• 247 MOSFET de potencia de canal N Dcc080m120A to-3L-68A 1200V
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247 MOSFET de potencia de canal N Dcc080m120A to-3L-68A 1200V

Manufacturing Technology: Discrete Device
Material: Sic
Type: N-type Semiconductor
Package: to-247-3L
Signal Processing: Other
Application: Power Supplies

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Miembro Diamante Desde 2021

Proveedores con licencias comerciales verificadas

Fabricante/Fábrica & Empresa Comercial

Información Básica.

No. de Modelo.
DCC080M120A
Model
Dcc080m120A
Batch Number
2023
Brand
Wxdh
voltaje
1200v
actual
68A
Paquete de Transporte
Tube
Marca Comercial
WXDH
Origen
Wuxi, China
Código del HS
8541290000
Capacidad de Producción
500000000 Pieces/Year

Descripción de Producto

68A 1200V N-Channel Sic Power Mosfet Dcc080m120A to-247-3L68A 1200V N-Channel Sic Power Mosfet Dcc080m120A to-247-3L68A 1200V N-Channel Sic Power Mosfet Dcc080m120A to-247-3L68A 1200V N-Channel Sic Power Mosfet Dcc080m120A to-247-3L
 MOSFET de potencia SIC de 68A 1200V canales N.
1 Descripción
Esta familia de productos ofrece un rendimiento de vanguardia. Está diseñado para aplicaciones de alta frecuencia en las que se requiere alta eficiencia y alta fiabilidad.
 68A 1200V N-Channel Sic Power Mosfet Dcc080m120A to-247-3L
Características
Mayor eficiencia del sistema
Reducción de los requisitos de refrigeración
Densidad de potencia aumentada
Frecuencia de conmutación del sistema aumentada
Aplicaciones
Fuentes de alimentación
Convertidores dc/dc de alta tensión
Motores de accionamiento
Fuentes de alimentación de modo conmutado
Aplicaciones de potencia pulsada
 
PARÁMETRO SÍMBOLO Condiciones de la prueba VALOR UNIDAD
     
Tensión de la unidad de transmisión a la fuente VDSmax VGS=0V, ID=100ΜA 1200 V
Tensión de puerta a fuente máx VGSmax Valores máximos absolutos -10/+25 V
Tensión de puerta a fuente máx VGSS Valores operativos recomendados -5/+20 V
Corriente de drenaje continua ID TC=25ºC. VGS=20V,TC=25ºC. 36 R
TC=100ºC. VGS=20V,TC=100ºC. 24 R
Corriente de drenaje pulsada ITM Ancho de pulso Tp limitado por TJmax 80 R
Disipación de potencia   Ptot TC=25ºC, TJ=150ºC. 192 W
  Ptot TC=25ºC, TJ=150ºC. W
Rango de temperatura de unión TJ   -55~150 ºC
Rango de temperatura de almacenamiento Tstg   -55~150 ºC
 
4,2 Características térmicas
Parámetro Símbolo Clasificación Unidadº
Resistencia térmica, empalme a disipador de caja RthJC 0,6 C/W
Resistencia térmica, empalme a ambiente RthJA 40 C/W

Especificaciones del producto y modelos de embalaje
Modelo de producto Tipo de paquete Marcar nombre RoHS Paquete Cantidad
DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A Sin PB Tubo 300/caja
DCCF080M120A TO-247-4L DCCF080M120A Sin PB Tubo 300/caja
 68A 1200V N-Channel Sic Power Mosfet Dcc080m120A to-247-3L

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Número de Empleados
156
Año de Establecimiento
2004-12-07