Tipo: | Tipo de Salón |
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Tipo de salida de señal: | Salida analógica |
Proceso De Producción: | Integrados semiconductores |
Material: | Plástico |
Exactitud Grado: | 0.5G |
Aplicación: | VFD, Inverter, Smart Grid, Relay Protection |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
Ventajas
* fácil instalación * se puede personalizarDatos eléctricos:(ta=25ºC,VC=+3,3VDC,RL=2Kilohm,CL=10000pF) | ||||
Parmetro Ref |
CHB20BS3S1H | CHB50BS3S1H | CH100BS3S1H | CHB200BS3S1H |
Entrada nominal IPN(A) | 20 | 50 | 100 | 200 |
Rango de medición IP(A) | 0~±20 | 0~±50 | 0~±100 | 0~±200 |
Relación de giros NP/NS (T) | 1:2000 | 1:2500 | 1:4000 | 1:4000 |
Resistencia interior RM (ohmios) | 31,25±0,1% | 15,6±0,1% | 12,5±0,1% | 6,25±0,1% |
Tensión de salida vo(V) | 1,650±1,250*(IP/IPN) | |||
Tensión de salida vo(V) | @IP=0,T=25°C. 1,6500 | |||
Tensión de referencia VR(V) | @referencia interna,salida 1,650 | |||
Tensión de alimentación VC(V) | +3,3 ±5% | |||
Precisión XG (%) | @IPN,T=25°C. < ±0,5 | |||
Tensión de desviación VOE (mV) | @IP=0,T=25°C. < ±10 | |||
Variación de temperatura de VOT ( mV/°C) | @IP=0,-40 ~ +85°C. < ±0,05 |
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Error de linealidad εr(%FS) | < 0,1 | |||
Di/dt seguido con precisión (A/µs) | > 50 | |||
Tiempo de respuesta tra(µs) | @90% de IPN < 1,0 | |||
Consumo de energía IC(mA) | 10+is | |||
Ancho de banda blanco y negro (KHZ) | @-3dB,IPN DC-200 | |||
Tensión de aislamiento Vd(KV) | @50/60Hz, 1min,AC 3,0 |
Datos generales: | |
Parámetro | Valor |
Temperatura de funcionamiento TA(°C) | -40 ~ +85 |
Temperatura de almacenamiento TS(°C ) | -55~ +125 |
Masa M(g ) | 70 |
Material plástico | PBT G30/G15, UL94-V0; |
Estándares | IEC60950-1:2001 |
EN50178:1998 | |
SJ20790-2000 |
Dimensiones (mm): | |
Conexión | |
Tolerancia general | |
Tolerancia general: < ±0,5mm Orificio primario: 10,5*20,5±0,3 Conexión de secundario : 2510-04A (en lugar de Molex 5045-04A) |
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