadura

US$ 200,00-1.200,00 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

Ruian an Chuan Electronics Co., Ltd.

Tour Virtual 360 °

Contacta Ahora

Aplicación: Transductor de Alto Rendimiento,Transductor de Fase Tres,Transductor General,Transductor Monofásico,Transductor de Alta Frecuencia

Tipo de salida: Tres Vías

Principio del trabajo: Control de Transductor de Vector

Switch Mode: Control de PWM

Principal Tipo de circuito: Tensión

Voltaje de fuente de alimentación: Baja Tensión Drive de frecuencia variable

Efecto de los materiales de disipación de calor Ost40n120hmf 10µ S IGBT

Efecto de los materiales de disipación de calor Ost40n120hmf 10µ S IGBT

Efecto de los materiales de disipación de calor Ost40n120hmf 10µ S IGBT

Efecto de los materiales de disipación de calor Ost40n120hmf 10µ S IGBT

Efecto de los materiales de disipación de calor Ost40n120hmf 10µ S IGBT

Efecto de los materiales de disipación de calor Ost40n120hmf 10µ S IGBT

1/ 6

Favoritos

Efecto de los materiales de disipación de calor Ost40n120hmf 10µ S IGBT

US$ 0,1-0,6 / Pieza

1.000 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS,ISO

Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada

Instalación: Plug-in de triodo

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

Nivel de potencia: Alto Voltaje

Función: triodo de potencia,Triodo de conmutación

El sargento40n60npfdpn Spot Silan Micro soldador agente inversor IGBT de Energía Solar

El sargento40n60npfdpn Spot Silan Micro soldador agente inversor IGBT de Energía Solar

El sargento40n60npfdpn Spot Silan Micro soldador agente inversor IGBT de Energía Solar

El sargento40n60npfdpn Spot Silan Micro soldador agente inversor IGBT de Energía Solar

El sargento40n60npfdpn Spot Silan Micro soldador agente inversor IGBT de Energía Solar

El sargento40n60npfdpn Spot Silan Micro soldador agente inversor IGBT de Energía Solar

1/ 6

Favoritos

El sargento40n60npfdpn Spot Silan Micro soldador agente inversor IGBT de Energía Solar

US$ 1,19-2,28 / Pieza

100 Piezas (MOQ)

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS

Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada

Instalación: Plug-in de triodo

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

Nivel de potencia: Alto Voltaje

Estructura: planar

El sargento40n60FD2pn Silan Micro Agent 40A 600V Soldador cinta inversor IGBT

El sargento40n60FD2pn Silan Micro Agent 40A 600V Soldador cinta inversor IGBT

El sargento40n60FD2pn Silan Micro Agent 40A 600V Soldador cinta inversor IGBT

El sargento40n60FD2pn Silan Micro Agent 40A 600V Soldador cinta inversor IGBT

El sargento40n60FD2pn Silan Micro Agent 40A 600V Soldador cinta inversor IGBT

El sargento40n60FD2pn Silan Micro Agent 40A 600V Soldador cinta inversor IGBT

1/ 6

Favoritos

El sargento40n60FD2pn Silan Micro Agent 40A 600V Soldador cinta inversor IGBT

US$ 0,55-0,56 / Pieza

600 Piezas (MOQ)

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS

Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada

Instalación: Plug-in de triodo

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

Nivel de potencia: Alto Voltaje

Función: triodo de potencia

Solo Controlador de puerta de IGBT MC33153DG

Solo Controlador de puerta de IGBT MC33153DG

Solo Controlador de puerta de IGBT MC33153DG

Solo Controlador de puerta de IGBT MC33153DG

Solo Controlador de puerta de IGBT MC33153DG

Solo Controlador de puerta de IGBT MC33153DG

1/ 6

Favoritos

Solo Controlador de puerta de IGBT MC33153DG

US$ 0,072-15,00 / Pieza

100 Piezas (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

Contacta Ahora

Tipo de conductor: Unipolar Circuito Integrado

Técnica: Thin Film IC

Embalaje: Box

Origen: China

Código del HS: 8542390000

Capacidad de Producción: 1000000PCS

El sargento60t65FD1pn Silan Micro Fuente de alimentación del equipo de soldadura IGBT 60t65FD

El sargento60t65FD1pn Silan Micro Fuente de alimentación del equipo de soldadura IGBT 60t65FD

El sargento60t65FD1pn Silan Micro Fuente de alimentación del equipo de soldadura IGBT 60t65FD

El sargento60t65FD1pn Silan Micro Fuente de alimentación del equipo de soldadura IGBT 60t65FD

El sargento60t65FD1pn Silan Micro Fuente de alimentación del equipo de soldadura IGBT 60t65FD

El sargento60t65FD1pn Silan Micro Fuente de alimentación del equipo de soldadura IGBT 60t65FD

1/ 6

Favoritos

El sargento60t65FD1pn Silan Micro Fuente de alimentación del equipo de soldadura IGBT 60t65FD

US$ 1,19-2,28 / Pieza

100 Piezas (MOQ)

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS

Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada

Instalación: Plug-in de triodo

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

Nivel de potencia: Alto Voltaje

Función: triodo de potencia

Sgt60n60fd1pn original SL Silan Microagent 60A 600V soldadura para almacenamiento de energía Inversor de máquina IGBT

Sgt60n60fd1pn original SL Silan Microagent 60A 600V soldadura para almacenamiento de energía Inversor de máquina IGBT

Sgt60n60fd1pn original SL Silan Microagent 60A 600V soldadura para almacenamiento de energía Inversor de máquina IGBT

Sgt60n60fd1pn original SL Silan Microagent 60A 600V soldadura para almacenamiento de energía Inversor de máquina IGBT

Sgt60n60fd1pn original SL Silan Microagent 60A 600V soldadura para almacenamiento de energía Inversor de máquina IGBT

Sgt60n60fd1pn original SL Silan Microagent 60A 600V soldadura para almacenamiento de energía Inversor de máquina IGBT

1/ 6

Favoritos

Sgt60n60fd1pn original SL Silan Microagent 60A 600V soldadura para almacenamiento de energía Inversor de máquina IGBT

US$ 1,19-2,28 / Pieza

100 Piezas (MOQ)

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS

Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada

Instalación: Plug-in de triodo

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

Nivel de potencia: Alto Voltaje

Estructura: planar

La nueva llegada a la venta de IGBT

La nueva llegada a la venta de IGBT

La nueva llegada a la venta de IGBT

La nueva llegada a la venta de IGBT

La nueva llegada a la venta de IGBT

La nueva llegada a la venta de IGBT

1/ 6

Favoritos

La nueva llegada a la venta de IGBT

US$ 1,00 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

Emi International (Hk) Co. Ltd

Tour Virtual 360 °

Contacta Ahora

Tipo de salida: Múltiple Vía

Garantía: 1 Año

Potencia de salida: 1 - 50W

Certificación: CE,RoHS,ISO

Embalaje: Box

Estándar: Standard

Venta directa de Ma450b17e6K4 1700V 450A IGBT

Venta directa de Ma450b17e6K4 1700V 450A IGBT

Venta directa de Ma450b17e6K4 1700V 450A IGBT

Venta directa de Ma450b17e6K4 1700V 450A IGBT

Venta directa de Ma450b17e6K4 1700V 450A IGBT

Venta directa de Ma450b17e6K4 1700V 450A IGBT

1/ 6

Favoritos

Venta directa de Ma450b17e6K4 1700V 450A IGBT

US$ 1,00 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

Emi International (Hk) Co. Ltd

Tour Virtual 360 °

Contacta Ahora

Tipo de salida: Múltiple Vía

Garantía: 1 Año

Potencia de salida: 1 - 50W

Certificación: CE,RoHS,ISO

Embalaje: Box

Estándar: Standard

1200 V IGBT serie S en Stock Hotsell

1200 V IGBT serie S en Stock Hotsell

1200 V IGBT serie S en Stock Hotsell

1200 V IGBT serie S en Stock Hotsell

1200 V IGBT serie S en Stock Hotsell

1200 V IGBT serie S en Stock Hotsell

1/ 6

Favoritos

1200 V IGBT serie S en Stock Hotsell

US$ 1,00 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

Emi International (Hk) Co. Ltd

Tour Virtual 360 °

Contacta Ahora

Tipo de salida: Múltiple Vía

Garantía: 1 Año

Potencia de salida: 1 - 50W

Certificación: CE,RoHS,ISO

Embalaje: Box

Estándar: Standard

IGBT garantizado en stock del modelo MA450b17e6K4

IGBT garantizado en stock del modelo MA450b17e6K4

IGBT garantizado en stock del modelo MA450b17e6K4

IGBT garantizado en stock del modelo MA450b17e6K4

IGBT garantizado en stock del modelo MA450b17e6K4

IGBT garantizado en stock del modelo MA450b17e6K4

1/ 6

Favoritos

IGBT garantizado en stock del modelo MA450b17e6K4

US$ 1,00 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

Emi International (Hk) Co. Ltd

Tour Virtual 360 °

Contacta Ahora

Tipo de salida: Múltiple Vía

Garantía: 1 Año

Potencia de salida: 1 - 50W

Certificación: CE,RoHS,ISO

Embalaje: Box

Estándar: Standard

Más

índice rápido de productos

0-9 a b c d e f g h i j k l m n o p q r s t u v w xyz

¿No has encontrado lo que buscas?

Abastecimiento Fácil

Publique solicitudes de abastecimiento y obtenga cotizaciones rápidamente.

Publicar Solicitud de Compra

Catálogo

Otro

Características del Producto

Proceso de dar un título

Material

Frecuencia de trabajo

Estructura de encapsulación

Método de enfriamiento

Nivel de potencia

Estructura

Tipo de blindaje

Función

Función

Instalación

Proceso de dar un título

Certificación

Garantía

Material

Forma

Nivel de potencia

Tipo de salida

Potencia de salida

Estructura de encapsulación

Frecuencia de trabajo

Función

Tipo de salida

Naturaleza de alimentación de CC

Enlace de la Transformación

Principio del trabajo

Aplicación

Principal Tipo de circuito

Estructura

Switch Mode

forma

Tipo de conductor

Técnica

Voltaje de fuente de alimentación

Modo de regulación de tensión

Sistema de Modulación

Sistema de Suministro de Energía

Modo de conexión

Modo de inicio

Transmisión de Energía

Características de la Empresa

Tipo de Miembro

Tipo de Negocio

Capacidad de R&D

Provincia & Región

Categorías de Productos Relacionados

China Induction Manufacturers

Búsquedas Populares