75A 1700V 6 en un solo paquete
1 Descripción
Estos transistor bipolar de puerta aislada utilizaron zanja avanzada y.
Diseño de tecnología Fieldstop, siempre excelente VCEsat y conmutación
velocidad, carga de compuerta baja. Que cumple con el estándar RoHS.
| Características |
FS Tecnología de trinchera, temperatura positiva
coeficiente |
Tensión de saturación baja: VCE(sat), típ = 2,25V
@ IC =75A y TJ = 25°C. |
| Capacidad de avalancha extremadamente mejorada |
| Aplicaciones |
| Soldadura |
| UPS |
| Inversor de tres leve |
| Convertidores de CA a CC |
| Amplificador de servoaccionamiento de CA y CC |
| Tipo |
VCE |
IC |
VCEsat,TJ=25ºC. |
Tjop |
Paquete |
| DGC75C170M2T |
1700V |
75A (TJ=100ºC) |
2,25V (típ.) |
175 ºC |
Econopack2 |
Características eléctricas
5,1 valores nominales máximos absolutos (IGBT-inversor/IGBT-freno) (TC=25ºC, a menos que se especifique lo contrario)
| PARÁMETRO |
SÍMBOLO |
VALOR |
UNIDAD |
| |
|
|
| Tensión de colector a emisor |
VCE |
1700 |
V |
| Tensión de puerta a emisor |
VGE |
±20 |
V |
| Corriente de colector de CC |
IC TJ=25ºC. |
150 |
R |
| TJ=100ºC. |
75 |
R |
| Corriente de colector pulsada #1 |
ICM |
300 |
R |
5,2 valores nominales máximos absolutos (diodo) (TC=25ºC, a menos que se especifique lo contrario)
| PARÁMETRO |
SÍMBOLO |
VALOR |
UNIDAD |
| |
|
|
| Tensión inversa repetitiva pico |
VRRM |
1700 |
V |
| Tensión de bloqueo de CC |
VR |
1700 |
V |
| Corriente media rectificada hacia delante |
SI (AV) |
75 |
R |
| Corriente de transitorios pico repetitiva |
IFRM |
150 |
R |
| Corriente de transitorios pico no repetitiva (única) /TP=1,0ms |
IFSM |
300 |
R |
5,3 módulo IGBT
| PARÁMETRO |
SÍMBOLO |
VALOR |
UNIDAD |
| |
|
|
| Rango de temperatura de unión |
Tjmax |
-45~175 |
ºC |
| Temperatura de funcionamiento de la unión |
Tjop |
-45~150 |
ºC |
| Rango de temperatura de almacenamiento |
Tstg |
-45~150 |
ºC |
| Tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1min |
VISO |
4000 |
R |
Proveedor Auditado 
