Inicio Producto Eléctrico y Electrónico Circuito Integrado Los transistores de efecto de campo 2024 Lista de Productos

Los transistores de efecto de campo

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Modo de mejora de canal N Transistor de efecto de campo excelente paquete para el calor Disipación PEAJE fetos aplicaciones YJT300G10AQ

Modo de mejora de canal N Transistor de efecto de campo excelente paquete para el calor Disipación PEAJE fetos aplicaciones YJT300G10AQ

Modo de mejora de canal N Transistor de efecto de campo excelente paquete para el calor Disipación PEAJE fetos aplicaciones YJT300G10AQ

Modo de mejora de canal N Transistor de efecto de campo excelente paquete para el calor Disipación PEAJE fetos aplicaciones YJT300G10AQ

Modo de mejora de canal N Transistor de efecto de campo excelente paquete para el calor Disipación PEAJE fetos aplicaciones YJT300G10AQ

Modo de mejora de canal N Transistor de efecto de campo excelente paquete para el calor Disipación PEAJE fetos aplicaciones YJT300G10AQ

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Modo de mejora de canal N Transistor de efecto de campo excelente paquete para el calor Disipación PEAJE fetos aplicaciones YJT300G10AQ

US$ 0,71 / Pieza

1.000 Piezas (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Material: Silicio

Embalaje: Plastic Package

Estándar: Customized

Marca: YJ

MOSFET original Fqpf4n60c Transistor de efecto de campo Fqpf4n60 4n60 componentes electrónicos Servicio de PCB de BOM

MOSFET original Fqpf4n60c Transistor de efecto de campo Fqpf4n60 4n60 componentes electrónicos Servicio de PCB de BOM

MOSFET original Fqpf4n60c Transistor de efecto de campo Fqpf4n60 4n60 componentes electrónicos Servicio de PCB de BOM

MOSFET original Fqpf4n60c Transistor de efecto de campo Fqpf4n60 4n60 componentes electrónicos Servicio de PCB de BOM

MOSFET original Fqpf4n60c Transistor de efecto de campo Fqpf4n60 4n60 componentes electrónicos Servicio de PCB de BOM

MOSFET original Fqpf4n60c Transistor de efecto de campo Fqpf4n60 4n60 componentes electrónicos Servicio de PCB de BOM

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MOSFET original Fqpf4n60c Transistor de efecto de campo Fqpf4n60 4n60 componentes electrónicos Servicio de PCB de BOM

US$ 0,12-0,99 / Pieza

10 Piezas (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO

Forma: ST

Tipo de blindaje: Cut-Off remota del tubo de blindaje

Estructura de encapsulación: chip de transistor

Material: Germanio

Embalaje: Package

Transistor de efecto de campo PIN (PIN-FET) /conjunto de recepción óptica/módulo receptor óptico/PIN-FET

Transistor de efecto de campo PIN (PIN-FET) /conjunto de recepción óptica/módulo receptor óptico/PIN-FET

Transistor de efecto de campo PIN (PIN-FET) /conjunto de recepción óptica/módulo receptor óptico/PIN-FET

Transistor de efecto de campo PIN (PIN-FET) /conjunto de recepción óptica/módulo receptor óptico/PIN-FET

Transistor de efecto de campo PIN (PIN-FET) /conjunto de recepción óptica/módulo receptor óptico/PIN-FET

Transistor de efecto de campo PIN (PIN-FET) /conjunto de recepción óptica/módulo receptor óptico/PIN-FET

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Transistor de efecto de campo PIN (PIN-FET) /conjunto de recepción óptica/módulo receptor óptico/PIN-FET

US$ 230,00-300,00 / Pieza

10 Piezas (MOQ)

Shanghai Rui Tai Photoelectric Technology Co., Ltd.

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Embalaje: 100PCS Per Carton

Estándar: custom as per demand

Marca: Raytek

Origen: China

Código del HS: 8517795000

Capacidad de Producción: 100000000PCS Per Year

Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor velocidad de conmutación rápida SOT-23 Fetures aplicaciones 2N7002KCQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor velocidad de conmutación rápida SOT-23 Fetures aplicaciones 2N7002KCQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor velocidad de conmutación rápida SOT-23 Fetures aplicaciones 2N7002KCQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor velocidad de conmutación rápida SOT-23 Fetures aplicaciones 2N7002KCQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor velocidad de conmutación rápida SOT-23 Fetures aplicaciones 2N7002KCQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor velocidad de conmutación rápida SOT-23 Fetures aplicaciones 2N7002KCQ

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Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor velocidad de conmutación rápida SOT-23 Fetures aplicaciones 2N7002KCQ

US$ 0,14-1,15 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Embalaje: Plastic Package

Estándar: Customized

Marca: YJ

Origen: Guangdong, China

Original Nuevo campo de inversor 23n50e 23n50 MOSFET 500V 23A to-247 Transistor MOSFET de efecto

Original Nuevo campo de inversor 23n50e 23n50 MOSFET 500V 23A to-247 Transistor MOSFET de efecto

Original Nuevo campo de inversor 23n50e 23n50 MOSFET 500V 23A to-247 Transistor MOSFET de efecto

Original Nuevo campo de inversor 23n50e 23n50 MOSFET 500V 23A to-247 Transistor MOSFET de efecto

Original Nuevo campo de inversor 23n50e 23n50 MOSFET 500V 23A to-247 Transistor MOSFET de efecto

Original Nuevo campo de inversor 23n50e 23n50 MOSFET 500V 23A to-247 Transistor MOSFET de efecto

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Original Nuevo campo de inversor 23n50e 23n50 MOSFET 500V 23A to-247 Transistor MOSFET de efecto

US$ 1,00 / Pieza

10 Piezas (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO

Forma: ST

Tipo de blindaje: Cut-Off remota del tubo de blindaje

Estructura de encapsulación: chip de transistor

Material: Germanio

Embalaje: Package

CEP38N65S de doble modo de mejora de canal N Transistor de efecto campo

CEP38N65S de doble modo de mejora de canal N Transistor de efecto campo

CEP38N65S de doble modo de mejora de canal N Transistor de efecto campo

CEP38N65S de doble modo de mejora de canal N Transistor de efecto campo

CEP38N65S de doble modo de mejora de canal N Transistor de efecto campo

CEP38N65S de doble modo de mejora de canal N Transistor de efecto campo

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CEP38N65S de doble modo de mejora de canal N Transistor de efecto campo

US$ 2,00-5,00 / Pieza

1.000 Piezas (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Estructura de encapsulación: chip de transistor

Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO,CCC

Intensidad luminosa: Estándar

Material: Silicio

Embalaje: Plastic Package

Origen: Guangdong, China

(Componentes electrónicos) modo de mejora del canal P Transistor de efecto de campo Aod4185

(Componentes electrónicos) modo de mejora del canal P Transistor de efecto de campo Aod4185

(Componentes electrónicos) modo de mejora del canal P Transistor de efecto de campo Aod4185

(Componentes electrónicos) modo de mejora del canal P Transistor de efecto de campo Aod4185

(Componentes electrónicos) modo de mejora del canal P Transistor de efecto de campo Aod4185

(Componentes electrónicos) modo de mejora del canal P Transistor de efecto de campo Aod4185

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(Componentes electrónicos) modo de mejora del canal P Transistor de efecto de campo Aod4185

US$ 0,081-0,084 / Pieza

100 Piezas (MOQ)

Hangzhou Electric Driving Technology Co., Ltd.

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forma: INMERSIÓN

Tipo de conductor: Unipolar Circuito Integrado

Embalaje: Carton Box

Estándar: 22x17

Marca: EDT

Origen: Zhejiang

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor libre de halógenos HASTA-252 fetos Aplicaciones YJD20N06AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor libre de halógenos HASTA-252 fetos Aplicaciones YJD20N06AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor libre de halógenos HASTA-252 fetos Aplicaciones YJD20N06AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor libre de halógenos HASTA-252 fetos Aplicaciones YJD20N06AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor libre de halógenos HASTA-252 fetos Aplicaciones YJD20N06AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor libre de halógenos HASTA-252 fetos Aplicaciones YJD20N06AQ

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Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor libre de halógenos HASTA-252 fetos Aplicaciones YJD20N06AQ

US$ 0,18-1,31 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Embalaje: Plastic Package

Estándar: Customized

Marca: YJ

Origen: Guangdong, China

Capacidad de Producción: 10000 Pieces/Day

Modo de mejora de canal P efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD18GP10AQ

Modo de mejora de canal P efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD18GP10AQ

Modo de mejora de canal P efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD18GP10AQ

Modo de mejora de canal P efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD18GP10AQ

Modo de mejora de canal P efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD18GP10AQ

Modo de mejora de canal P efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD18GP10AQ

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Modo de mejora de canal P efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD18GP10AQ

US$ 0,11-1,22 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS

Material: Silicio

Embalaje: Plastic Package

Estándar: Customized

Marca: YJ

Origen: Guangdong, China

Modo de mejora de canal N efecto de campo Potencia de transistor MOSFET obtiene Diodo de aplicaciones 20V, 5A CET-CES2312A

Modo de mejora de canal N efecto de campo Potencia de transistor MOSFET obtiene Diodo de aplicaciones 20V, 5A CET-CES2312A

Modo de mejora de canal N efecto de campo Potencia de transistor MOSFET obtiene Diodo de aplicaciones 20V, 5A CET-CES2312A

Modo de mejora de canal N efecto de campo Potencia de transistor MOSFET obtiene Diodo de aplicaciones 20V, 5A CET-CES2312A

Modo de mejora de canal N efecto de campo Potencia de transistor MOSFET obtiene Diodo de aplicaciones 20V, 5A CET-CES2312A

Modo de mejora de canal N efecto de campo Potencia de transistor MOSFET obtiene Diodo de aplicaciones 20V, 5A CET-CES2312A

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Modo de mejora de canal N efecto de campo Potencia de transistor MOSFET obtiene Diodo de aplicaciones 20V, 5A CET-CES2312A

US$ 0,08-1,00 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO,CCC

Función: Volver transistor de alta presión

Estructura: planar

Material: Silicio

Embalaje: Plastic Package

Estándar: Customized

CEM9926A modo de mejora de canal N doble Transistor de efecto de campo

CEM9926A modo de mejora de canal N doble Transistor de efecto de campo

CEM9926A modo de mejora de canal N doble Transistor de efecto de campo

CEM9926A modo de mejora de canal N doble Transistor de efecto de campo

CEM9926A modo de mejora de canal N doble Transistor de efecto de campo

CEM9926A modo de mejora de canal N doble Transistor de efecto de campo

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CEM9926A modo de mejora de canal N doble Transistor de efecto de campo

US$ 0,1-0,13 / Pieza

1.000 Piezas (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Estructura de encapsulación: chip de transistor

Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO,CCC

Intensidad luminosa: Estándar

Material: Silicio

Embalaje: Plastic Package

Origen: Guangdong, China

Llegar a Aprobado Sop-8 60V 6A Field Effect Transistor Mosfet

Llegar a Aprobado Sop-8 60V 6A Field Effect Transistor Mosfet

Llegar a Aprobado Sop-8 60V 6A Field Effect Transistor Mosfet

Llegar a Aprobado Sop-8 60V 6A Field Effect Transistor Mosfet

Llegar a Aprobado Sop-8 60V 6A Field Effect Transistor Mosfet

Llegar a Aprobado Sop-8 60V 6A Field Effect Transistor Mosfet

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Favoritos

Llegar a Aprobado Sop-8 60V 6A Field Effect Transistor Mosfet

US$ 0,001-9,99 / Pieza

20 Piezas (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS,ISO

Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada

Nivel de potencia: Media Potencia

Material: Silicio

Estándar: SOP-8 package

Marca: GOFORD

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJGD50G06AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJGD50G06AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJGD50G06AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJGD50G06AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJGD50G06AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJGD50G06AQ

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Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJGD50G06AQ

US$ 0,98 / Pieza

1.000 Piezas (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Material: Silicio

Embalaje: Plastic Package

Estándar: Customized

Marca: YJ

2SK3667 Original Transistor de efecto campo Silicon 2SK3667 transistor MOSFET de canal N

2SK3667 Original Transistor de efecto campo Silicon 2SK3667 transistor MOSFET de canal N

2SK3667 Original Transistor de efecto campo Silicon 2SK3667 transistor MOSFET de canal N

2SK3667 Original Transistor de efecto campo Silicon 2SK3667 transistor MOSFET de canal N

2SK3667 Original Transistor de efecto campo Silicon 2SK3667 transistor MOSFET de canal N

2SK3667 Original Transistor de efecto campo Silicon 2SK3667 transistor MOSFET de canal N

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2SK3667 Original Transistor de efecto campo Silicon 2SK3667 transistor MOSFET de canal N

US$ 0,01-0,1 / Pieza

10 Piezas (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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forma: Plano

Tipo de conductor: Unipolar Circuito Integrado

Técnica: Semiconductor IC

Embalaje: N/a

Estándar: N/A

Marca: N/A

Modo de mejora de canal P efecto de campo transistor de pérdida de conmutación extremadamente baja SOT-23 obtiene aplicaciones YJL3415KCQ

Modo de mejora de canal P efecto de campo transistor de pérdida de conmutación extremadamente baja SOT-23 obtiene aplicaciones YJL3415KCQ

Modo de mejora de canal P efecto de campo transistor de pérdida de conmutación extremadamente baja SOT-23 obtiene aplicaciones YJL3415KCQ

Modo de mejora de canal P efecto de campo transistor de pérdida de conmutación extremadamente baja SOT-23 obtiene aplicaciones YJL3415KCQ

Modo de mejora de canal P efecto de campo transistor de pérdida de conmutación extremadamente baja SOT-23 obtiene aplicaciones YJL3415KCQ

Modo de mejora de canal P efecto de campo transistor de pérdida de conmutación extremadamente baja SOT-23 obtiene aplicaciones YJL3415KCQ

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Modo de mejora de canal P efecto de campo transistor de pérdida de conmutación extremadamente baja SOT-23 obtiene aplicaciones YJL3415KCQ

US$ 0,86 / Pieza

1.000 Piezas (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Material: Silicio

Embalaje: Plastic Package

Estándar: Customized

Marca: YJ

Circuitos integrados originales Irfz34npbf Power Field-Effect to-220 Transistor

Circuitos integrados originales Irfz34npbf Power Field-Effect to-220 Transistor

Circuitos integrados originales Irfz34npbf Power Field-Effect to-220 Transistor

Circuitos integrados originales Irfz34npbf Power Field-Effect to-220 Transistor

Circuitos integrados originales Irfz34npbf Power Field-Effect to-220 Transistor

Circuitos integrados originales Irfz34npbf Power Field-Effect to-220 Transistor

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Circuitos integrados originales Irfz34npbf Power Field-Effect to-220 Transistor

US$ 0,2-0,3 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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forma: Plano

Tipo de conductor: Unipolar Circuito Integrado

Técnica: Semiconductor IC

Embalaje: N/a

Estándar: N/A

Marca: N/A

Modo de mejora de canal P efecto de campo Transistor libre de halógenos sensibilidad a la humedad Nivel 3 PDFN5060-8L obtiene aplicaciones YJG80GP06BQ

Modo de mejora de canal P efecto de campo Transistor libre de halógenos sensibilidad a la humedad Nivel 3 PDFN5060-8L obtiene aplicaciones YJG80GP06BQ

Modo de mejora de canal P efecto de campo Transistor libre de halógenos sensibilidad a la humedad Nivel 3 PDFN5060-8L obtiene aplicaciones YJG80GP06BQ

Modo de mejora de canal P efecto de campo Transistor libre de halógenos sensibilidad a la humedad Nivel 3 PDFN5060-8L obtiene aplicaciones YJG80GP06BQ

Modo de mejora de canal P efecto de campo Transistor libre de halógenos sensibilidad a la humedad Nivel 3 PDFN5060-8L obtiene aplicaciones YJG80GP06BQ

Modo de mejora de canal P efecto de campo Transistor libre de halógenos sensibilidad a la humedad Nivel 3 PDFN5060-8L obtiene aplicaciones YJG80GP06BQ

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Modo de mejora de canal P efecto de campo Transistor libre de halógenos sensibilidad a la humedad Nivel 3 PDFN5060-8L obtiene aplicaciones YJG80GP06BQ

US$ 0,89 / Pieza

100 Piezas (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Nivel de potencia: Alto Voltaje

Material: Silicio

Embalaje: Plastic Package

Estándar: Customized

Modo de mejora de canal P efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD15GP10HQ

Modo de mejora de canal P efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD15GP10HQ

Modo de mejora de canal P efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD15GP10HQ

Modo de mejora de canal P efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD15GP10HQ

Modo de mejora de canal P efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD15GP10HQ

Modo de mejora de canal P efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD15GP10HQ

1/ 6

Favoritos

Modo de mejora de canal P efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD15GP10HQ

US$ 0,18-1,19 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS

Material: Silicio

Embalaje: Plastic Package

Estándar: Customized

Marca: YJ

Origen: Guangdong, China

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG310G04HJRQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG310G04HJRQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG310G04HJRQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG310G04HJRQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG310G04HJRQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG310G04HJRQ

1/ 6

Favoritos

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG310G04HJRQ

US$ 0,83 / Pieza

1.000 Piezas (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Material: Silicio

Embalaje: Plastic Package

Estándar: Customized

Marca: YJ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 3 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG70G06AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 3 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG70G06AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 3 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG70G06AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 3 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG70G06AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 3 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG70G06AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 3 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG70G06AQ

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Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 3 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG70G06AQ

US$ 0,79 / Pieza

1.000 Piezas (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Material: Silicio

Embalaje: Plastic Package

Estándar: Customized

Marca: YJ

SOT-23 Mosfets encapsulados de plástico Cj3401 modo de mejora de canal P Transistor de efecto de campo

SOT-23 Mosfets encapsulados de plástico Cj3401 modo de mejora de canal P Transistor de efecto de campo

SOT-23 Mosfets encapsulados de plástico Cj3401 modo de mejora de canal P Transistor de efecto de campo

SOT-23 Mosfets encapsulados de plástico Cj3401 modo de mejora de canal P Transistor de efecto de campo

SOT-23 Mosfets encapsulados de plástico Cj3401 modo de mejora de canal P Transistor de efecto de campo

SOT-23 Mosfets encapsulados de plástico Cj3401 modo de mejora de canal P Transistor de efecto de campo

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SOT-23 Mosfets encapsulados de plástico Cj3401 modo de mejora de canal P Transistor de efecto de campo

US$ 0,0164-0,0185 / Pieza

3.000 Piezas (MOQ)

Shenzhen Dulcimer Technology Co., Ltd.

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Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada

Instalación: SMD Tríodo

Embalaje: Carton Box

Estándar: CJ3401 SOT-23

Marca: CJ

Modo de mejora de canal N Transistor de efecto de campo excelente paquete para el calor Disipación DFN3333-8L Fetures aplicaciones YJQ35N04AQ

Modo de mejora de canal N Transistor de efecto de campo excelente paquete para el calor Disipación DFN3333-8L Fetures aplicaciones YJQ35N04AQ

Modo de mejora de canal N Transistor de efecto de campo excelente paquete para el calor Disipación DFN3333-8L Fetures aplicaciones YJQ35N04AQ

Modo de mejora de canal N Transistor de efecto de campo excelente paquete para el calor Disipación DFN3333-8L Fetures aplicaciones YJQ35N04AQ

Modo de mejora de canal N Transistor de efecto de campo excelente paquete para el calor Disipación DFN3333-8L Fetures aplicaciones YJQ35N04AQ

Modo de mejora de canal N Transistor de efecto de campo excelente paquete para el calor Disipación DFN3333-8L Fetures aplicaciones YJQ35N04AQ

1/ 6

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Modo de mejora de canal N Transistor de efecto de campo excelente paquete para el calor Disipación DFN3333-8L Fetures aplicaciones YJQ35N04AQ

US$ 0,97 / Pieza

1.000 Piezas (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Material: Silicio

Embalaje: Plastic Package

Estándar: Customized

Marca: YJ

Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD40G10AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD40G10AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD40G10AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD40G10AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD40G10AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD40G10AQ

1/ 6

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Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD40G10AQ

US$ 0,12-1,26 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Material: Silicio

Embalaje: Plastic Package

Estándar: Customized

Marca: YJ

Modo de mejora del canal P efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL3407CQ

Modo de mejora del canal P efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL3407CQ

Modo de mejora del canal P efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL3407CQ

Modo de mejora del canal P efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL3407CQ

Modo de mejora del canal P efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL3407CQ

Modo de mejora del canal P efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL3407CQ

1/ 6

Favoritos

Modo de mejora del canal P efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL3407CQ

US$ 0,8 / Pieza

1.000 Piezas (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Material: Silicio

Embalaje: Plastic Package

Estándar: Customized

Marca: YJ

600V N Canales Super Junction transistor Fetures aplicaciones N-Ch SJ MOS (S3) de la EDS Aplicación Zener SMPS, UPS, PFC, TELECOM, SemiHow-HC60R290S

600V N Canales Super Junction transistor Fetures aplicaciones N-Ch SJ MOS (S3) de la EDS Aplicación Zener SMPS, UPS, PFC, TELECOM, SemiHow-HC60R290S

600V N Canales Super Junction transistor Fetures aplicaciones N-Ch SJ MOS (S3) de la EDS Aplicación Zener SMPS, UPS, PFC, TELECOM, SemiHow-HC60R290S

600V N Canales Super Junction transistor Fetures aplicaciones N-Ch SJ MOS (S3) de la EDS Aplicación Zener SMPS, UPS, PFC, TELECOM, SemiHow-HC60R290S

600V N Canales Super Junction transistor Fetures aplicaciones N-Ch SJ MOS (S3) de la EDS Aplicación Zener SMPS, UPS, PFC, TELECOM, SemiHow-HC60R290S

600V N Canales Super Junction transistor Fetures aplicaciones N-Ch SJ MOS (S3) de la EDS Aplicación Zener SMPS, UPS, PFC, TELECOM, SemiHow-HC60R290S

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600V N Canales Super Junction transistor Fetures aplicaciones N-Ch SJ MOS (S3) de la EDS Aplicación Zener SMPS, UPS, PFC, TELECOM, SemiHow-HC60R290S

US$ 0,13-1,00 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO,CCC

Intensidad luminosa: Estándar

Estructura: planar

Material: Silicio

Embalaje: Plastic Package

Estándar: Customized

Transistores originales Irfz44npbf MOSFET N-CH 55V 49A To220ab BOM PCBA Servicio PCB SMT

Transistores originales Irfz44npbf MOSFET N-CH 55V 49A To220ab BOM PCBA Servicio PCB SMT

Transistores originales Irfz44npbf MOSFET N-CH 55V 49A To220ab BOM PCBA Servicio PCB SMT

Transistores originales Irfz44npbf MOSFET N-CH 55V 49A To220ab BOM PCBA Servicio PCB SMT

Transistores originales Irfz44npbf MOSFET N-CH 55V 49A To220ab BOM PCBA Servicio PCB SMT

Transistores originales Irfz44npbf MOSFET N-CH 55V 49A To220ab BOM PCBA Servicio PCB SMT

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Transistores originales Irfz44npbf MOSFET N-CH 55V 49A To220ab BOM PCBA Servicio PCB SMT

US$ 0,4-0,8 / Pieza

10 Piezas (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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Estructura de encapsulación: chip de transistor

Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO

Material: Germanio

Embalaje: Package

Estándar: DIP/SMT

Marca: Original

20V P-Modo de ampliación del Canal de MOSFET de potencia Fetures Diodo aplicaciones interruptores de la administración de energía WAYON-WM02P160R

20V P-Modo de ampliación del Canal de MOSFET de potencia Fetures Diodo aplicaciones interruptores de la administración de energía WAYON-WM02P160R

20V P-Modo de ampliación del Canal de MOSFET de potencia Fetures Diodo aplicaciones interruptores de la administración de energía WAYON-WM02P160R

20V P-Modo de ampliación del Canal de MOSFET de potencia Fetures Diodo aplicaciones interruptores de la administración de energía WAYON-WM02P160R

20V P-Modo de ampliación del Canal de MOSFET de potencia Fetures Diodo aplicaciones interruptores de la administración de energía WAYON-WM02P160R

20V P-Modo de ampliación del Canal de MOSFET de potencia Fetures Diodo aplicaciones interruptores de la administración de energía WAYON-WM02P160R

1/ 6

Favoritos

20V P-Modo de ampliación del Canal de MOSFET de potencia Fetures Diodo aplicaciones interruptores de la administración de energía WAYON-WM02P160R

US$ 0,12-1,00 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO,CCC

Intensidad luminosa: Estándar

Estructura: planar

Material: Silicio

Embalaje: Plastic Package

Estándar: Customized

Modo de mejora potencia de canal N MOSFET obtiene aplicaciones el GreenMOS® alto MOSFET de voltaje Oriental-OSG60R150PF

Modo de mejora potencia de canal N MOSFET obtiene aplicaciones el GreenMOS® alto MOSFET de voltaje Oriental-OSG60R150PF

Modo de mejora potencia de canal N MOSFET obtiene aplicaciones el GreenMOS® alto MOSFET de voltaje Oriental-OSG60R150PF

Modo de mejora potencia de canal N MOSFET obtiene aplicaciones el GreenMOS® alto MOSFET de voltaje Oriental-OSG60R150PF

Modo de mejora potencia de canal N MOSFET obtiene aplicaciones el GreenMOS® alto MOSFET de voltaje Oriental-OSG60R150PF

Modo de mejora potencia de canal N MOSFET obtiene aplicaciones el GreenMOS® alto MOSFET de voltaje Oriental-OSG60R150PF

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Modo de mejora potencia de canal N MOSFET obtiene aplicaciones el GreenMOS® alto MOSFET de voltaje Oriental-OSG60R150PF

US$ 0,24-1,00 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO,CCC

Intensidad luminosa: Estándar

Estructura: planar

Material: Silicio

Embalaje: Plastic Package

Estándar: Customized

RF Power MOS FET#Rd30hvf1#para aplicaciones de amplificadores de potencia RF VHF

RF Power MOS FET#Rd30hvf1#para aplicaciones de amplificadores de potencia RF VHF

RF Power MOS FET#Rd30hvf1#para aplicaciones de amplificadores de potencia RF VHF

RF Power MOS FET#Rd30hvf1#para aplicaciones de amplificadores de potencia RF VHF

RF Power MOS FET#Rd30hvf1#para aplicaciones de amplificadores de potencia RF VHF

RF Power MOS FET#Rd30hvf1#para aplicaciones de amplificadores de potencia RF VHF

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RF Power MOS FET#Rd30hvf1#para aplicaciones de amplificadores de potencia RF VHF

1 Pieza (MOQ)

Simentor Electronic Limited

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Tecnología de Fabricación: Dispositivo Discreto

Material: Elemento Semiconductor

Procesamiento De La Señal: Compuesto digital y función analógica

Embalaje: Bulk

Estándar: 250/box

Marca: MITSUBISHI

Ao4435 -30V MOSFET de modo de canal P.

Ao4435 -30V MOSFET de modo de canal P.

Ao4435 -30V MOSFET de modo de canal P.

Ao4435 -30V MOSFET de modo de canal P.

Ao4435 -30V MOSFET de modo de canal P.

Ao4435 -30V MOSFET de modo de canal P.

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Ao4435 -30V MOSFET de modo de canal P.

US$ 0,05 / Pieza

20.000 Piezas (MOQ)

Shenzhen Topmay Electronic Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS

Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada

Instalación: Plug-in de triodo

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

Nivel de potencia: Alto Voltaje

Función: Triodo de conmutación

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Tecnología de Fabricación

Estructura

Procesamiento De La Señal

Tipo

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Material

Tipo de blindaje

Nivel de potencia

Frecuencia de trabajo

Forma

Proceso de dar un título

Método de enfriamiento

Nivel de potencia

Material

Frecuencia de trabajo

Función

Estructura de encapsulación

Estructura

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