Tipo: | Sensor CMOS |
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Tipo de salida de señal: | Tipo digital |
Proceso De Producción: | Integrados semiconductores |
Material: | Mixture |
Certificación: | RoHS |
Personalizado: | No personalizado |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
Parámetro | símbolo | Mín. | Máx. | Unidad |
Temp. De almacenamiento | TS | -25 | 85 | ºC |
Tensión de alimentación | CC | 2 | 16 | V |
Tensión de corte de salida | VO(desactivado) | - | 12 | V |
Inducción magnética | B | ilimitado | ilimitado | Mt |
Corriente de salida | ES | - | 20 | Ma |
Parámetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Unidad |
Tensión de alimentación | CC | 2,5 | 12 | V |
Temperatura de funcionamiento | Ta | -25 | 85 | ºC |
Corriente de salida | ES | - | 8 | Ma |
Paramater | Símbolo | Condición de prueba | Típ. | Máx | Unidad |
Nivel bajo de salida | VOL | VCC1=4,5, VCC2=12V, IO=25MA,B≥BOP | 0,2 | 0,4 | V |
Nivel alto de salida | VÉ | VCC1=4,5, VCC2=12V, IO=25MA,B≤BRP | 11,5 | 12 | V |
Corriente de fuga de salida | IOH | VCC2=24V,VCC1 circuito abierto | 0,1 | 10 | μA |
Corriente de suministro | ICC | VCC1=24V,vo circuito abierto | 3,5 | 8 | Ma |
Tiempo de subida de salida | TR | VCC1=VCC2=12V, RL=1.2kΩ, CL=20pF |
125 | 150 | μs |
Tiempo de borde de caída de salida | TF | 60 | 80 | μs |
Parámetro | Símbolo | Mín. | Típ. | Máx. |
Punto de operación | BOP | - | 8 | 12 |
Punto de liberación | BRP | 3 | 4,5 | - |
Histéresis Punto de operación-punto de liberación |
BH BOP-BRP |
3 | 5 | 8 |
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