Haz amplio Implanter iones (HEMII-80)

Usos
Para dopar los materiales semiconductores, nanos/microestructurales con los elementos extranjeros
Para producir alta energía metal los iones para la modificación superficial de materiales de cerámica, poliméricos y metálicos
Para cambiar la composición superficial de materiales
Para hacer la irradiación superficial para formar diversas microestructuras de materiales.
Modelo: HEMII-80
Compartimiento: Acero de los SS 304; F400mm x 500m m
Sistema de bombeo: Bomba de Turbomolecular; Bomba rotatoria mecánica; Válvula de puerta neumática; Válvula de Foreline; Válvula de Rounghing; Presión de la válvula de expresión última: Mejorar que 8 el PA de x 10e-5
Substrato: 150m m; Rotación refrigerada por agua y basada en los satélites
Fuente del metal: Operación del modo del pulso; Anchura de pulso 1mS; Frecuencia 1-30Hz del pulso
Voltaje de la salida: 30kV-80kV
Tamaño de la viga: >F150mm
Falta de uniformidad: < +-5% de F150mm
Panel de control: Control del PLC de la pantalla táctil
Dispositivo de seguridad y protección: Vacío y dispositivo de seguridad del agua de enfriamiento; Sobreintensidad de corriente y sobre la protección del voltaje.
Características:
Viga de ion ultra amplia para la implantación uniforme grande y alta
Voltaje extensamente ajustable de la implantación de ion
Metal puro, elementos semiconductores (Si, GE) e implantación aleada de los elementos
Dosis en tiempo real de la implantación que cuenta o cuenta del número del pulso
Independiente del substrato
De control de tacto fácil.