shape: | SMD |
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Conductive Type: | Unipolar Integrated Circuit |
Integration: | SSI |
Technics: | Semiconductor IC |
voltaje: | 85v |
actual: | 200a |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
NCE ofrece MOSFET de potencia de la serie SGT-II de canal N con tensiones nominales de ruptura que van desde 30V hasta 120V. Las características de resistencia a la conexión ultra baja ( RDS(on)) y carga de puerta ultra baja ( QG ) de los productos, combinadas con paquetes avanzados ligeros y compactos, aumentan aún más la densidad de potencia y la eficiencia de conversión de energía del sistema. Mientras tanto, para aplicaciones de baja frecuencia con requisitos de rendimiento y robustez extremadamente exigentes, los nuevos productos de la serie SGT-II de canal N Clean Energy optimizan aún más la capacidad de parada de alta corriente y la protección electrostática, que puede satisfacer una amplia gama de aplicaciones, incluyendo accionamiento de motor dc, protección de batería de ión litio y rectificación síncrona ac/dc. Además, en comparación con la generación anterior de la serie SGT-I, la serie SGT-II presenta una resistencia de 20% más baja Ron, sp y un 20% menos FOM, lo que proporciona una mejor opción para que los diseñadores mejoren aún más la eficiencia del sistema.
La gama de paquetes MOSFET de potencia de la serie SGT-II de canal N incluye TO-220, TO-252, TO-247, TO-263, TO-251, TOLL, DFN5*6, DFN3*3, SOP-8 y otros paquetes, proporcionando a los diseñadores opciones más flexibles para la personalización.
Nota: Los MOSFET de SGT también se conocen como Super Trench MOSFET.
Información sobre pedidos y marcado de paquetes | ||||||||
Marca | Número de pieza | Paquete de dispositivos | SPQ | MOQ | ||||
NCE | NCEP028N85 | TO-220 | 50pcs/carrete | 1000pcs |
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