Certification: | RoHS |
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Encapsulation Structure: | Chip Transistor |
Installation: | SMD Triode |
Power Level: | Medium Power |
Material: | Silicon |
tipo de fet: | canal p. |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
TIPO
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DESCRIPCIÓN
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Categoría
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Productos de semiconductores discretos
Transistores
FETs, MOSFET
FETs simples, MOSFET
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Paquete
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Cinta y carrete (TR)
Cinta de corte (CT)
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Estado del producto
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Activo
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Tipo de FET
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Canal P.
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Tecnología
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MOSFET (óxido metálico)
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Tensión de drenaje a fuente (Vdss)
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50 V
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Corriente - continuo drenaje (ID) a 25°C.
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130mA (ta)
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Tensión de la unidad (RDS máx. Activado, RDS mín. Activado)
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5V
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RDS activado (máx.) @ ID, VGS
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10Ohm @ 100mA, 5V
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VGS(TH) (Máx.) @ ID
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2V a 250µA
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VGS (máx.)
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±20V
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Capacitancia de entrada (CISS) (máx.) a VDS
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30 pF a 5 V.
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Función FET
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-
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Disipación de potencia (máx.)
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225MW (ta)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montaje
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Montaje superficial
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Paquete de dispositivo de proveedor
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SOT-23-3 (TO-236)
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Paquete / caja
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número de producto base
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BSS84
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Proveedores con licencias comerciales verificadas