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Shenzhen Semilotec Co., Ltd.
Guangdong, China
Productos Principales:
CI , Condensador , Resistor , Componentes Electrónicos , Circuito Integrado , Transistor , Relé , Diodo , MCU , Conector
Certificación del Sistema de Gestión:
Otros
Dirección:
Rm216, No. 103, Lijia Road, Henggang Street, Longgang District, 518115, Shenzhen, Guangdong, China
Mercados Principales:
Sudamerica, Europa, Este de Asia (Japón / Corea del Sur)
Número de Personal de Comercio Exterior:
1
Términos Comerciales Internacionales(Incoterms):
FOB, CFR, EXW
Servicio de OEM/ODM
Muestra Disponible
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Clasificación:
5.0/5

Manufactura y proveedor chino de CI, Condensador, Resistor, Componentes Electrónicos, Circuito Integrado, Transistor, Relé, Diodo, MCU, Conector, ofreciendo CR95HF-VMD5T CR95HF Etiquetas y transpondedores NFC/RFID de lectura y escritura 13.553MHz a 13.567MHz CI, RFX2401C LNA RF Frente de Entrada CMOS 2.4GHZ ZIGBEE/ISM TRANSMISOR RECEPTOR IC, TLJA107M010R1400 condensador de tantalio sólido SMD 10V 100uF 1206 CASE-A-3216 y así sucesivamente de calidad.

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Diodo y Transistor

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MSC025SMA120B4 MSC025SMA120B MOSFET de SiC 1200V 25mOhm transistor
MSC025SMA120B4 MSC025SMA120B MOSFET de SiC 1200V 25mOhm transistor
MSC025SMA120B4 MSC025SMA120B MOSFET de SiC 1200V 25mOhm transistor
MSC025SMA120B4 MSC025SMA120B MOSFET de SiC 1200V 25mOhm transistor
MSC025SMA120B4 MSC025SMA120B MOSFET de SiC 1200V 25mOhm transistor
MSC025SMA120B4 MSC025SMA120B MOSFET de SiC 1200V 25mOhm transistor

MSC025SMA120B4 MSC025SMA120B MOSFET de SiC 1200V 25mOhm transistor

Precio FOB: US$ 11,00-30,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 5 Piezas
Tipo conductor: Circuito Integrado Bipolar
Integración: GSI
Temperatura de funcionamiento: -55℃ - 125℃
Forma: Plano
Técnicas: Circuito integrado de semiconductores
MFR.: SEMILOTEC
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Vídeo
IMBF170R1K0M1XTMA1 IMBF170R1K0M1 1700V MOSFET de Trinchera de SiC MOSFET de Carburo de Silicio
IMBF170R1K0M1XTMA1 IMBF170R1K0M1 1700V MOSFET de Trinchera de SiC MOSFET de Carburo de Silicio
IMBF170R1K0M1XTMA1 IMBF170R1K0M1 1700V MOSFET de Trinchera de SiC MOSFET de Carburo de Silicio
IMBF170R1K0M1XTMA1 IMBF170R1K0M1 1700V MOSFET de Trinchera de SiC MOSFET de Carburo de Silicio
IMBF170R1K0M1XTMA1 IMBF170R1K0M1 1700V MOSFET de Trinchera de SiC MOSFET de Carburo de Silicio
IMBF170R1K0M1XTMA1 IMBF170R1K0M1 1700V MOSFET de Trinchera de SiC MOSFET de Carburo de Silicio

IMBF170R1K0M1XTMA1 IMBF170R1K0M1 1700V MOSFET de Trinchera de SiC MOSFET de Carburo de Silicio

Precio FOB: US$ 1,5-30,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 5 Piezas
Tipo conductor: Circuito Integrado Bipolar
Integración: GSI
Temperatura de funcionamiento: -55℃ - 125℃
Forma: Plano
Técnicas: Circuito integrado de semiconductores
MFR.: SEMILOTEC
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Vídeo
IMZ120R045M1XKSA1 IMZ120R045M1 Transistor N-MOSFET SiC MOSFET de surco de carburo de silicio MOSFET unipolar 1.2kV 36A
IMZ120R045M1XKSA1 IMZ120R045M1 Transistor N-MOSFET SiC MOSFET de surco de carburo de silicio MOSFET unipolar 1.2kV 36A
IMZ120R045M1XKSA1 IMZ120R045M1 Transistor N-MOSFET SiC MOSFET de surco de carburo de silicio MOSFET unipolar 1.2kV 36A
IMZ120R045M1XKSA1 IMZ120R045M1 Transistor N-MOSFET SiC MOSFET de surco de carburo de silicio MOSFET unipolar 1.2kV 36A
IMZ120R045M1XKSA1 IMZ120R045M1 Transistor N-MOSFET SiC MOSFET de surco de carburo de silicio MOSFET unipolar 1.2kV 36A
IMZ120R045M1XKSA1 IMZ120R045M1 Transistor N-MOSFET SiC MOSFET de surco de carburo de silicio MOSFET unipolar 1.2kV 36A

IMZ120R045M1XKSA1 IMZ120R045M1 Transistor N-MOSFET SiC MOSFET de surco de carburo de silicio MOSFET unipolar 1.2kV 36A

Precio FOB: US$ 3,00-30,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 5 Piezas
Tipo conductor: Circuito Integrado Bipolar
Integración: GSI
Temperatura de funcionamiento: -55℃ - 125℃
Forma: Plano
Técnicas: Circuito integrado de semiconductores
MFR.: SEMILOTEC
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Vídeo
SZESD1L001W1T2G SZESD1L001 ESD1L001 Diodo de protección ESD de baja capacitancia Diodo TVS
SZESD1L001W1T2G SZESD1L001 ESD1L001 Diodo de protección ESD de baja capacitancia Diodo TVS
SZESD1L001W1T2G SZESD1L001 ESD1L001 Diodo de protección ESD de baja capacitancia Diodo TVS
SZESD1L001W1T2G SZESD1L001 ESD1L001 Diodo de protección ESD de baja capacitancia Diodo TVS
SZESD1L001W1T2G SZESD1L001 ESD1L001 Diodo de protección ESD de baja capacitancia Diodo TVS
SZESD1L001W1T2G SZESD1L001 ESD1L001 Diodo de protección ESD de baja capacitancia Diodo TVS

SZESD1L001W1T2G SZESD1L001 ESD1L001 Diodo de protección ESD de baja capacitancia Diodo TVS

Precio FOB: US$ 0,4-30,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 5 Piezas
Tipo conductor: Circuito Integrado Bipolar
Integración: GSI
Temperatura de funcionamiento: -55℃ - 125℃
Forma: Plano
Técnicas: Circuito integrado de semiconductores
MFR.: ON
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Vídeo
SMP1345-040LF SMP1345 Diodos PIN Ls=.45nH SOD-882 diodo
SMP1345-040LF SMP1345 Diodos PIN Ls=.45nH SOD-882 diodo
SMP1345-040LF SMP1345 Diodos PIN Ls=.45nH SOD-882 diodo
SMP1345-040LF SMP1345 Diodos PIN Ls=.45nH SOD-882 diodo
SMP1345-040LF SMP1345 Diodos PIN Ls=.45nH SOD-882 diodo
SMP1345-040LF SMP1345 Diodos PIN Ls=.45nH SOD-882 diodo

SMP1345-040LF SMP1345 Diodos PIN Ls=.45nH SOD-882 diodo

Precio FOB: US$ 1,3-30,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 5 Piezas
Tipo conductor: Circuito Integrado Bipolar
Integración: GSI
Temperatura de funcionamiento: -55℃ - 125℃
Forma: Plano
Técnicas: Circuito integrado de semiconductores
MFR.: SKYWORKS
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Vídeo
SMP1330-005LF SMP1330 Atenuador de Diodo PIN 20V 100mA
SMP1330-005LF SMP1330 Atenuador de Diodo PIN 20V 100mA
SMP1330-005LF SMP1330 Atenuador de Diodo PIN 20V 100mA
SMP1330-005LF SMP1330 Atenuador de Diodo PIN 20V 100mA
SMP1330-005LF SMP1330 Atenuador de Diodo PIN 20V 100mA
SMP1330-005LF SMP1330 Atenuador de Diodo PIN 20V 100mA

SMP1330-005LF SMP1330 Atenuador de Diodo PIN 20V 100mA

Precio FOB: US$ 6,00-30,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 5 Piezas
Tipo conductor: Circuito Integrado Bipolar
Integración: GSI
Temperatura de funcionamiento: -55℃ - 125℃
Forma: Plano
Técnicas: Circuito integrado de semiconductores
MFR.: SKYWORKS
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Vídeo
SM8S17A SM8S SM8S17AHE3_A/I Diodo TVS Protección Automotriz Montaje en Superficie Supresor de Voltaje Transitorio
SM8S17A SM8S SM8S17AHE3_A/I Diodo TVS Protección Automotriz Montaje en Superficie Supresor de Voltaje Transitorio
SM8S17A SM8S SM8S17AHE3_A/I Diodo TVS Protección Automotriz Montaje en Superficie Supresor de Voltaje Transitorio
SM8S17A SM8S SM8S17AHE3_A/I Diodo TVS Protección Automotriz Montaje en Superficie Supresor de Voltaje Transitorio
SM8S17A SM8S SM8S17AHE3_A/I Diodo TVS Protección Automotriz Montaje en Superficie Supresor de Voltaje Transitorio
SM8S17A SM8S SM8S17AHE3_A/I Diodo TVS Protección Automotriz Montaje en Superficie Supresor de Voltaje Transitorio

SM8S17A SM8S SM8S17AHE3_A/I Diodo TVS Protección Automotriz Montaje en Superficie Supresor de Voltaje Transitorio

Precio FOB: US$ 0,6-30,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 5 Piezas
Tipo conductor: Circuito Integrado Bipolar
Integración: GSI
Temperatura de funcionamiento: -55℃ - 125℃
Forma: Plano
Técnicas: Circuito integrado de semiconductores
MFR.: DOWO
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Vídeo
SDM20U40-7 Diodo Schottky Rectificador 40V 150mW Diodo de Silicio de Señal SDM20U40
SDM20U40-7 Diodo Schottky Rectificador 40V 150mW Diodo de Silicio de Señal SDM20U40
SDM20U40-7 Diodo Schottky Rectificador 40V 150mW Diodo de Silicio de Señal SDM20U40
SDM20U40-7 Diodo Schottky Rectificador 40V 150mW Diodo de Silicio de Señal SDM20U40
SDM20U40-7 Diodo Schottky Rectificador 40V 150mW Diodo de Silicio de Señal SDM20U40
SDM20U40-7 Diodo Schottky Rectificador 40V 150mW Diodo de Silicio de Señal SDM20U40

SDM20U40-7 Diodo Schottky Rectificador 40V 150mW Diodo de Silicio de Señal SDM20U40

Precio FOB: US$ 0,01-0,1 / Pieza
Pedido Mínimo: 5 Piezas
Tipo conductor: Circuito Integrado Bipolar
Integración: GSI
Temperatura de funcionamiento: -55℃ - 125℃
Forma: Plano
Técnicas: Circuito integrado de semiconductores
MFR.: DIODES
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Vídeo
PRTR5V0U2X Diodo de protección ESD TVS 74HC595D nuevo original
PRTR5V0U2X Diodo de protección ESD TVS 74HC595D nuevo original
PRTR5V0U2X Diodo de protección ESD TVS 74HC595D nuevo original
PRTR5V0U2X Diodo de protección ESD TVS 74HC595D nuevo original
PRTR5V0U2X Diodo de protección ESD TVS 74HC595D nuevo original
PRTR5V0U2X Diodo de protección ESD TVS 74HC595D nuevo original

PRTR5V0U2X Diodo de protección ESD TVS 74HC595D nuevo original

Precio FOB: US$ 0,18-50,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 5 Piezas
Tipo conductor: Circuito Integrado Bipolar
Integración: GSI
Temperatura de funcionamiento: -55℃ - 125℃
Forma: Plano
Técnicas: Circuito integrado de semiconductores
MFR.: SEMILOTEC
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Vídeo
CDSOT23-SRV05-4 Diodo supresor ESD Diodo TVS 5VWM SOT-23
CDSOT23-SRV05-4 Diodo supresor ESD Diodo TVS 5VWM SOT-23
CDSOT23-SRV05-4 Diodo supresor ESD Diodo TVS 5VWM SOT-23
CDSOT23-SRV05-4 Diodo supresor ESD Diodo TVS 5VWM SOT-23
CDSOT23-SRV05-4 Diodo supresor ESD Diodo TVS 5VWM SOT-23
CDSOT23-SRV05-4 Diodo supresor ESD Diodo TVS 5VWM SOT-23

CDSOT23-SRV05-4 Diodo supresor ESD Diodo TVS 5VWM SOT-23

Precio FOB: US$ 0,22-340,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 50 Piezas
Tipo conductor: Circuito Integrado Bipolar
Integración: GSI
Temperatura de funcionamiento: -55℃ - 125℃
Forma: Plano
Técnicas: Circuito integrado de semiconductores
MFG.: BOURNS
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Vídeo
BT136-600E,127 BT136-600E Tiristor TRIAC 600V 27A ic
BT136-600E,127 BT136-600E Tiristor TRIAC 600V 27A ic
BT136-600E,127 BT136-600E Tiristor TRIAC 600V 27A ic
BT136-600E,127 BT136-600E Tiristor TRIAC 600V 27A ic
BT136-600E,127 BT136-600E Tiristor TRIAC 600V 27A ic
BT136-600E,127 BT136-600E Tiristor TRIAC 600V 27A ic

BT136-600E,127 BT136-600E Tiristor TRIAC 600V 27A ic

Precio FOB: US$ 0,1-340,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 50 Piezas
Tipo conductor: Circuito Integrado Bipolar
Integración: GSI
Temperatura de funcionamiento: -55℃ - 125℃
Forma: Plano
Técnicas: Circuito integrado de semiconductores
MFG.: WEEN
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Vídeo
IRFP1405PBF IRFP1405 12V-300V Transistor MOSFET de potencia N-Channel
IRFP1405PBF IRFP1405 12V-300V Transistor MOSFET de potencia N-Channel
IRFP1405PBF IRFP1405 12V-300V Transistor MOSFET de potencia N-Channel
IRFP1405PBF IRFP1405 12V-300V Transistor MOSFET de potencia N-Channel
IRFP1405PBF IRFP1405 12V-300V Transistor MOSFET de potencia N-Channel
IRFP1405PBF IRFP1405 12V-300V Transistor MOSFET de potencia N-Channel

IRFP1405PBF IRFP1405 12V-300V Transistor MOSFET de potencia N-Channel

Precio FOB: US$ 1,00-340,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 50 Piezas
Tipo conductor: Circuito Integrado Bipolar
Integración: GSI
Temperatura de funcionamiento: -55℃ - 125℃
Forma: Plano
Técnicas: Circuito integrado de semiconductores
MFG.: INFINEON
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Vídeo
DSEI30-06A 600V 50A Diodo Rectificador FRED TO247
DSEI30-06A 600V 50A Diodo Rectificador FRED TO247
DSEI30-06A 600V 50A Diodo Rectificador FRED TO247
DSEI30-06A 600V 50A Diodo Rectificador FRED TO247
DSEI30-06A 600V 50A Diodo Rectificador FRED TO247
DSEI30-06A 600V 50A Diodo Rectificador FRED TO247

DSEI30-06A 600V 50A Diodo Rectificador FRED TO247

Precio FOB: US$ 1,2-340,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 50 Piezas
Tipo conductor: Circuito Integrado Bipolar
Integración: GSI
Temperatura de funcionamiento: -55℃ - 125℃
Forma: Plano
Técnicas: Circuito integrado de semiconductores
MFG.: IXYS
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Vídeo
DMG2301L-7 DMG2301L-13 DMG2301L TRANSISTOR MOSFET IC
DMG2301L-7 DMG2301L-13 DMG2301L TRANSISTOR MOSFET IC
DMG2301L-7 DMG2301L-13 DMG2301L TRANSISTOR MOSFET IC
DMG2301L-7 DMG2301L-13 DMG2301L TRANSISTOR MOSFET IC
DMG2301L-7 DMG2301L-13 DMG2301L TRANSISTOR MOSFET IC
DMG2301L-7 DMG2301L-13 DMG2301L TRANSISTOR MOSFET IC

DMG2301L-7 DMG2301L-13 DMG2301L TRANSISTOR MOSFET IC

Precio FOB: US$ 0,03-340,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 50 Piezas
Tipo conductor: Circuito Integrado Bipolar
Integración: GSI
Temperatura de funcionamiento: -55℃ - 125℃
Forma: Plano
Técnicas: Circuito integrado de semiconductores
MFG.: DIODES
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Vídeo
MBRA340T3G MBRA340 Diodo rectificador Schottky Si 40V 3A diodos SMA
MBRA340T3G MBRA340 Diodo rectificador Schottky Si 40V 3A diodos SMA
MBRA340T3G MBRA340 Diodo rectificador Schottky Si 40V 3A diodos SMA
MBRA340T3G MBRA340 Diodo rectificador Schottky Si 40V 3A diodos SMA
MBRA340T3G MBRA340 Diodo rectificador Schottky Si 40V 3A diodos SMA
MBRA340T3G MBRA340 Diodo rectificador Schottky Si 40V 3A diodos SMA

MBRA340T3G MBRA340 Diodo rectificador Schottky Si 40V 3A diodos SMA

Precio FOB: US$ 0,1-340,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 50 Piezas
Tipo conductor: Circuito Integrado Bipolar
Integración: GSI
Temperatura de funcionamiento: -55℃ - 125℃
Forma: Plano
Técnicas: Circuito integrado de semiconductores
MFG.: ONSEMI
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Vídeo
6N137SDM 6N137SM 6N137M Puerta lógica de transistor Optoacoplador
6N137SDM 6N137SM 6N137M Puerta lógica de transistor Optoacoplador
6N137SDM 6N137SM 6N137M Puerta lógica de transistor Optoacoplador
6N137SDM 6N137SM 6N137M Puerta lógica de transistor Optoacoplador
6N137SDM 6N137SM 6N137M Puerta lógica de transistor Optoacoplador
6N137SDM 6N137SM 6N137M Puerta lógica de transistor Optoacoplador

6N137SDM 6N137SM 6N137M Puerta lógica de transistor Optoacoplador

Precio FOB: US$ 0,04-340,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 50 Piezas
Tipo conductor: Circuito Integrado Bipolar
Integración: GSI
Temperatura de funcionamiento: -55℃ - 125℃
Forma: Plano
Técnicas: Circuito integrado de semiconductores
MFG.: ONSEMI
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Vídeo
SM712-02HTG SM712 Diodo de Protección ESD Diodos TVS 600W Diodo Supresor ESD
SM712-02HTG SM712 Diodo de Protección ESD Diodos TVS 600W Diodo Supresor ESD
SM712-02HTG SM712 Diodo de Protección ESD Diodos TVS 600W Diodo Supresor ESD
SM712-02HTG SM712 Diodo de Protección ESD Diodos TVS 600W Diodo Supresor ESD
SM712-02HTG SM712 Diodo de Protección ESD Diodos TVS 600W Diodo Supresor ESD
SM712-02HTG SM712 Diodo de Protección ESD Diodos TVS 600W Diodo Supresor ESD

SM712-02HTG SM712 Diodo de Protección ESD Diodos TVS 600W Diodo Supresor ESD

Precio FOB: US$ 0,15-340,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 50 Piezas
Tipo conductor: Circuito Integrado Bipolar
Integración: GSI
Temperatura de funcionamiento: -55℃ - 125℃
Forma: Plano
Técnicas: Circuito integrado de semiconductores
MFG.: LITTELFUSE
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Vídeo
IRF4905PBF IRF4905 transistor mosfet P-CH Si 55V 74A P-MOSFET unipolar ic
IRF4905PBF IRF4905 transistor mosfet P-CH Si 55V 74A P-MOSFET unipolar ic
IRF4905PBF IRF4905 transistor mosfet P-CH Si 55V 74A P-MOSFET unipolar ic
IRF4905PBF IRF4905 transistor mosfet P-CH Si 55V 74A P-MOSFET unipolar ic
IRF4905PBF IRF4905 transistor mosfet P-CH Si 55V 74A P-MOSFET unipolar ic
IRF4905PBF IRF4905 transistor mosfet P-CH Si 55V 74A P-MOSFET unipolar ic

IRF4905PBF IRF4905 transistor mosfet P-CH Si 55V 74A P-MOSFET unipolar ic

Precio FOB: US$ 0,6-340,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 50 Piezas
Tipo conductor: Circuito Integrado Bipolar
Integración: GSI
Temperatura de funcionamiento: -55℃ - 125℃
Forma: Plano
Técnicas: Circuito integrado de semiconductores
MFG.: INFINEON
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Vídeo
1N5819WS S4 40V Diodo Schottky de Tipo Independiente 1N5819BWS 1N5819CWS
1N5819WS S4 40V Diodo Schottky de Tipo Independiente 1N5819BWS 1N5819CWS
1N5819WS S4 40V Diodo Schottky de Tipo Independiente 1N5819BWS 1N5819CWS
1N5819WS S4 40V Diodo Schottky de Tipo Independiente 1N5819BWS 1N5819CWS
1N5819WS S4 40V Diodo Schottky de Tipo Independiente 1N5819BWS 1N5819CWS
1N5819WS S4 40V Diodo Schottky de Tipo Independiente 1N5819BWS 1N5819CWS

1N5819WS S4 40V Diodo Schottky de Tipo Independiente 1N5819BWS 1N5819CWS

Precio FOB: US$ 0,06-340,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 50 Piezas
Tipo conductor: Circuito Integrado Bipolar
Integración: GSI
Temperatura de funcionamiento: -55℃ - 125℃
Forma: Plano
Técnicas: Circuito integrado de semiconductores
MFG.: JSMICRO
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Vídeo
Conmutación NPN de montaje superficial de 40 V 200 mA serie PMBT3904.215 PMBT3904 Transistor
Conmutación NPN de montaje superficial de 40 V 200 mA serie PMBT3904.215 PMBT3904 Transistor
Conmutación NPN de montaje superficial de 40 V 200 mA serie PMBT3904.215 PMBT3904 Transistor
Conmutación NPN de montaje superficial de 40 V 200 mA serie PMBT3904.215 PMBT3904 Transistor
Conmutación NPN de montaje superficial de 40 V 200 mA serie PMBT3904.215 PMBT3904 Transistor
Conmutación NPN de montaje superficial de 40 V 200 mA serie PMBT3904.215 PMBT3904 Transistor

Conmutación NPN de montaje superficial de 40 V 200 mA serie PMBT3904.215 PMBT3904 Transistor

Precio FOB: US$ 0,072-15,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 100 Piezas
Tipo conductor: Circuito Integrado Unipolar
Integración: ULSI
Temperatura de funcionamiento: -55℃ - 125℃
Forma: SMD
Técnicas: Circuito Integrado de Película Delgada
D/C: 17+
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Vídeo
STGD4M65DF2 CHIP IGBT DE TRANSISTOR DE PUERTA TRENCH
STGD4M65DF2 CHIP IGBT DE TRANSISTOR DE PUERTA TRENCH
STGD4M65DF2 CHIP IGBT DE TRANSISTOR DE PUERTA TRENCH
STGD4M65DF2 CHIP IGBT DE TRANSISTOR DE PUERTA TRENCH
STGD4M65DF2 CHIP IGBT DE TRANSISTOR DE PUERTA TRENCH
STGD4M65DF2 CHIP IGBT DE TRANSISTOR DE PUERTA TRENCH

STGD4M65DF2 CHIP IGBT DE TRANSISTOR DE PUERTA TRENCH

Precio FOB: US$ 0,072-15,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 100 Piezas
Tipo conductor: Circuito Integrado Unipolar
Integración: ULSI
Técnicas: Circuito Integrado de Película Delgada
MFG.: ST
D/C: 17+
Package: DPAK-3
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Vídeo
El STP55NF06 El transistor MOSFET N-CH 60V 50A
El STP55NF06 El transistor MOSFET N-CH 60V 50A
El STP55NF06 El transistor MOSFET N-CH 60V 50A
El STP55NF06 El transistor MOSFET N-CH 60V 50A
El STP55NF06 El transistor MOSFET N-CH 60V 50A
El STP55NF06 El transistor MOSFET N-CH 60V 50A

El STP55NF06 El transistor MOSFET N-CH 60V 50A

Precio FOB: US$ 0,072-15,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 100 Piezas
Tipo conductor: Circuito Integrado Unipolar
Integración: ULSI
Técnicas: Circuito Integrado de Película Delgada
MFG.: ST
D/C: 17+
Package: TO-220
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Lm358p Amplificador Operacional de Bajo Consumo / Transistor / Circuito Integrado (CI)
Lm358p Amplificador Operacional de Bajo Consumo / Transistor / Circuito Integrado (CI)
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Lm358p Amplificador Operacional de Bajo Consumo / Transistor / Circuito Integrado (CI)

Precio FOB: US$ 0,072-15,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 100 Piezas
Tipo conductor: Circuito Integrado Unipolar
Integración: ULSI
Técnicas: Circuito Integrado de Película Delgada
MFG.: TI
D/C: 17+
Package: TSSOP-8
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STD20NF20 transistor MOSFET N-CANALES 200V 18A
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STD20NF20 transistor MOSFET N-CANALES 200V 18A

STD20NF20 transistor MOSFET N-CANALES 200V 18A

Precio FOB: US$ 11,00-12,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 100 Piezas
Tipo conductor: Circuito Integrado Unipolar
Integración: MSI
Técnicas: Circuito integrado de semiconductores
MFG.: ST
D/C: 17+
Package: DPAK
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