Certification: | RoHS |
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Encapsulation Structure: | Chip Transistor |
Installation: | SMD Triode |
Power Level: | Medium Power |
Structure: | Mosfet |
Material: | Silicon |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
Tipo
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Descripción
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Categoría
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Los productos semiconductores discretos
Los transistores
FETs, MOSFETs
Solo FETs, MOSFETs
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Paquete
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El tubo
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El estado del producto
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Activo
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Tipo FET
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P-Channel
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La tecnología
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(MOSFET de óxido metálico)
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Vaciar a la fuente de tensión (Vdss)
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200 V
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- Drenaje de corriente continua (Id) de @ a 25°C
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6.5A (Tc)
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La tensión de la unidad (Max RDS ACTIVADO, Min RDS).
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10V
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Rds activado (máx.) @ Id, Vgs
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800mOhm 3.9A @, 10V
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Vgs(a) (máx.) @ Id.
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4V de 250 µA @
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La compuerta de carga (QG) (máx.) @ Vgs
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El 29 de nC @ a 10 V
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Vgs (máx.).
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±20 V
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La capacitancia de entrada (CISS) (máx.) @ Vds.
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700 pF @ 25 V
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La característica de FET
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-
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Disipación de potencia (máx.).
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74W (Tc)
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La temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montaje
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A través del agujero
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El paquete del dispositivo de proveedor
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A-220AB
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Package / Caso
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A-220-3
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El número de producto de la base
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IRF9630
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Proveedores con licencias comerciales verificadas