Tecnología de Fabricación: | Semiconductores Optoelectrónicos |
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Material: | Elemento Semiconductor |
Tipo: | Laser Diode |
Paquete: | Through Hole |
Procesamiento De La Señal: | Simulación |
Aplicación: | Medical Use, Material Processes, Measurement |
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El parámetro | Símbolo | Clasificaciones | Unidad |
La potencia de salida óptica | Po(AQ) | 500 | MW |
El voltaje inverso | Vr | 2 | V |
La temperatura de funcionamiento | Top | -10~40 | °C. |
La temperatura de almacenamiento | Tstg | -40~+80 | °C. |
El parámetro | Los símbolos | Condiciones | Min | Típ. | Máx. | Las unidades | |
Corriente de umbral | Ith | - | - | 50 | 70 | MA | |
Corriente de funcionamiento | La PIO | Po=500mW | - | 500 | 600 | MA | |
La tensión de funcionamiento | Vop | Po=500mW | - | 1.8 | 2.1. | V. | |
Pendiente La eficiencia |
Η |
- | 0.8 |
1.0 |
- |
MW/mA |
|
- | |||||||
Divergencia del haz (Aam) |
En paralelo | Θ | Po=500mW | 9 | 12 | 15 | Grados |
Perpendicular | Θ⊥ | Po=500mW | 28 | 30 | 35 | Grados | |
Ángulo de desviación paralela | Θ | Po=500mW | -3 | - | 3 | Grados | |
Ángulo de desviación de la perpendicular | Θ⊥ | Po=500mW | -3 | - | 3 | Grados | |
La precisión de punto de emisión | X, Y, Z | Po=500mW | -80 | - | 80 | Um | |
Longitud de onda de Lasing | Λp | Po=500mW | 805 | 808 | 811 | Nm |
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