Función: | Power Transistor |
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Frecuencia de trabajo: | Baja frecuencia |
Estructura de encapsulación: | chip de transistor |
Material: | Silicio |
corriente - colector (ic) (máx.): | 8a |
estilo de instalación: | Smd/SMT |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
El transistor Polaridad: | PNP |
ConfiguracióN: | Solo |
La tensióN colector - Emisor VCEO Max: | 250 V. |
La tensióN Base-colector VCBO: | 250 V. |
La tensióN base-emisor VEBO: | 5 V |
TensióN de saturacióN del Collector-Emitter: | 0,5 V |
La máXima corriente de colector de DC: | 8 |
Pd:DisipacióN de energíA: | 50 W |
El ancho de banda de ganancia producto fT: | 30 MHz |
Temperatura míNima de funcionamiento: | - 65 C |
Temperatura máXima de funcionamiento: | + 150 C |
Serie: | MJE15033 |
Embalaje: | El tubo |
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