Transistor de nuevo y original Irf epbf1010A220 IRF1010 A-220 F1010e IRF1010e

• Proceso de dar un título: RoHS, CE, ISO, CCC
• Forma: GT
• Tipo de blindaje: Cut-Off remota del tubo de blindaje
• Método de enfriamiento: Tubo de forma natural refrigerado
• Frecuencia de trabajo: Baja frecuencia
• Estructura: Difusión
• No. de Modelo.: IRF1010E
• Estructura de encapsulación: chip de transistor
• Nivel de potencia: Alto Voltaje
• Material: Germanio
• tipo de producto: transistor
• estilo de instalación: /
• paquete / caja: /
• polaridad de transistor: Npn
• temperatura de funcionamiento: estándar
• tensión de alimentación: individual
• precio: por favor, póngase en contacto con nuestro
• Marca Comercial: FAIRCHILD

Descripción de Producto

· Los atributos del producto
 

Tipo FET	Canal N
La tecnología	(MOSFET de óxido metálico)
Vaciar a la fuente de tensión (Vdss)	60 V
- Drenaje de corriente continua (Id) de @ a 25°C	75A (Tc)
La tensión de la unidad (Max RDS ACTIVADO, Min RDS).	10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	8.5MOhm @ 51A, 10V
Vgs(a) (máx.) @ Id.	4V @ 100µA
La compuerta de carga (QG) (máx.) @ Vgs	86 CN @ a 10 V
Vgs (máx.).	±20 V
La capacitancia de entrada (CISS) (máx.) @ Vds.	2810 pF @ 25 V

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