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La pureza 99.99999% Tetraethylorthosilicate Teos gas para el proceso de deposición de

No CAS.: 78-10-4
Fórmula: Si (Oc2h5) 4
EINECS: 201-083-8
Constituyente: Aire Puro Industrial
Estándar Grado: Electronic Grade
Química de la propiedad: Gas no inflamable

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Información Básica.

No. de Modelo.
TEOS
Paquete de Transporte
Y-Cylinder, T-Drum, Tt, Tanker
Especificación
20L, 40L, 280L and customizable
Marca Comercial
Kaimei
Origen
Suzhou, China
Código del HS
2812190091
Capacidad de Producción
50000kg/Month

Descripción de Producto

Las descripciones del producto:

Nombre químico:Tetraethylorthosilicate
Es incoloro líquido transparente.  Similar a: Silikate Wacker AT28, Z-6697 Dow Corning, KBE-04,Momentive ShinEtsu TEOSPure,Evonik Dynasylan un

Producto specfication:
 
CAS No. 11099-06-2
La pureza, % 99% Mín.
Peso molecular 740
Densidad(ρ20)g/cm3 1.05-1.07
El dióxido de silicio 40-42%

El tipo de entrega


Kaimei Jiangsu materiales electrónicos Co., Ltd es atendido por personal capacitado, se combinan muchos años de experiencia en la industria del gas .el cilindro de suministro de gas, gas electrónico, etc., y el gas titular, en el panel, válvulas y accesorios y otros equipos, piezas y servicios de ingeniería para nuestros clientes en China y en todo el mundo; los productos están involucrados en diversos campos industriales, tales como el chip semiconductor, célula solar, LED, pantalla TFT-LCD, fibra óptica, vidrio, láser, la medicina , etc., Nuestra misión es socio con nuestros clientes globales para proporcionar apoyo, soluciones y productos de calidad que sean innovadores, fiables y seguras.
Nuestros productos incluyen principalmente: H2, O2, N2, Ar, el CO2, el propano, acetileno, láser de helio, mezcla de gas, SiH4, Sih2Cl2, SiHCL3 SiCL4, NH3, el CF4, la NF3, el SF6, HCL, N2O, el dopaje gas mixto (TMB, PH3, B2H6) y otros medios electrónicos de los gases.


High Purity 99.99999% Tetraethylorthosilicate Teos Gas for Deposition Process High Purity 99.99999% Tetraethylorthosilicate Teos Gas for Deposition Process High Purity 99.99999% Tetraethylorthosilicate Teos Gas for Deposition Process
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Año de Establecimiento
2016-08-18