Sistema de grabado de iones reactivos Análisis de fallos de Rie material a base de silicio Grabado INP temperatura normal grabado material de la serie grabado

• After-sales Service: 1 Year
• Warranty: 1 Year
• Type: Rie
• Certification: CE
• Etching Type: Double Spray
• Precision: High Precision
• No. de Modelo.: MD150-RIE
• Condition: New
• Marca Comercial: minder-hightech
• Origen: China
• Capacidad de Producción: 100

Descripción de Producto

Sistema de grabado de iones reactivo
RIE

Materiales aplicados:
Capa de pasivación: SiO2, SiNx
Backsilicio
Capa adhesiva: Tostado
Orificio pasante: W

Característica:1. Grabado de la capa de pasivación con o sin agujeros; 2. Grabado de la capa adhesiva; 3. Grabado de silicona posterior


Configuración del proyecto y diagrama de estructura de la máquina

Elemento	MD150-RIE	MD200-RIE	MD200C-RIE
Tamaño del producto	≤6 pulgadas	≤8 pulgadas	≤8 pulgadas
Fuente de alimentación de RF	0-300W/500W/1000W ajuste, ajuste automático
Bomba molecular	-/620(L/s)/1300(L/s)/personalizado		Antiseptic620(L/s)/1300(L/s)/personalizado
Bomba de línea de combustible	Bomba mecánica/bomba seca		Bomba seca
Presión de proceso	Presión no controlada/1Torr-0 presión controlada
Tipo de gas	H/CH4/O2/N2/AR/SF6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/PERSONALIZADO (Hasta 9 canales, sin gas corrosivo ni tóxico)		H2/CH4/O2/N2/Ar/F6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/Cl2/BCl3/HBRR(hasta 9 canales)
Rango de gas	0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/costumbre
Bloqueo de carga	Sí/no		Sí
Control de la muestra	10°C~Room tem/-30°C~100°C/Custom		-30°C~100°C /personalizado
Refrigeración de helio posterior	Sí/no		Sí
Revestimiento de cavidad de proceso	Sí/no		Sí
Control de la pared de la cavidad	No/Roomtem~60/120°C		Sala tem-60/120°C.
Sistema de control	Automático/personalizado
Material de grabado	A base de silicio:Si/SiO2/SiNx ··· IV-IV: SIC Materiales magnéticos/materiales de aleación Material metálico: Ni/Cr/al/Au.. Material orgánico: PR/PMMA/HDMS/Orgánico película		A base de silicio: Si/SiO2/SiNx III-V(3): INP/GaAs/GAN IV-IV: SIC II-VI (3): CdTe Materiales magnéticos/materiales de aleación Material metálico: Ni/Cr/A1/Au...... Material orgánico: PR/PMMA/HDMS /película orgánica...

Resultado del proceso
Grabado de material a base de silicio
Materiales a base de silicio, patrones de huella nano, matriz
patrones y grabado de patrones de lente

INP temperatura normal de grabado
Patrón de grabado de dispositivos basados en InP utilizados en la comunicación óptica, incluyendo estructura de guiaondas, estructura de la cavidad resonante estructura de la cresta etc

Grabado de material SIC
Adecuado para dispositivos de microondas, dispositivos de alimentación, etc.

Escupido físico, aguafuerte el tarado material orgánico

Se aplica al grabado de materiales difíciles de etapar como algunos metales (como ni / Cr) y cerámica, y el patrón de tching de materiales se realiza por bombardeo físico.

Se utiliza para el grabado y la eliminación de compuestos orgánicos Como fotorresistente (PR)/ PMMA / HDMS / polímero

Material de película Cermet (Au/ni/Cr/Al2O3)

 

 

Visualización de los resultados del análisis de fallos


Especificación:
1. Evitar que las virutas vuelen
2. Nodo mínimo que puede procesarse: 14Nm;
SiO2. 3/SiNx velocidad de grabado: 50~150 nm/min;
4. Rugosidad de superficie grabada:<1 nm;
5. Apoyar la capa de pasivación, la capa de adhesión y el grabado de silicio;
6. Relación de selección de Cu/al:>50
7. Máquina todo en uno LxAnxH: 1300mmX750mmX950mm
8. Admitir la ejecución con un solo clic

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